Victory Analytics 및 머신 러닝을 활용한 TCAD 데이터의 보정

2024년 12월 12일 실험 데이터와 TCAD 시뮬레이션을 연결하기 위해 TCAD 파라미터의 보정을 향상시키는 ML-TCAD 결합 기법을 제시합니다.

원자 수준 2D-TMD-Channel FET 시뮬레이션

2024년 9월 26일 실바코의 Victory Atomisitic 툴은 양자 역학을 활용하여 이 본질적인 질문에 대응하며, 전문적인 TCAD 환경에서 2D 트랜지스터의 프로토타입을 지원합니다.

마이크론, 메모리 기술 개발 및 제조에 실바코의 Fab Technology Co-Optimization (FTCOTM) 활용

2024년 8월 29일 이번 시간에 마이크론 테크놀로지가 최신 메모리 기술의 개발 및 제조에 실바코의 FTCOTM (Fab Technology Co-Optimization) 플랫폼을 활용한 방법을 소개합니다.

AI를 활용한 Fab Technology Co-Optimization (FTCOTM)

2024년 7월 25일 실바코의 FTCO 플랫폼은 머신 러닝을 활용하여, 반도체 디지털 트윈 개발을 촉진합니다. 사용자는 제조 데이터와 TCAD 데이터를 이용하여, 머신 러닝 모델을 구축할 수 있습니다.

실바코, IPO 공모가 발표

2024년 5월 8일

실바코, IPO 설명회 개시

2024년 4월 30일

STMicroelectronics, SiC 소자의 단락 현상에 대한 표면 결함 점의 영향 분석에 실바코 TCAD 활용

2024년 3월 28일 SiC 소자의 스위칭 동작 중에, 소자가 과부하 비정상 상태에 도달할 수 있으므로, 일부 애플케이션에서는 강력한 사양이 필요합니다 (예: 단락 회로 및 UIS 테스트). 믹스드 모드 회로에서 이러한 현상을 시뮬레이션할 수 있으며, 시뮬레이션과 실험 정보를 교환하여 시뮬레이션 파라미터의 정확한 튜닝을 통해 동적 단계에서 전기 열의 움직임을 예측할 수 있습니다. 단락 회로의 현상에 대한 연구를 예시로 살펴봅니다. 실바코의 TCAD 시뮬레이션으로 활성 영역에 한정된 결함의 단락 회로에 대한 영향을 연구하였습니다.