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Process and device physics, from simulation to the fab floor
Victory RCx 从工艺实际构建的 3D 结构(包括刻蚀侧壁)中提取电阻和电容,使交给电路仿真的寄生参数成为求解结果,而非估计值。
Victory RCx 是基于物理的场求解器,可在三维中提取寄生参数。它适用于任意形状的结构,包括工艺仿真得到的刻蚀和沉积轮廓,专为单元级精细分析设计。您选择精度,网格自适应调整以达到要求。输出为 SPICE 网表。全芯片任务由 Hipex 的基于规则的提取器处理,Victory RCx 则处理规则文件无法描述其形状的单元。
五组功能:求解器本身、可处理的几何结构、发挥价值的两个应用领域,以及最终输出。
基于完整 3D 几何结构中的物理机制求解电阻和电容,不从预先表征的图形中查表获取数值。您可选择多种求解器,并自行设置求解容差、材料属性和边界条件。
求解包含浮置导体和虚拟导体。单个导体的电容按其耦合到的各区域分解,使您能够查看电容分布。可在工具内构建简单的 Manhattan 几何结构。对于曲面和非平面形状,结构直接来自 Victory Process,并完整保留仿真的刻蚀和沉积轮廓。
Victory RCx 分析 FinFET 中段工艺中的栅极与接触电容。这类几何结构密集且完全三维化。基于规则的提取可能无法满足要求,而所需的 LPE 规则文件也可能尚不存在。
显示领域的分析不止于 RC。求解器支持光学器件、LCD 和触控面板结构。具有电压相关介电常数的 LCD 物理模型可跟踪电容和液晶指向矢方向随偏置的变化。扫描波长和像素电压以查看单元的透射率、反射率和对比度,再检查光源切换时的瞬态响应。
寄生参数以标准 SPICE 网表输出,可直接用于您现有的电路仿真器。收紧容差时,自适应网格仅在必要位置细化。放宽容差则可缩短运行时间。
输入:来自 Victory Process 的 3D 仿真结构,必要时在 Victory Mesh 中细化。输出:用于电路仿真的 SPICE 网表。在设计端,Hipex-FS 在Expert 版图编辑器中运行相同的求解器。
Victory Process 或 Victory Mesh
求解 R 和 C
电路仿真
在 Expert 版图编辑器中使用相同求解器
只有两个领域,并非一长串清单。互连寄生参数场求解器自然适合两个应用领域,这里如实介绍。
导入 Victory Process 仿真结构进行场求解器提取。Clever 是 Victory RCx 的旧名称。
在 Expert 中基于示例版图逐步运行求解器。
请提供已使用规则文件提取或已与硅器件实测数据核对过的单元。在您投入时间开展正式评估之前,我们的技术专家可判断场求解是否会改变该几何结构的结果。
安装程序和文档位于支持与下载中,同时提供安装指南和支持的操作系统信息。
在支持门户中提交并跟踪工单。有效的维护合同包含访问权限。
它通过求解结构真实 3D 几何内部的电场来计算寄生电阻和电容,而规则文件则通过查表获取数值。结构在三维中划分网格,因此弯曲侧壁和浮置导体均纳入结果。
当几何结构过于复杂、规则文件无法准确描述,或工艺尚无 LPE 规则文件时。典型示例包括 FinFET 中段工艺结构和真实刻蚀轮廓。对于全芯片提取,基于规则的工具仍是实用选择。
两者使用相同的场求解器,但起点不同。Victory RCx 在 TCAD 端处理来自工艺仿真的 3D 结构。Hipex-FS 从 Expert 编辑器中的版图开始,而 Hipex-RC 是 Silvaco 面向全芯片任务的基于规则的提取器。
可以,它直接从 Victory Process 构建的 3D 结构中提取,保留仿真的刻蚀和沉积形状。Victory Mesh 可在提取之前细化结构网格。对于直角侧壁的 Manhattan 形状,可跳过工艺仿真,直接在 Victory RCx 中构建结构。
可以。Victory RCx 的分析之一就是 FinFET 中段工艺中栅极与接触之间的电容。这些数值随后进入 SPICE,使您可在制造硅器件之前仿真其对电路的影响。
SPICE 网表。任何能够读取 SPICE 的电路仿真器都可接收提取的寄生参数,因此适合团队现有的流程。精度与运行时间需要权衡,您设置的容差决定每次运行的取舍。