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Victory RCx: 3D 필드 솔버 기생성분 추출

Victory RCx는 식각된 측벽을 포함하여 실제 공정에서 생성되는 3D 구조에서 저항과 정전용량을 추출합니다. 이를 통해 회로 시뮬레이션에 전달하는 기생성분 추출 결과는 추정치가 아닌 해석 결과가 됩니다.

Victory RCx의 기능

Victory RCx는 3D 기생성분을 추출하는 물리 기반 필드 솔버입니다. 공정 시뮬레이션의 식각 및 증착 프로파일을 포함한 모든 형상의 구조를 처리합니다. 셀 수준의 상세 분석을 위해 개발되었습니다. 정확도를 선택하면 그에 도달하도록 메시가 적응합니다. 출력은 SPICE 넷리스트입니다. 전체 칩 작업은 Hipex의 규칙 기반 추출기가 담당하고 Victory RCx는 규칙 덱으로 형상을 설명할 수 없는 셀을 처리합니다.

주요 기능

솔버 자체, 입력 가능한 형상, 주요 활용 분야 두 가지,
최종 출력의 다섯 가지 그룹으로 구성됩니다.

필드 솔버

사전에 특성화한 패턴에서 값을 조회하지 않고 전체 3D 형상의 물리를 해석하여 저항과 정전용량을 구합니다. 여러 솔버 중에서 선택하고 해 허용오차, 재료 특성 및 경계 조건을 직접 설정합니다.

구조 처리

해석에는 부유 및 더미 도체가 포함됩니다. 단일 도체의 정전용량을 결합하는 각 영역별로 나누므로 어디에 분포하는지 확인할 수 있습니다. 단순한 맨해튼 형상은 도구 내에서 생성할 수 있습니다. 곡선형 비평면 형상은 시뮬레이션된 식각과 증착을 그대로 유지한 채 Victory Process에서 직접 가져옵니다.

첨단 노드

Victory RCx는 FinFET의 middle end of line에서 게이트-콘택트 정전용량을 분석합니다. 이 형상은 조밀하고 완전한 3D 구조입니다. 규칙 기반 추출이 충분하지 않을 수 있으며 필요한 LPE 덱이 아직 없을 수도 있습니다.

디스플레이 및 광학

디스플레이 분석은 RC 이상을 제공합니다. 솔버는 광학 소자, LCD 및 터치 패널 구조를 처리합니다. 전압 의존 유전율을 갖는 LCD 물리 모델이 바이어스에 따른 정전용량 및 액정 디렉터 방향의 변화를 추적합니다. 파장과 픽셀 전압을 스윕하여 셀의 투과율, 반사율 및 명암비를 확인하고 광원이 전환될 때의 과도 응답도 확인할 수 있습니다.

출력

기생성분은 표준 SPICE 넷리스트로 출력되므로 기존에 사용하는 회로 시뮬레이터에 바로 적용할 수 있습니다. 허용오차를 엄격하게 하면 적응형 메시가 필요한 위치만 세분화합니다. 완화하면 실행이 더 빨리 끝납니다.

TCAD 흐름에서의 위치

입력: Victory Process에서 시뮬레이션한 3D 구조를 필요에 따라 Victory Mesh에서 세분화합니다.
출력: 회로 시뮬레이션용 SPICE 넷리스트. 설계 측에서는 Hipex-FS가
Expert 레이아웃 편집기 내부에서 동일한 솔버를 실행합니다.

입력

3D 구조

현재 도구

Victory RCx

R 및 C 해석

출력

SPICE 넷리스트

회로 시뮬레이션

연계

Hipex-FS

Expert 레이아웃 편집기에서 동일한 솔버 사용

3D 기생성분 추출이 효과적인 분야

긴 목록 대신 두 가지입니다. 배선 기생성분용 필드 솔버에는 두 가지 주요
활용 분야가 있으며, 여기에서 이를 설명합니다.

첨단 CMOS

middle-end-of-line 및 back-end-of-line 기생성분을 포함한 FinFET, SOI 및 벌크 CMOS.

디스플레이

TFT 백플레인, LCD 셀 및 터치 패널. 세계 10대 디스플레이 제조업체 중 8곳이 Silvaco TCAD를 사용합니다.

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2025년 7월

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Victory RCx 평가 및 지원

평가하기

규칙 덱으로 이미 추출했거나 실리콘 측정값과 비교한 셀을 가져오세요. 정식 평가에 시간을 투입하기 전에 기술 전문가가 해당 형상에서 필드 해석이 결과를 바꾸는지 안내합니다.

기존 사용자

설치 파일과 문서는 지원 및 다운로드에서 설치 가이드 및 지원 운영체제 정보와 함께 제공합니다.

문제 해결

지원 포털에서 요청을 등록하고 추적하세요. 유효한 유지보수 계약이 있으면 이용할 수 있습니다.

기생성분 추출 관련 질문

3D 필드 솔버 기생성분 추출이란 무엇인가요?

규칙 덱에서 값을 조회하는 대신 실제 3D 형상 내부의 전기장을 풀어 구조의 기생 저항과 정전용량을 계산하는 방식입니다. 구조를 3D로 메싱하므로 곡선형 측벽과 부유 도체가 결과에 반영됩니다.

형상이 너무 상세하여 규칙 덱이 정확하게 표현할 수 없거나 해당 공정의 LPE 규칙 덱이 아직 없을 때 필요합니다. FinFET의 middle-end-of-line 구조와 실제 식각 프로파일이 대표적인 예입니다. 전체 칩 추출에는 규칙 기반 도구가 여전히 실용적인 선택입니다.

같은 필드 솔버를 사용하지만 시작점이 다릅니다. Victory RCx는 TCAD 측에서 공정 시뮬레이션의 3D 구조를 처리합니다. Hipex-FS는 Expert 편집기 내부의 레이아웃에서 시작하며 Hipex-RC는 전체 칩 작업을 위한 Silvaco의 규칙 기반 추출기입니다.

예. Victory Process가 생성한 3D 구조에서 시뮬레이션된 식각 및 증착 형상을 그대로 반영하여 직접 추출합니다. 추출 전에 Victory Mesh로 구조의 메시를 세분화할 수 있습니다. 직각 측벽의 맨해튼 형상은 공정 실행을 생략하고 Victory RCx 자체에서 구조를 만들 수 있습니다.

예. middle end of line에서 FinFET 게이트와 콘택트 사이의 정전용량은 Victory RCx의 분석 대상 중 하나입니다. 이 값은 SPICE로 전달되어 실리콘 제작 전에 회로에 미치는 영향을 시뮬레이션할 수 있습니다.

SPICE 넷리스트입니다. SPICE를 읽는 모든 회로 시뮬레이터에서 추출한 기생성분을 사용할 수 있으므로 팀의 기존 흐름에 적용할 수 있습니다. 정밀도와 실행 시간은 상충하며 설정한 허용오차가 각 실행의 균형을 결정합니다.

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