4 years ago
Learn How SilTerra Uses Cello and Viola for Standard Cells and I/O Library Optimization and Characterization
2023年2月17日 本ウェビナーでは、さまざまなライブラリの開発、最適化、検証における課題を共有し、Cello、Viola、SmartSpiceがユニークかつダイナミックな方法でどのように貢献し、高速かつ正確な結果を実現する方法を紹介します。
4 years ago
How to Search, View and Use Default Parameters from the Silvaco Material DataBase SMDB with DeckBuild
Silver, DeckBuild’s material database viewer, can be used to examine the default parameters in the Silvaco Material DataBase (SMDB) and to generate MATERIAL commands for Victory Process and Victory Device.
4 years ago
Learn About the Latest Advances in Device Modeling Using Silvaco Utmost IV
2023年1月27日 本ウェビナーでは、シルバコのUtmost IVデバイス・モデリング・ツールの2022年ベースラインの機能強化の一部をご紹介します。
4 years ago
3D TCAD Simulation of Gallium Nitride Tri-gate Junction HEMT
The GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been commercialized as a power device with performance superior to Si devices in the voltage classes from 15 V to 900 V
4 years ago
Silvaco Announces Appointment of Five Industry Veterans to Its Board of Directors
November 8, 2022
4 years ago
Writing an Impurity Activation Model with the Open Model Library
Accuracy of Impurity Activation is essential in correctly modeling and simulating Silicon Carbide devices. For high concentrations of dopants, it is well known that less than 100% of dopants will
4 years ago
User Probes and Arbitrary Parameter Sweeps in Victory Device
One of the new features in Victory Device is the ability to add user managed parameters to a log file. This can be used when sweeping parameters (manually or in
4 years ago
Learn About Victory Visual, Silvaco’s New Graphical Visualization Solution for TCAD
2022年9月23日 | 2:00-2:30 JST 本ウェビナーでは、シルバコのTCAD可視化ツールの最新世代であるVictory Visualの機能を順を追って説明します。本ウェビナーは、Victory Visualの主要な機能を理解するためのハウツーガイドであると同時に、Victory AtomisticおよびVictory Mesh – Solid Modeling向けの機能についても簡単に紹介することを目的としています。これまでのシルバコTCADツールのユーザおよび新しいユーザの視点から、多くの質問を取り上げます。
4 years ago
Quantum Transport Simulation at Atomistic Accuracy of a Nanowire FET
The FET physical dimensions continue to shrink to five nm node and below, characterized by new types of architectures with nanosheet (NS) and nanowire (NW) shapes [3]. The present choice
4 years ago
Learn How Victory Atomistic TCAD Solution Can Help You Succeed at Prototyping Atomistic Nanoscale Devices
2022年9月9日 | 2:00-2:30 JST 超微細電界効果トランジスタ（FET）技術は、5nmノード以下の最先端技術アーキテクチャを設計するために、原子スケールでのシミュレーションを必要としています。Victory Atomisticは、非平衡グリーン関数（NEGF）と最先端のバンド構造計算を組み合わせることで、汎用的で予測性の高い高速シミュレーションを可能にします。