SURGE 2025 北美线上大会
概览
2025 年 1 月 15 日
日期
北美
地区
线上
形式
20
三个分会场的会议
关于本次活动
2025 年 1 月 15 日，SURGE 北美 2025 在一天内在线举办了 20 场演讲。
SURGE 旨在让使用 Silvaco 工具的工程师彼此交流，并与 Silvaco 分享经验。本届大会邀请 Ciena、Silicon Creations、SilTerra，以及斯坦福大学和维也纳工业大学的研究人员发言。其余内容由 Silvaco 工程师主讲，涵盖 CEO 主题演讲到 3nm LDO。
日期
- 主会场
- 半导体工艺与器件分会场（TCAD）
- IC 设计分会场（EDA 和 IP）
议程
SURGE 北美 2025 全部 20 场演讲的录像均位于 Silvaco 支持网站。要打开
录像，请登录该网站，或使用工作、大学或政府机构邮箱填写简短表单。
主会场
主题演讲
Babak Taheri，Silvaco 首席执行官兼董事
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2019 年 8 月起，他担任 Silvaco CEO 和董事会成员，期间仅在 2021 年末短暂离任。他于 2018 年 10 月加入公司，担任 CTO 兼产品执行副总裁，此前曾在 Freescale（现为 NXP）和 Cypress Semiconductor 担任副总裁兼总经理。他还担任加州大学戴维斯分校电气工程系顾问委员会主席。
AI 将 EDA 推向新高度
Wally Rhines，Cornami 总裁兼 CEO、Silvaco 董事会成员
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他于 1993 年至 2017 年担任 Mentor Graphics CEO，收购完成后领导 Siemens EDA。自 2020 年 3 月起，他领导无晶圆厂芯片公司 Cornami，并于 2022 年 9 月加入 Silvaco 董事会。
半导体工艺与器件分会场（TCAD）
TCAD 最新进展
Eric Guichard 博士，Silvaco TCAD 业务部高级副总裁兼总经理
摘要
Guichard 博士介绍 Victory 仿真工具的最新进展，阐述 TCAD 在新器件开发中的价值，并展示 TCAD 发展路线图。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2012 年 11 月起，他领导 Silvaco TCAD 部门。他于 1995 年加入 Silvaco 法国子公司，曾担任应用工程师等职位。他拥有格勒诺布尔理工学院半导体物理学博士学位。
产品：TCAD
NanoHub 人才培养
Peter Griffin 博士，斯坦福大学
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他与 Jim Plummer 合著了教材《集成电路制造——科学与技术》（Cambridge University Press，2024 年）。他在斯坦福大学教授半导体技术，并在斯坦福基因组技术中心工作了二十年，其中大部分时间从事数字微流控研究。
通过量子输运仿真研究纳米线晶体管的低温特性
Sanam Moslemi-Tabrizi，Ciena 模拟工程师
摘要
Ciena 的模拟设计工程师使用供应商提供的模型，但随着几何尺寸缩小，这些模型逐渐偏离实际：经典仿真器无法捕捉的量子效应开始显现。因此，团队开始建立自己的模型。Victory Atomistic 能够自洽求解泊松方程和薛定谔方程，满足了初步要求，随后与 Silvaco 的合作进一步扩展了其能力。尽管 Ciena 5nm 器件的制造细节有限，仿真趋势仍与室温实验室数据较为吻合，虽非逐点一致。下一个目标是量子比特研究，以仿真替代昂贵的极低温测量。求解器仍需改进，才能在最低温度和最低偏置下可靠收敛。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
她在 Ciena 负责模拟电路验证并开发量子器件模型。此前，她在卡尔顿大学担任研究助理，构建了用于 LiDAR 光束扫描设计的全矢量模式求解器。
产品： Victory Atomistic
用于多尺度等离子体工艺集成与优化的机器学习
Lado Filipovic 博士，维也纳工业大学副教授
摘要
用于 TCAD 的刻蚀仿真存在尺度问题：必须同时求解等离子体腔室内的整体行为与单个高深宽比结构内的行为。Filipovic 博士的团队利用机器学习及基于设备信息的特征尺度模型将两者连接起来。其代理模型使用混合等离子体设备模型（HPEM）的运行结果和实验数据训练，可快速预测通量。这种速度为数字孪生以及未来的实时优化铺平了道路。对晶圆厂而言，目标是减少反复试验，使工艺更加环保。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他在维也纳工业大学微电子研究所领导由 Silvaco 支持的半导体器件与传感器多尺度工艺建模 Christian Doppler 实验室。他的团队发布了开源工艺仿真器 ViennaPS，他还担任 IEDM 和 SISPAD 技术程序委员会成员。
产品：Victory Analytics · Victory DoE
如何利用 Victory Analytics 和机器学习校准 TCAD 数据
Stefania Carapezzi 博士，Silvaco 现场应用工程师
摘要
将 TCAD 参数与测量数据匹配，通常依赖专家反复试验，这种速度无法适应不断缩短的上市周期。本次演讲将这项工作交给机器学习，在同一流程中结合两款 Victory 工具。Victory DoE 对 TCAD 仿真执行实验设计并收集输出，随后 Victory Analytics 根据实验数据拟合 TCAD 参数。演示案例是一款 AlGaN/GaN HEMT。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2023 年 3 月起，她担任 Silvaco France 现场应用工程师。她拥有博洛尼亚大学物理学博士学位，其研究利用 TCAD 仿真超越 CMOS 的器件以及极小晶体管内部的量子效应。
产品：Victory Analytics · Victory DoE
人工智能在晶圆厂工艺协同优化中的应用
Christian Caillat 博士，Silvaco TCAD 高级资深现场应用工程师
摘要
工艺和晶圆厂工程师通常通过基于晶圆的实验设计调整制造步骤。当某个参数持续无法达到目标时，这一循环可能延续数周或数月。替代方法是为该步骤建立简化但准确的机器学习模型，而且这种方法已用于生产。Silvaco FTCO 平台将晶圆厂数据与 TCAD 数据结合，建立半导体数字孪生模型。实际示例展示端到端 FTCO 流程，帮助您判断其适合团队的哪些工作。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他于 2023 年 6 月加入博伊西的 Silvaco。此前，他在 Micron 工作了 13 年，领导 3D NAND 单元团队，并参与与 imec 合作的新兴存储器项目。他拥有格勒诺布尔理工学院微电子学博士学位。
产品：FTCO
利用基于物理、由 AI 驱动的数字孪生加速 SiC 功率器件设计优化并提高制造良率
David Green 博士，Silvaco TCAD 应用工程师
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他在英国剑桥工作，在 Silvaco 的 18 年间，为 EMEA 地区 TCAD 客户的功率、显示、可靠性和光学应用提供支持，并管理 TCAD R&D 项目。他的博士研究涉及垂直和横向功率器件。
功率器件 SPICE 建模与详细的 SiC DMOS 参数提取方法
Bogdan Tudor 博士，Silvaco 建模负责人
摘要
三种器件技术——Si、GaN 和 SiC，以及三种 SPICE 建模方法——紧凑模型、宏模型和 Verilog-A。演讲的主要部分是一款 SiC DMOS 的完整案例。参数提取从 I-V、C-V 曲线和随偏置变化的电容开始，随后根据动态特性调整模型，最后加入动态温度效应。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他领导 Silvaco 器件表征团队，负责建模服务、现场业务和 R&D，于 2017 年加入 Silvaco。此前，他在 ProPlus Design Solutions 工作了四年，在 Synopsys 工作了十二年。
产品：FTCO
IC 设计分会场（EDA 和 IP）
EDA 和 IP 最新进展
Ben Louie，Silvaco IP 业务部副总裁兼总经理
摘要
Ben Louie 介绍模拟与定制 IC 产品组合的新特性和功能，以及 Silvaco EDA 工具的后续规划。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他领导 Silvaco 半导体设计 IP 业务，拥有 22 年以上 NOR 闪存、NAND 闪存和 MRAM 设计经验。在 Micron，他带领设计团队完成从 NOR 到 NAND 的转型，并负责首批 NAND 产品的设计。他持有 123 项美国专利。
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产品：模拟与定制 IC
分立功率器件物理设计的 EDA 解决方案
Stefano Pettazzi，Silvaco 资深应用工程师
摘要
功率器件版图通常包含大量曲线形状，而曲线几何结构给 DRC 引擎的检查带来困难。Stefano Pettazzi 在 Expert 中绘制此类版图，再使用 SmartDRC 在保持精度的同时快速检查。最后，他介绍 Silvaco 为功率器件提供的 TCAD 与 EDA 联合流程，使两方面均由同一家供应商支持。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2012 年起，他在 Silvaco 担任应用工程师，为客户从前端设计到后端版图的 EDA 流程提供支持，拥有近 25 年 EDA 和微电子领域经验。他拥有帕维亚大学硕士学位。
产品：Expert · SmartDRC/LVS
利用 Jivaro Pro 先进寄生参数缩减技术加速高频模拟混合信号组件验证
Chung-Chun Chen，Silicon Creations 模拟设计总监
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他领导 Silicon Creations 亚特兰大 SerDes 团队，自 2011 年起在该公司工作，期间仅于 2018 年至 2019 年任职于 Realtek 的 Ubilinx Technology。他拥有台湾大学博士学位，是 IEEE 高级会员。
产品：Jivaro Pro
使用 Viso 调查、分析和解决先进寄生参数问题
Carlos Berlitz，Silvaco 公司应用工程师
摘要
先进节点模块中的寄生问题究竟位于何处？仿真最终可以给出答案。Viso 则直接分析提取的 RC 网络，提供时序估算、串扰和网络间匹配分析，并指出需要关注的网络。演示采用高速电路，省去了漫长的仿真循环。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2023 年起，他为 Silvaco RC 寄生参数分析和缩减工具提供支持，并参与其发展路线图制定。他拥有里昂国立应用科学学院博士学位。
产品：Viso
标准单元表征的挑战与改进
Siti Mariyam，SilTerra IP 设计支持
摘要
SilTerra 的晶圆代工工艺不断发展，每次改进都需要重新优化和验证 IP 库。Siti Mariyam 介绍 Silvaco 工具如何融入 SilTerra 库开发的这一循环，以及它们所节省的表征时间。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
她在 SilTerra Malaysia 开发和验证标准单元与 IO 库，拥有马来西亚理工大学电子系统工程学位。
产品：Standard Cell
面向低电压应用的先进 FinFET 节点标准单元库 IP
Fernando Carrion，Silvaco 设计工程师
摘要
在先进 FinFET 节点上以低电压运行标准单元，会改变面积、时序、功耗和变异性等关键指标。Fernando Carrion 解释其原因，随后介绍 Silvaco 低电压 FinFET 库，其中包含电源管理套件（PMK）、保持较少晶体管堆叠的高扇入单元，以及多比特和状态保持版本的触发器。通过多阈值选项，您可以权衡速度与功耗。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他是 Silvaco 设计工程师，拥有四年多标准单元设计和表征经验。他毕业于 UFRGS，并通过 IC Brazil 项目获得模拟电路设计工程师认证。
产品： Cello FinFET
使用 Cello FinFET 开发先进节点库
Felipe Bortolon，Silvaco IP 工程经理
摘要
手动将标准单元库移植到新的先进节点十分耗时。Felipe Bortolon 演示 Cello FinFET 如何复用现有库完成迁移，并直接从 CDL 生成 GDSII。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他负责 Silvaco 标准单元版图自动化框架 Cello 的工程管理，拥有 UFRGS 微电子学硕士学位。
产品： Cello FinFET
适用于低电压工作的带隙基准
Ahmad S. Mazumder，Silvaco 工程总监
摘要
Silvaco 基于 TSMC N3P 工艺（3nm FinFET）设计了两种带隙电压基准，分别为 0.45 V 和 0.92 V。在 -45°C 至 150°C 范围内，两者的变化均保持在 1% 以内。基准电路的核心目的，正是提供在长期使用中不易受工艺、温度、电源和负载变化影响的输出。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2019 年起，他担任 Silvaco IP 部门工程总监，负责模拟与接口 IP 的开发和支持。此前，他在 Intel、Broadcom 和 C-Cube Microsystems 从事 DDR、高速 SerDes、接口和 ESD 工作 28 年。
适用于低电压工作的 LDO
Shaikh A Shams，Silvaco 资深工程师
摘要
采用 TSMC N3P 3nm FinFET 工艺设计的无电容 LDO。关键指标：
- 负载电流：最高 30 mA
- 输入：1.2 V ±10%
- 输出：可编程，0.45–0.9 V，步进 50 mV
- PSRR：在所有 PVT 工艺角（-40°C 至 125°C）下，1 kHz 时 >40 dB，10 MHz 时 >29 dB
- 负载瞬态：在相同工艺角下，1 A/ns 阶跃引起的下冲或过冲 <18 mV
- 面积：<3,400 µm²
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
自 2020 年起，他担任 Silvaco 模拟/接口 IP 部门资深工程师。此前，他在 Intel、GlobalFoundries 和 Dialog Semiconductor 从事 SerDes、接口、稳压器和 AMS 设计工作 22 年。他拥有亚利桑那大学硕士学位。
CAN-XL 简介
Mauricio Brochi，Silvaco 汽车 IP 总监
摘要
1986 年的经典 CAN 通过非破坏性仲裁解决总线争用：优先级更高的帧获胜，故障节点被隔离，而其他节点继续通信。到 2011 年，ECU 数据包已超出其容量，CAN FD 将限制提高到 8 Mbps 和 64 字节有效载荷。第三代 CAN XL 达到 20 Mbps 和 2,048 字节有效载荷。随着车载网络采用软件定义设计，它还可桥接至 10BASE-T1 及其他以太网标准。
演讲嘉宾简介，2025 年 1 月
他在汽车和工业应用的 SoC 系统与 IP 领域拥有 30 多年经验，包括在 Motorola 和 NXP 从事 CAN 控制器、微控制器内核和密码加速器工作。他拥有坎皮纳斯大学电子工程学位。
产品：汽车 IP
SURGE 北美 2025 主题
从 SiC 数字孪生到分立器件曲线版图 DRC
用于量子输运的 Victory Atomistic、用于等离子体刻蚀的机器学习，以及 TCAD 最新进展
SilTerra 的表征演讲，以及随后两场 Silvaco FinFET 库演讲
FTCO 流程，以及利用 Victory Analytics 和 Victory DoE 进行 TCAD 校准
Expert 和 SmartDRC 的功率器件版图应用，以及 Jivaro Pro 和 Viso 的寄生参数处理
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活动
即将举办的展会，并列出 Silvaco 参展时的展位号
网络研讨会
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