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The GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been commercialized as a power device with performance superior to Si devices in the voltage classes from 15 V to 900 V
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Accuracy of Impurity Activation is essential in correctly modeling and simulating Silicon Carbide devices. For high concentrations of dopants, it is well known that less than 100% of dopants will
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One of the new features in Victory Device is the ability to add user managed parameters to a log file. This can be used when sweeping parameters (manually or in
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2022년 9월 23일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에 TCAD를 시각적으로 표현하기 위한 Victory Visual의 기능에 대해 살펴봅니다.
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The FET physical dimensions continue to shrink to five nm node and below, characterized by new types of architectures with nanosheet (NS) and nanowire (NW) shapes [3]. The present choice
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2022년 9월 9일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에, 초고밀도 전계효과 트랜지스터(FET) 기술에서 5nm 노드 이하의 최신 기술 아키텍처를 설계하기 위해 원자 규모 시뮬레이션이 필요하다는 점을 설명합니다. Victory Atomistic 솔루션을
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New Features in the 2022 Baseline Release:
- Section 1: Process Simulation – New Features in 2022 Baseline Release
- Section 2: Device Simulation – New Features in 2022 Baseline Release
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2022년 8월 12일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에, FinFET 및 메모리 애플리케이션에서의 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀의 형성, 비이상적 식각 프로파일 (휘어짐, 비틀림), 자체 정렬 공정 (멀티 패터닝)을 실현하는
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Join Us at DAC 2022 Join us at 2022 Design Automation Conference where we will highlight the company’s wide range of semiconductor IP, EDA products and solutions targeting AI/ML, mobile,
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This work reports on the design of a high efficiency InGaN-based two junction (2J) tandem solar cell via numerical simulation, operating at high temperatures (450o C) and under 200 suns
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2022년 7월 1일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에 스키매틱와 레이아웃 편집, 최신 TFT 기술에 요구되는 정확한 필드 솔버 기반 기생 추출, 기생 RC 요소의 넷리스트에 대한 백 애노테이션, 대규모