Yearly Archives: 2022
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2022
Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.
4 years ago
3D TCAD Simulation of Gallium Nitride Tri-gate Junction HEMT
The GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been commercialized as a power device with performance superior to Si devices in the voltage classes from 15 V to 900 V
4 years ago
機械学習を用いたデバイスモデルの開発と、回路シミュレータSmartSpiceへの実装
2022年12月21日 | 13:00-13:40 JST 本ウェビナーでは、実測や数値シミュレーションで得られたデータを起点に、適切な入出力応答を示すデバイスモデルを構築する手法をご紹介します。
4 years ago
Silvaco Announces Appointment of Five Industry Veterans to Its Board of Directors
November 8, 2022
4 years ago
有機半導体向けモデルを用いたOLEDの電気特性・励起子シミュレーション
2022年11月29日 | 13:00-13:30 JST 本ウェビナーでは、デバイスシミュレータ Victory Deviceを用いた、OLEDの電気特性・励起子挙動のシミュレーション機能をご紹介いたします。始めに、基本的な電気特性シミュレーションの背景を説明し、電気特性シミュレーションに必要なモデルやパラメータについて確認します。次に、結晶半導体と有機半導体の違いを簡単に確認したのちに有機デバイスの表現のために実装されているモデルの説明をします。最後に、OLED向けの要素技術を扱ったシミュレーション事例を紹介します。
4 years ago
Writing an Impurity Activation Model with the Open Model Library
Accuracy of Impurity Activation is essential in correctly modeling and simulating Silicon Carbide devices. For high concentrations of dopants, it is well known that less than 100% of dopants will
4 years ago
User Probes and Arbitrary Parameter Sweeps in Victory Device
One of the new features in Victory Device is the ability to add user managed parameters to a log file. This can be used when sweeping parameters (manually or in
4 years ago
RPI TFTモデルの理解と実装（１）NQSモデル
2022年9月30日 | 13:00-13:30 JST 本ウェビナーでは、RPI TFTモデルを理解する上で、比較的難所となるポイントについて解説を試みます。第１回目は、非準静的効果（NQS）モデルを扱います。
4 years ago
Learn About Victory Visual, Silvaco’s New Graphical Visualization Solution for TCAD
2022年9月23日 | 2:00-2:30 JST 本ウェビナーでは、シルバコのTCAD可視化ツールの最新世代であるVictory Visualの機能を順を追って説明します。本ウェビナーは、Victory Visualの主要な機能を理解するためのハウツーガイドであると同時に、Victory AtomisticおよびVictory Mesh – Solid Modeling向けの機能についても簡単に紹介することを目的としています。これまでのシルバコTCADツールのユーザおよび新しいユーザの視点から、多くの質問を取り上げます。
4 years ago
Quantum Transport Simulation at Atomistic Accuracy of a Nanowire FET
The FET physical dimensions continue to shrink to five nm node and below, characterized by new types of architectures with nanosheet (NS) and nanowire (NW) shapes [3]. The present choice
4 years ago
Learn How Victory Atomistic TCAD Solution Can Help You Succeed at Prototyping Atomistic Nanoscale Devices
2022年9月9日 | 2:00-2:30 JST 超微細電界効果トランジスタ（FET）技術は、5nmノード以下の最先端技術アーキテクチャを設計するために、原子スケールでのシミュレーションを必要としています。Victory Atomisticは、非平衡グリーン関数（NEGF）と最先端のバンド構造計算を組み合わせることで、汎用的で予測性の高い高速シミュレーションを可能にします。