Yearly Archives: 2016
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2016
Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.
10 years ago
Victory Process 2D – SUPREM 기반 시뮬레이터의 혁신적인 대안으로서 강력한 3D 솔루션을 보장
2016년 12월 9일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) Victory Process는 데이터 구조, 그리드, 솔버를 포함한 혁신적인 기술을 많이 사용하여, 기존 공정 시뮬레이터에 비해 여러 가지 장점을 제공합니다.
10 years ago
VarMan을 이용한 아날로그 설계의 통계 분석 플로우
일시: 2016년 11월 11일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) VarMan은 아날로그 설계자를 위한 구체적인 통계 분석을 포함합니다. 아날로그 셀 또는 AMS/RF IC를 신속하게 분석할 수 있도록, 혁신적인 몬테 카를로 부스터를 내장하였습니다.
10 years ago
TCAD Simulation of Impact Ionization at Cryogenic Temperatures, down to 3 K
Some electronic devices operate at very low, cryogenic temperatures, sometimes as low as 4 K, which is the temperature of liquid helium. Such devices include infra-red (IR) photodetectors or single-photon
10 years ago
Stress Induced by Intrinsically Strained Silicon Nitride Passivation Films of AlGaN/GaN HEMTs Using Victory Process 2D
In the AlGaN/GaN HEMT fabrication process, silicon nitride (Si3N4) passivation of the HEMT surface layer, which is typically AlGaN, is commonly used to mitigate defect-related charge traps at the AlGaN
10 years ago
Victory Process 2D – A Valuable Alternative To SUPREM-based Simulators
SUPREM-IV – Stanford University PRocEss Modeling Program was first released 30 years ago. Since then its descendants - Athena from Silvaco and TSUPREM-4TM from TMA/Avant/Synopsys - have been 2D process
10 years ago
유기 광전자 소자의 TCAD 시뮬레이션
2016년 9월 28일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 이번 시간에 LED와 OLED 소자의 통합 시뮬레이션 환경으로 개발된 Radiant를 소개하고, 뛰어난 효율과 색 품질, 색 조정으로 디스플레이와 조명 분야에서 많은 관심을 받고
10 years ago
Semiconductor IP Community Joins Forces To Launch IP Tradeshow and Conference
Semiconductor IP Community Joins Forces To Launch IP Tradeshow and Conference REUSE 2016 Event Focuses Exclusively on Fastest Growing Segment of the Semiconductor Industry Santa Clara, California – September 14,
10 years ago
레이아웃 엔지니어를 위한 전력 분포 분석
2016년 7월 27일 | 시각: 2:00am-2:30am (한국 시각) 실바코의 새로운 신뢰성 분석 툴, InVar Prime에 대한 개요를 제공합니다.
10 years ago
Simulation of Device Degradation Due to Bias Temperature Stress
Introduction Bias Temperature Instability (BTI) [1] ranks among the most serious reliability issues in present-day semiconductor devices. In pMOSFETs, for instance, it is observed when large negative biases are applied
10 years ago
Using Victory Process to Create Realistic Structures for Capacitance Extraction in Clever
Silvaco offers many alternatives for creating simple 3D structures, the optimum choice depending on what the user needs to simulate. Many of the choices for creating simple 3D structures are