파운데이션 IP
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파운데이션 IP: 표준 셀, 메모리 컴파일러 및 인터페이스 IP
직접 개발하는 대신 라이선스로 도입하는 파운데이션 IP입니다. 표준 셀 라이브러리, 메모리 컴파일러 및 I/O를 특정 파운드리 공정에 맞게 특성화하고, 일반적인 카탈로그 기준 대신 설계의 PPA 목표에 맞춰 조정합니다.
칩에 맞춰 조정하는 파운데이션 IP
대부분의 파운데이션 IP는 고정된 제품으로 제공되어 설계가 그에 따른 절충을 수용해야 합니다. Silvaco는 목표 공정과 칩의 용도에 맞춰
셀 크기, 메모리 구성 및 I/O 링을 조정합니다.
로직 IP
성숙 노드의 많은 표준 셀 라이브러리는 탭리스 셀, 클록 게이팅 및 멀티비트 플립플롭 이전에 개발되었으며, 이는 전력과 면적 수치에 드러납니다. Silvaco 라이브러리는 여러 문턱전압과 트랙 높이에 걸쳐 700~1,200개 셀을 제공합니다. 각 셀 계열은 P/N 비율과 구동 강도 단계까지 크기가 조정됩니다. 전력 또는 속도 목표에 맞는 변형을 선택하세요.
28–180 nm · TSMC, GlobalFoundries, UMC · CORE 라이브러리 10개, 그중 4개에 PMK 및 ECO 키트 포함
임베디드 메모리
평균적인 설계에 맞춘 메모리는 웨어러블과 AI 가속기 어느 쪽에도 적합하지 않습니다. Silvaco의 동일한 컴파일러는 설정한 크기와 전력 옵션에 따라 인스턴스를 생성하므로 둘 다 지원할 수 있습니다. 단일 및 듀얼 포트 SRAM, 레지스터 파일 및 ROM 컴파일러를 제공합니다.
22–130 nm · TSMC, GlobalFoundries, UMC · 컴파일러 19개
인터페이스 IP
기본 파운드리 I/O는 제품에 필요한 면적, 전력 및 기능과 정확히 맞지 않는 경우가 많습니다. Silvaco의 범용 I/O는 ESD 보호를 내장하고 프로그래밍 가능한 구동 강도와 슬루율을 제공합니다. I/O 팀은 비용 목표에 맞춰 패드 링과 ESD 셀도 조정합니다. 특수 I/O에는 최대 2 Gbps의 LVDS, SSTL 및 극저온 설계용 I/O가 포함됩니다. 각 코어는 파운드리 간 이전을 고려해 설계되며 통합 플로에 전달되기 전에 검증됩니다.
어떤 공정에서 특성화되었는지 IP 전문가에게 문의하세요. 직렬화기 및 역직렬화기 PHY는 LVDS를 참조하세요.
저전력 파운데이션 IP
배터리 구동 칩은 대부분의 시간을 유휴 상태로 보내므로 누설이 충전 간 사용 시간을 결정합니다. 저전력 셀은 전력 게이팅, 다중 전압 설계 및 레벨 시프터를 추가합니다. 단일 포트 SRAM에는 내장 전력 스위치와 읽기 및 쓰기 보조 기능이 제공됩니다. 리텐션, 리텐션 냅 및 셧다운 모드로 누설을 단계적으로 줄입니다.
요청 시 사용자 지정 저전압 특성화 코너를 제공합니다.
제품군별 지원 범위
2026년 여름 카탈로그에서 파운드리와 노드를 확인하세요.
목록에 없다면 사용자 지정 특성화를 문의하세요.
| 제품군 | 파운드리 | 노드 | 카탈로그 제품 |
|---|---|---|---|
| 표준 셀 라이브러리 | TSMC, GlobalFoundries, UMC | 28~180 nm | 라이브러리 10개 |
| 메모리 컴파일러 | TSMC, GlobalFoundries, UMC | 22~130 nm | 컴파일러 19개 |
라이브러리 생성, 이전 및 최적화는 이 제품들의 범위를 넘어 지원됩니다. 이전하려는 노드를 IP 전문가에게 알려주세요.
적용되는 설계
성숙 및 첨단 노드의 SoC 및 ASIC 개발
커스텀 SoC, 보안 및 암호화 프로세서, 오디오 및 음성 ASIC
저전력 모바일, IoT 및 웨어러블 설계
엣지 소자, 저전력 DSP 및 Bluetooth Low Energy를 위한 저누설 셀과 SRAM 전력 모드
자동차 및 산업용 SoC
산업 자동화, 공정 제어 및 로봇과 장기 공급이 가능한 검증된 노드의 고신뢰성 자동차 설계
디스플레이 드라이버 및 DDIC
디스플레이 드라이버 IC용 임베디드 메모리 컴파일러
제품의 기반 실적
카탈로그의 모든 라이브러리와 컴파일러에는 적격성 검토에서 인용할 수 있는
파운드리, 노드 및 부품 번호가 명시되어 있습니다.
10 · 19
각각 고유 부품 번호를 가진 표준 셀 라이브러리와 메모리 컴파일러
35% · 20%
Cello 레이아웃 최적화 후 기성 라이브러리 대비 감소한 면적과 전력
400만 게이트/mm²
고밀도 및 저전력을 위해 개발된 28nm 라이브러리
Liberty · LEF · GDSII
DRC/LVS 검증을 통과하고 파운드리 인증을 받은 모든 메모리 인스턴스의 뷰
25년
메모리 컴파일러가 Silvaco에 합류하기 전 Dolphin Design의 SoC IP 개발 경력
카탈로그 · PDF
2026년 여름
제품 선택 가이드
트랙 높이, 문턱전압 및 메모리 크기를 포함한 파운드리, 노드, 공정 및 부품 번호별 전체 목록.
제품 소개서 · PDF
2026년 3월
저전력 파운데이션 IP
전력 관리 키트, 레벨 시프터, 전력 스위치 및 SRAM 전력 모드를 한 장으로 정리한 자료.
제품 소개서 · PDF
2026년 3월
Silvaco 메모리 컴파일러를 활용한 초저전력 임베디드 메모리 설계 방법
컴파일러 관점에서 초저전력 SRAM, 레지스터 파일 또는 ROM의 구성을 설명합니다.
웨비나
2026년 여름
Silvaco 55LPx 파운데이션 IP 솔루션으로 극저전력 IoT 설계 구현
IoT 설계를 통해 설명하는 GlobalFoundries 55LPx의 저전력 파운데이션 IP.
뉴스
2026년 3월
Silvaco, Dolphin Design SAS의 메모리 컴파일러 기술 인수
컴파일러의 기원: 여러 파운드리에서 이미 실리콘으로 구현되어 수천 가지 응용에 사용된 기술.
파운드리와 노드를 알려주세요
필요한 라이브러리 또는 메모리와 달성해야 할 PPA 목표를 알려주세요. IP 전문가가 현재 공정에서
특성화된 제품, 사용자 지정 특성화에 필요한 작업, 라이선스와
평가 방식을 안내합니다.
파운데이션 IP 구매 관련 질문
파운데이션 IP란 무엇인가요?
물리 IP라고도 하는 파운데이션 IP는 칩을 구성하는 사전 설계 블록의 집합입니다. 로직용 표준 셀 라이브러리, SRAM·레지스터 파일·ROM용 메모리 컴파일러, 칩 가장자리의 I/O를 포함합니다. Silvaco는 각 블록을 특정 파운드리 공정에 맞게 특성화하고 전력, 성능, 면적 및 수율에 맞춰 조정합니다.
로직 IP와 메모리 IP의 차이는 무엇인가요?
로직 IP는 합성과 배치 및 배선을 통해 디지털 로직으로 구현하는 표준 셀 라이브러리와 전력 관리 및 ECO 키트입니다. 메모리 IP는 컴파일러 형태로 제공됩니다. 크기, 포트 및 전력 모드를 설정하면 컴파일러가 이에 맞는 SRAM, 레지스터 파일 또는 ROM 인스턴스를 생성합니다.
어떤 파운드리와 노드를 지원하나요?
Silvaco의 현재 카탈로그에는 TSMC, GlobalFoundries 및 UMC의 28~180 nm 표준 셀 라이브러리와 22~130 nm 메모리 컴파일러가 나와 있습니다. 인터페이스 및 저전력 제품의 공정 지원은 IP 전문가에게 문의하세요. 사용자 지정 특성화로 카탈로그에 없는 노드까지 지원 범위를 확장할 수 있습니다.
어떤 산출물을 제공하나요?
메모리 컴파일러는 DRC와 LVS를 통과한 완전 특성화 인스턴스를 Liberty, LEF 및 GDSII 뷰와 함께 생성합니다. 표준 셀 라이브러리는 여러 문턱전압 옵션의 CORE 라이브러리로 제공되며 10개 중 4개에는 전력 관리 및 ECO 키트도 포함됩니다. 저전압 동작을 포함한 사용자 지정 PVT 코너는 요청 시 제공합니다.
라이브러리는 파운드리 인증을 받았나요?
예. 모든 메모리 인스턴스는 파운드리 인증과 특성화된 뷰를 갖추고 제공됩니다. 표준 셀 라이브러리는 TSMC, GlobalFoundries 및 UMC 공정에 대한 파운드리 인증 뷰를 포함합니다. 메모리 컴파일러는 실리콘에서 검증되었으며 여러 파운드리의 수천 가지 응용 실적을 보유합니다.
Silvaco는 라이브러리를 다른 노드로 포팅할 수 있나요?
많은 경우 가능합니다. Silvaco 라이브러리 팀은 Cello 플랫폼에서 표준 셀 라이브러리를 생성, 이전 및 최적화합니다. 메모리 컴파일러는 면적, 전력 및 속도 목표에 맞는 인스턴스를 생성합니다. 특정 포팅의 타당성은 대상 파운드리와 공정에 따라 달라집니다.
관련 정보
메모리 컴파일러
단일 및 듀얼 포트 SRAM, 레지스터 파일 및 ROM, 22~130 nm
표준 셀
전력 및 ECO 키트를 포함한 28~180 nm 로직 라이브러리
인터페이스 IP
LVDS를 포함한 범용 및 특수 I/O
저전력 파운데이션 IP
누설 절감 모드를 갖춘 전력 게이팅 셀 및 SRAM