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2021

Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.

6 years ago

How to Design Wide Band-Gap Power Devices using Silvaco TCAD Solution

ワイドバンドギャップ(WBG)やウルトラWBGパワーデバイスの設計についてご紹介します。設計チームがシルバコのTCAD 3Dシミュレーションをどのように活用しているかをご確認いただけます。

6 years ago

How To Remesh with Victory Mesh for an Optimized TCAD Device Simulation

本ウェビナーでは、Victory Meshの基礎知識、Victory Processから生成された構造体をRemeshする方法、そしてVictory Deviceで使用するための準備を学ぶことができます。

6 years ago

How to Design Ultra-low Power Embedded Memories with Silvaco Memory Compilers

このウェビナーでは、スタンダード・セルとIOを含むFoundation IPスイートの一つとして、以下、シルバコのエンベデッド・メモリ製品をご紹介します。

Learn How Silvaco’s SmartSpice is Getting Faster

参加者は、SmartSpiceがどのように高速化、省メモリ化、アナログ回路の高度なモデリングと解析を実現しているかをより深く理解することができます。

How to Quickly Achieve Accurate SPICE Models with Utmost IV

本ウェビナーでは、シルバコのUtmost IVとTechModeler、そしてモデリング・サービスの概要など様々なSPICEモデリング・ソリューションをご紹介します。

6 years ago

How to Simulate Semiconductor Materials Stress and Deformation with Silvaco Victory TCAD Solution

本ウェビナーでは、Victory TCADプロセス・シミュレータの機能や使い方、材料やシミュレーション・パラメータの設定方法、境界条件の設定方法、サポートされているソルバー、様々なタイプのシミュレーションの設定方法などを解説します。

6 years ago

Software Developer – Optical

Location: United Kingdom, Grenoble France, Vienna Austria, Germany Silvaco is looking for a software engineer to join our optical team in one of the company's offices in Europe. Working at

6 years ago

Etching & Deposition Software Engineer

Location: United Kingdom, Grenoble France, Vienna Austria, Germany, Boston, MA, Duluth, GA, and Santa Clara, CA. As a member of the TCAD group, you will design, implement, evaluate, and improve

6 years ago

COVID-19(新型コロナウイルス感染症)への感染防止対策継続のお知らせ

2021年1月5日 - 株式会社シルバコ・ジャパンでは、新型コロナウイルス感染症について昨年3月より在宅勤務をはじめ種々の感染防止策を実施してまいりましたが、2021年につきましても引き続き以下の対策を行ってまいります。

6 years ago

TCAD Investigation of Total Ionizing Dose (TID) Effects on Gallium Nitride HEMTs

Gallium Nitride (GaN) based devices such as the High Electron Mobility Transistors (HEMTs) find wide applications in RF and Power domain due to its excellent intrinsic properties. Accordingly, such devices