SURGE 2023 中国线上大会

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SURGE 2023 中国线上大会

2023年SURGE中国站线上大会

中国 · 2023 年 12 月 8 日，星期五 · 线上活动

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概览

2023 年 12 月 8 日

日期

中国

地区

线上

形式

20

三个分会场的会议

关于本次活动

Silvaco 于 12 月 8 日星期五在线举办了 SURGE China 2023。这是当年六场区域大会中的最后一场，六场大会共吸引了超过 1,000 名用户和潜在客户。

SURGE 为 Silvaco 用户提供定期交流 TCAD、EDA 和 IP 经验的平台。本届大会还涵盖先进半导体设计和显示面板。九场演讲由 Silvaco 主讲，其余 11 场来自企业和高校，包括 Micron、Tower Semiconductor、Kepler Computing、斯坦福大学和普渡大学。仅 STMicroelectronics 就派出了三位演讲嘉宾。

日期

  • 主会场 · 主会场
  • TCAD · TCAD 分会场
  • EDA 和 IP · EDA和IP分会场

议程

SURGE China 2023 的录像可从 Silvaco 支持网站下载为 MP4 文件。
Silvaco 要求您先登录，或使用企业、高校或政府机构的电子邮箱注册。

主会场

致欢迎辞

赵友来，中国区总经理，Silvaco

复旦大学硕士，在 EDA 软件和半导体 IP 核领域拥有超过 20 年经验。

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公司最新进展

Babak Taheri 博士，CEO及董事会成员，Silvaco

自 2019 年 8 月以来担任 Silvaco CEO 及董事会成员，仅在 2021 年秋季有过短暂间隔。他于 2018 年 10 月加入 Silvaco，最初担任 CTO 兼产品执行副总裁。此前，他曾担任咨询公司 Integrated Biosensing Technologies 的 CEO 兼总裁。他还曾为 MEMS World Summit、Novasentis 和加州大学戴维斯分校电气工程系提供咨询。拥有旧金山州立大学工程学学士、圣何塞州立大学电气工程硕士和加州大学戴维斯分校生物医学工程博士学位。

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机器学习：EDA的新革命

Patrick Groeneveld 博士，斯坦福大学

EDA 流程通过一长串算法，将电路的功能描述转换为掩模图形。其中一些是数值求解器，另一些是经过实践验证的启发式算法。几乎所有算法都包含仍需工程师手动调节的参数，例如用于权衡面积与速度的成本权重。机器学习正在改变这一点。通过多次运行流程并分析 PPA 数据中的梯度，工具可以快速确定适合您设计的参数。Groeneveld 博士近年来专注于机器学习驱动的 EDA 工具和布局布线策略。他将介绍该领域的现状及未来十年的发展前景。

斯坦福大学电气工程讲师、DAC 执行委员会财务主席。他曾任职于 Magma、Cadence、Synopsys 和 Cerebras，并在担任 Magma CTO 期间开发了该公司的 RTL-to-GDS2 综合产品。他还曾任埃因霍温大学电气工程正教授。拥有代尔夫特理工大学硕士和博士学位。

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半导体制造的“数字孪生”：用TCAD模型进行工艺仿真和优化

Raul Camposano 博士，CTO，Silvaco，IEEE Fellow

TCAD 已在新工艺开发中发挥关键作用，可仿真每个制造步骤及器件的电学行为。如今，模型的精度已足以充当制造流程本身的数字孪生。这使您能够以虚拟方式开发技术，减少实物实验，并缩短量产周期。在运行中的晶圆厂，同一数字孪生可用于调优工艺、监测漂移和标记故障。Camposano 博士将阐述这一概念，并介绍可作为数字孪生的 TCAD 实例。

自 2022 年 2 月起担任 Silvaco CTO。自 2015 年起担任 Silicon Catalyst 孵化器合伙人，自 2018 年起在斯坦福大学讲授 EDA 和机器学习硬件课程。他曾为 Applied Materials 提供咨询，并担任 Sage Design Automation CEO，直至该公司于 2020 年被 Applied Materials 收购。2010 年至 2014 年，他在 Synopsys 担任 CTO、高级副总裁和总经理。此前，他曾任帕德博恩大学计算机科学教授及 IBM T.J. Watson Research Center 研究员。自 1999 年起为 IEEE Fellow。拥有智利大学电气工程学士和硕士学位，以及卡尔斯鲁厄大学计算机科学博士学位。

产品：TCAD

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TCAD 分会场

Silvaco TCAD仿真最新进展

Eric Guichard 博士，公司副总裁及TCAD事业部总经理，Silvaco

Guichard 博士首先介绍 Victory TCAD 的最新版本，随后说明未来器件为何将更加依赖 TCAD，最后介绍工具本身的后续规划。

负责 Silvaco TCAD 从研发到现场部署的各个环节。他于 1995 年加入 Silvaco，曾领导 Silvaco 法国业务及全球 TCAD 现场业务。此前，他曾在 LETI 及 Thomson 军事与航空航天业务部门担任高级 SOI 工程师，专注于晶体管与电路老化。他的两个学位均由 Grenoble INP 授予：材料科学硕士和半导体物理博士。

产品：TCAD

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表面缺陷点对短路现象的影响

Salvatore Cascino，SiC研发工程师，STMicroelectronics

一些应用对开关过载规定了鲁棒性指标，其中包括短路和 UIS 测试。混合模式电路仿真能够重现这些事件。根据测量结果校准参数后，可预测瞬态过程中器件的电热行为。ST 的案例研究使用 Silvaco TCAD 分析有源区内的表面缺陷如何改变短路行为，以及缺陷位置的影响程度。

毕业于巴勒莫大学物理专业。他曾在 ENEA Frascati 参与 FTU 项目，并在帕多瓦参与 RFX 核聚变研究。目前在卡塔尼亚的 STMicroelectronics 研发部门从事 SiC 器件技术开发。此前的工作涵盖传感应用和 RF 器件。

产品：TCAD

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GaN功率应用市场和器件技术

邱绍谚 博士，氮化镓电力电子部研发总监，华灿光电

GaN 正在进入此前由 SiC MOSFET 和硅 IGBT 占据的功率应用领域。本演讲首先分析该市场并评估新兴的第四代材料，随后转向器件物理。Silvaco TCAD 结果表明，材料缺陷会改变漏电流和击穿电压，而缺陷复合会降低开关速度并削弱稳定性。目前商用 GaN 功率器件采用横向外延结构，本演讲利用 TCAD 研究其中的电流崩塌问题。最后介绍垂直 GaN 的优势及发展方向。

在学术研究、半导体制造及设计公司拥有超过 15 年经验。他于 2009 年毕业于台湾海洋大学电机工程研究所，此后从事第三代半导体外延与工艺，以及横向和垂直 GaN 功率器件结构研究。他已发表超过 50 篇化合物半导体论文。曾任台湾清华大学博士后研究员，并入选浙江省千人计划。

产品：TCAD

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常关型p-GaN HEMTs中，Mg激活对截止电压的影响的研究

Giovanni Giorgino，ADG GaN功率和分立器件研发工程师，STMicroelectronics

镁掺杂及其电激活程度如何决定 p-GaN/AlGaN/GaN HEMT 的关断状态。首先使用 TCAD，通过能带图比较 Mg 掺杂分布，再通过电容－电压测量确定 p-GaN 中的净受主浓度。比较范围从未掺杂的 GaN 栅极，到通过参考退火工艺激活的 p-GaN 栅极。随后介绍激活效果改进的器件，其多项导通态和关断态参数均有所提升。对于常关型 GaN HEMT，激活步骤对整体性能有着重要影响。

2020 年获得都灵理工大学电子工程硕士学位。此后一直在 STMicroelectronics 研发部门担任 GaN 器件工程师，从事功率应用的 p-GaN 栅器件开发、表征和建模。具有半导体物理、模拟电路和电力电子背景。

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Silvaco TCAD仿真在先进逻辑与存储器件的应用实践

李茂，先进CMOS TCAD总监，Silvaco中国

自 1947 年点接触晶体管问世以来，每一次尺寸缩小都改变了关键器件参数及其影响程度。TCAD 工艺与器件仿真在设计、分析和工艺开发过程中持续考虑这些变化。本演讲回顾近年来 Silvaco TCAD 为先进逻辑与存储器增加的功能，并提供逻辑 CMOS、DRAM 和 3D NAND 的应用实例。

获得 KU Leuven 硕士学位，期间在 imec 担任研究助理，参与早期二维材料研究，制造并表征 MoS2 晶体管。自 2017 年起，他先后在 SMIC 研发部门和 HiSilicon 从事 TCAD 工艺与器件仿真，主要研究先进逻辑器件和 DTCO。在 Silvaco，他领导面向晶圆代工业务的应用工程团队。

产品：TCAD

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用于存储技术开发和制造的先进建模解决方案

Sumeet Pandey，高级技术经理，Micron

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超越CMOS的存储器设计

Debo Olaosebikan，联合创始人及CEO，Kepler Computing

量子输运建模已有三十年的研究历史。在 20 世纪 80 和 90 年代，测试器件是二维电子气和室温共振隧穿二极管。如今，人们已充分理解这些早期器件，包括其关键尺寸如何影响纳米晶体管。要将器件缩小至最后几纳米，需要能够进行定量预测的模型。Klimeck 教授将解释为何业界选择原子级紧束缚方法与非平衡格林函数（NEGF），以及由 Silvaco 商业化并被 Intel 采用的 NEMO5。通过 nanoHUB 和 chipshub，NEMO 的各个版本以易于运行的应用形式供学生和研究人员使用。

普渡大学电气与计算机工程教授，同时担任该校副 CIO、负责学术 IT 的副校长，并领导计算纳米技术网络及预测性材料与器件中心。他参与创建的 nanoHUB.org 每年服务超过 200 万用户。他是 IOP、APS、IEEE、AAAS 和洪堡基金会 Fellow，发表了超过 525 篇论文。他是单原子晶体管的共同发明人，其团队开发的 NEMO5 自 2015 年以来被 Intel 用于纳米晶体管设计。nanoHUB 团队因开放仿真与数据访问而获得 R&D 100 奖。

产品：TCAD

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25年来量子输运工具的开发成果及在全球产生的影响

Gerhard Klimeck 教授，nanoHUB主任，普渡大学，IOP/APS/IEEE Fellow

量子输运建模已有三十年的研究历史。在 20 世纪 80 和 90 年代，测试器件是二维电子气和室温共振隧穿二极管。如今，人们已充分理解这些早期器件，包括其关键尺寸如何影响纳米晶体管。要将器件缩小至最后几纳米，需要能够进行定量预测的模型。Klimeck 教授将解释为何业界选择原子级紧束缚方法与非平衡格林函数（NEGF），以及由 Silvaco 商业化并被 Intel 采用的 NEMO5。通过 nanoHUB 和 chipshub，NEMO 的各个版本以易于运行的应用形式供学生和研究人员使用。

普渡大学电气与计算机工程教授，同时担任该校副 CIO、负责学术 IT 的副校长，并领导计算纳米技术网络及预测性材料与器件中心。他参与创建的 nanoHUB.org 每年服务超过 200 万用户。他是 IOP、APS、IEEE、AAAS 和洪堡基金会 Fellow，发表了超过 525 篇论文。他是单原子晶体管的共同发明人，其团队开发的 NEMO5 自 2015 年以来被 Intel 用于纳米晶体管设计。nanoHUB 团队因开放仿真与数据访问而获得 R&D 100 奖。

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EDA和IP分会场

Silvaco EDA与IP最新进展

Dan Fitzpatrick，公司副总裁及EDA事业部总经理，Silvaco

Dan Fitzpatrick 将介绍模拟定制设计工具和 Silvaco IP 两条产品线的最新进展，包括各自新增的功能和未来发展方向。

负责 Silvaco 全部 EDA 工具的开发，包括模拟定制设计与验证、电路仿真与 SPICE 建模、标准单元版图生成与表征，以及 IP 管理。他于 2021 年加入公司，领导 IP 管理和标准单元产品线。此前，他在从初创企业到财富 500 强公司的多家企业从事了多年 EDA 软件开发和产品管理工作。他拥有佛罗里达大学电气工程硕士学位和中佛罗里达大学 MBA 学位。

产品：模拟与定制 IC、设计 IP

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Silvaco 半导体仿真平台助力功率器件开发与仿真

常志强，TCAD技术总监，Silvaco中国

宽禁带功率器件正应用于越来越多的产品，开发团队希望以更快的方式完成设计。本会议介绍用于功率器件开发的 Silvaco 工具链，从版图与物理验证、工艺与器件仿真，到 SPICE 模型提取与电路仿真，并展示各步骤的作用。

长期负责 Silvaco TCAD 在中国的技术推广与客户支持，帮助客户建立用于工艺与器件开发的自主 TCAD 仿真能力。拥有南京大学学士学位和复旦大学硕士学位。

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Tower携手Silvaco：设计工具包和标准单元库的开发与验证

Ofer Tamir，CAD、设计实现与支持总监，Tower Semiconductor

Tower 各工艺节点的标准单元库主要来自 Silvaco。最新一套面向 Tower 的 65nm 电源管理工艺，增加了先进表征和 MTBF 计算。作为模拟晶圆代工厂，Tower 还使用 Silvaco 的模拟设计流程支持并验证其 iPDK 和 SPICE 模型。Expert、Gateway、SmartLVS 和 SmartDRC 均参与该流程。

他于 2001 年加入 Tower，担任设计支持与 CAD 总监，负责全部设计套件开发及全球 CAD 和设计支持。在 National Semiconductor（现为 TI）、DSPG 和 Tower 拥有超过 30 年 EDA 与 CAD 经验。他还负责 Tower 与 EDA 行业的合作关系，并在 DAC 和技术论坛发表演讲。

产品：Expert, Gateway, SmartDRC/LVS, Standard Cell

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用于高效计算的高速、可靠、低电压SRAM

Sinan Doluca，技术副总裁，Aril

从电池供电设备到云端 AI/ML 加速器，能效都是约束因素。逻辑电路与 SRAM 使用同一电源，并采用动态电压与频率调节，可充分发挥两者的性能，直至 SRAM 宏单元达到电压、速度和可靠性极限。本演讲介绍的 SRAM 技术基于优化的 CMOS，目标是在 0.45 V 至 0.8 V 及更高电压下实现高速、可靠运行。结合高效微架构与经过调优的物理设计，可提高计算、图形和 AI/ML 引擎的每瓦性能。

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利用Silvaco ACD平台进行超低温应用的高性能I/O设计

Ahmad S. Mazumder和Shaikh A Shams，Silvaco

Silvaco 的模拟与接口 IP 团队设计并交付了一款功能完整、可在 4 K（−269°C）下运行的 2 Gbps LVDS I/O。器件在该温度下的行为不同于标准的 −55°C 至 125°C 温度范围，因此建模团队首先建立了适用于该温度的模型文件。随后，IP 团队使用 Silvaco EDA 工具完成 PHY 的设计、版图及各类视图。该 PHY 由发射器、接收器及辅助模块组成，向 100 Ω 负载输出 3.5 mA 驱动电流，并在接收器 PAD+ 与 PAD− 之间提供 100 Ω 终端电阻，两者均不受 PVT 影响。可编程晶体管用于微调，以满足板级、信号完整性和电源完整性要求。

Ahmad S. Mazumder。自 2019 年加入 Silvaco 以来，领导模拟与接口 IP 的工程工作，涵盖开发和客户支持。此前，他在 C-Cube Microsystems、Broadcom、Intel 等 SoC 公司工作了 28 年，涉及 DDR、高速 SerDes、接口、ESD，以及质量与可靠性。拥有纽约市立大学 VLSI 半导体设计硕士学位，以及孟加拉国工程技术大学电气与电子工程学士学位。

Shaikh A Shams。自 2020 年起在 Silvaco 担任高级工程师，从事模拟与接口 IP 设计。此前，他在 Dialog Semiconductor、GlobalFoundries 和 Intel 工作了 22 年，涉及高速 SerDes、接口、电压调节器，以及 AMS 设计与验证。他拥有亚利桑那大学电气与计算机工程硕士学位。

产品：模拟与定制 IC、LVDS

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Viso：先进的寄生参数分析解决方案

Ayoub Hagrou，模拟设计工程师，STMicroelectronics

在同一个界面中准确比较提取后的网表，找出影响某条网络的寄生参数，并估算其时序。这正是 Viso 的作用，它针对经常决定电路行为的 RC 网络开展分析。STMicroelectronics 的 Ayoub Hagrou 将其用于实际电路设计。

STMicroelectronics MDG 部门的模拟设计工程师，负责 STM32 通用微控制器。

产品：Viso

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显示DTCO——从TCAD到系统仿真

郭小军 教授，上海交通大学

AMOLED 的轻薄特性使其在手机和可穿戴设备中广泛应用。但随着 OLED 效率和像素分辨率提高，像素峰值电流下降，TFT 在低灰阶下工作的时间增加，使精细控制和均匀性更难实现。图像质量对器件本身以及外部因素变得敏感，包括环境光和衬底或界面中的陷阱电荷。本演讲介绍一种将 TCAD 与系统仿真相结合的显示 DTCO 方法，追踪材料与器件特性如何影响图像，并检查外部因素的作用。该方法还可用于测试驱动方案和图像处理对非理想显示行为的适应性。

上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘教授、副院长。他于 2009 年加入上海交通大学，此前在 Plastic Logic（现为 FlexEnable）从事柔性显示研发。研究涵盖晶体管、显示器与传感器、混合器件－电路设计、异构集成和新型制造方法，以第一作者或通信作者发表了超过 100 篇论文。他担任 IEEE EDS 理事会成员、IEEE TED 和 J-EDS 编委，以及 SID-China 副秘书长。所获荣誉包括 2018 年和 2020 年 SID 主席嘉奖及 IEEE EDS 杰出讲师聘任。2002 年获得吉林大学学士学位，2007 年获得萨里大学电子工程博士学位。

 
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显示技术的4端TFT紧凑型模型及动态仿真方法

Won-Seok Lee，高级应用工程师，Silvaco韩国

Silvaco 韩国高级应用工程师，在建模与器件仿真领域拥有超过 25 年经验。他支持 CMOS、显示器和功率/RF 器件领域的 EDA 客户，并开发了用于 AMOLED 电路仿真的高精度动态迟滞模型。

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SURGE China 2023 涵盖的内容

产品系列

TCAD

Victory TCAD 最新进展、晶圆厂数字孪生，以及 ST、Kepler Computing 和华灿光电的器件研究

解决方案

功率器件

SiC 短路鲁棒性、p-GaN HEMT 阈值电压，以及 GaN 功率器件的发展方向

解决方案

逻辑与存储器

逻辑 CMOS、DRAM 和 3D NAND 仿真、Micron 的存储器建模，以及超越 CMOS 的存储器

解决方案

显示

从 TCAD 到系统级的显示 DTCO，以及四端 TFT 紧凑模型

产品系列

模拟与定制 IC

Viso 寄生参数分析、Tower 的设计套件，以及 4 K LVDS I/O

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活动

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网络研讨会

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