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低功耗基础 IP:面向高能效设计的标准单元和存储器

面向开发电池供电和常开芯片的 ASIC 与 SoC 团队的低功耗基础 IP:低功耗标准单元库、电源管理和 ECO 套件,以及低漏电 SRAM,均按您的功耗预算优化。

可按目标调节的
低功耗标准单元和 SRAM

可穿戴设备与加速器的功耗预算不同,因此单一设置无法同时适用。结合设计所需的
单元和存储器技术,可叠加节能效果。

阈值、阱和单元选择

约 650 个常规标准单元,加上超过 150 个面向低功耗或高速设计的单元。大多数提供五种阈值电压,以及双阱或三阱版本。精细的驱动强度分级和多位、多高度单元,使综合工具能够选择适当尺寸的单元,避免过度设计。每个单元除了功耗之外,还针对可布线性和良率进行了优化。

电源门控、电压域和后期修正

电源管理套件用于电源门控和多电压设计,配备支持多个电压域的电平转换器。ECO 套件采用固定的前道工艺层图形,使后期版图修改所需的掩模变更尽可能少。请勿将其与包含 LDO 稳压器和带隙基准的电源管理 IP 混淆。

分段断电的存储器

SRAM 内嵌电源开关,并可选配保持开关,因此无需在 SoC 中另行设计。分段电源控制可独立关闭阵列的部分区域,转换斜坡控制器则在这些区域重新上电时降低浪涌电流。

低电压运行

读写辅助电路使 SRAM 在电源电压下降时仍能工作。其外围电路混合采用多种阈值电压以达到 PPA 目标,单电源选项则简化集成。需要低电压角?单元和存储器均可针对该条件进行特性表征。

SRAM 的休眠模式

小睡、保持、小睡 + 保持和关断模式依次降低漏电,每种模式均以更慢的唤醒速度换取节能。关断模式漏电最低,但不保留数据。55 nm、40 nm 及以下节点提供小睡和保持模式。

以功耗为限制条件的设计

电池供电和能量采集设计

漏电决定电池续航时间,或采集的能量是否足以支撑负载。

IoT 和可穿戴设备

预期使用一块电池运行三至五年、且大部分时间处于休眠状态的设备。

常开子系统

当电源门控关闭芯片其余部分时,仍保持运行的逻辑和存储器。

具有多个电压域的设计

每个模块以所需电压运行,边界处使用电平转换器,并为各模块实施电源门控。

公开漏电数据和指定工艺

Silvaco 的低功耗 IP 已投入批量生产,并已在多家客户的设计中完成流片。

0.28×

4Kx32 SRAM 实例在小睡 + 保持模式下相对于待机的漏电

650 + 150

常规单元,以及面向低功耗或高速的单元

5 种 Vt

大多数单元提供双阱或三阱选项

1.2 V · 0.9 V

由电平转换器连接的电压域

高 sigma

在 VarMan XMA 中运行面向良率的变异分析

各电源模式下的 SRAM 漏电
模式 相对于待机的漏电 唤醒
待机 1× 最快
小睡 0.65× 约一个时钟周期
保持 0.54× 较慢,需要外围电路重新上电
小睡 + 保持 0.28× 较慢,需要外围电路重新上电
关断 最低,且数据丢失 最慢

4Kx32 实例的数据:典型工艺角,1.2 V,25 °C。

目录中的四个库将核心库、电源管理套件和 ECO 套件一并交付。

料号 晶圆代工厂 工艺 电压 (V) 轨道高度 库
70350 GlobalFoundries 28 nm SLP 0.9 8T CORE, PMK, ECO
70353 GlobalFoundries 55 nm LPx 0.9 7T CORE, PMK, ECO
70357 TSMC 110 nm LP 1.2 7T CORE, PMK, ECO
70360 TSMC 180 nm LP 1.8 7T CORE, PMK, ECO

PMK:电源管理套件。正在使用其他工艺?IP 专家可告知哪些产品已在该工艺上完成特性表征。

产品简介 · PDF

2026 年夏季

IP 产品选型指南

两页介绍单元、SRAM、漏电图表和四种单元级电源策略。

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2026 年夏季

使用 Silvaco 的 55LPx 基础 IP 解决方案实现极低功耗 IoT 设计

介绍 Silvaco 的低功耗单元和存储器编译器如何在库 70353 所采用的 GlobalFoundries 55LPx 工艺上延长电池续航时间。

网络研讨会

2026 年夏季

如何使用 Silvaco 存储器编译器设计超低功耗嵌入式存储器

与 IP 专家核对您的节点和功耗目标

与 IP 专家核对您的节点和功耗
目标

未达到功耗目标的问题会在硅片阶段暴露,而重新流片的成本远高于
现在进行一次沟通。向 IP 专家说明您的晶圆代工厂、节点和功耗预算。您将了解
哪些产品已在该工艺上完成特性表征,以及授权方式。还提供为期 30 天的评估,配备
前端和 LEF 套件,使您的团队能够先针对自身设计
运行 PPA 分析。

低功耗基础 IP 常见问题

哪些因素使 IP 库具备低功耗特性?

通过叠加多种技术实现。单元提供多种阈值电压和阱选项,长沟道单元降低静态功耗,精细的驱动强度分级可避免综合时选择过大单元。电源门控关闭空闲模块,电平转换器连接不同电压域,SRAM 则增加小睡和保持模式以降低漏电。

电源管理套件可扩展库的能力,支持关闭模块或采用多个电源的设计。它增加了电源门控单元,以及连接 1.2 V 和 0.9 V 电压域的电平转换器。四个 Silvaco 库提供该套件:GlobalFoundries 28 nm 和 55 nm,以及 TSMC 110 nm 和 180 nm。稳压器属于独立的电源管理 IP 系列。

用于项目后期、基础层已经冻结时。ECO 套件中的每个单元共享固定的前道工艺图形,使后期工程变更所需的掩模修改尽可能少。所有四个配备电源管理套件的 Silvaco 库均包含 ECO 套件。

它们是在电源电压下降时,使 SRAM 位单元仍能可靠读写的电路技术。这很重要,因为降低电压是主要的节能来源。Silvaco 的低功耗 SRAM 同时包含读写辅助功能,其多阈值外围电路按您的功耗、性能和面积目标优化。

低功耗基础 IP 是从这两类目录中精选的功耗优先产品组合。它涵盖配备电源管理套件和 ECO 套件的库,以及具有低漏电模式的 SRAM。若要按晶圆代工厂、节点或阈值电压选择库,请使用标准单元选型器。若要选择 SRAM、寄存器文件和 ROM 编译器,请使用存储器编译器选型器。

可以。标准单元和 SRAM 均可提供定制特性表征角,包括低电压工作条件,也可按需提供定制 PVT 特性表征。在获取授权前,您还可以在 30 天评估期间使用自己的设计测试某个角。

标准单元

CORE、电源管理套件和 ECO 库,附带库选型器

存储器编译器

SRAM、寄存器文件和 ROM 编译器,附带编译器选型器

基础 IP

标准单元、存储器编译器和接口 IP

设计 IP

Silvaco 的全部 IP 系列,从 MIPI 接口到嵌入式处理器