AI-Driven Manufacturing covers the process and device physics. AI-Driven Design covers the EDA tools, IP, verification and enablement.
Multiphysics from simulation to the fab floor
EDA tools, licensed IP, verification and enablement
Your market sets the physics problem
Find the technique for your problem
Process and device physics, from simulation to the fab floor
每个 Silvaco 标准单元库均针对一种指定晶圆代工工艺完成特性表征。随后仍可进行调节,让您的 SoC 团队自行确定功耗、速度和面积之间的折衷,而非沿用我们的选择。
选择适合设计的套件、阈值和单元高度,再调整仍不符合需求的部分。
CORE 库用于逻辑,电源管理套件(PMK)用于电源门控和多电压设计,ECO 套件采用固定前道图形,使后期版图修改所需的掩模变更数量最少。可配置架构使各库适配其工艺。请勿与包含 LDO 稳压器和带隙基准的电源管理 IP 混淆。
每个库最多提供四种阈值,包括 RVT、LVT、HVT 和 ELVT。在关键路径上使用低 Vt 单元,在漏电代价高于速度代价的其他位置使用高 Vt 单元。
根据库的不同,可提供 7T、8T、10T 或 12T。较矮的单元可在每平方毫米内容纳更多逻辑;较高的单元则为更大的晶体管和更强的驱动能力留出空间。
提供面向 TSMC、GlobalFoundries 和 UMC 的 28 至 180 nm 工艺的库,各库均配备通过晶圆代工厂认证的视图。涵盖低功耗、嵌入式闪存和 Bi-CMOS 工艺。正在采用其他工艺?请咨询您的工艺。
这些库旨在保持良率的同时提高频率并降低漏电。高密度版图可增加每片晶圆上的总芯片数。互连也随之缩短,从而降低单位功能成本并提高能效。
十个库,每个均针对单一晶圆代工工艺完成特性表征。
晶体管 Vt:RVT(常规)、LVT(低)、HVT(高)、UHVT(超高)、ULVT(超低)、ELVT(极低)。
GF 表示 GlobalFoundries。CORE 为基础库,PMK 为电源管理套件,ECO 为 ECO 套件。需要其他PVT 角?可按需提供定制特性表征。
编译生成的存储器在成熟节点和先进节点上的应用。
先自行核对库与您的工艺和设计流程是否匹配,再与我们沟通。
具有公开料号的库,70350 至 70361
TSMC、GlobalFoundries 和 UMC
从 GlobalFoundries 28SLP 到 TSMC 180LP 和 GlobalFoundries 180 Bi-CMOS
每个库的单元及单元变体,驱动强度精细分级
供设计流程读取的视图,交付时已通过 DRC/LVS 检查
在一张表中列出全部标准单元库:晶圆代工厂、节点、轨道高度、套件、Vt、栅长和料号。
在一页中逐项介绍低功耗库、配套 PMK 和 ECO 套件,以及低功耗 SRAM。
GlobalFoundries 55LPx 工艺上的低功耗基础 IP,该工艺用于库 70353 和 70354。面向需要一块电池续航三至五年的 IoT 器件。
此次收购将 Dolphin Design 的标准单元库和存储器编译器一同引入 Silvaco。
请说明晶圆代工厂、节点和设计必须达到的目标。IP 专家将告知您哪款库符合需求,以及调整接近需求的库需要哪些工作。您还将了解授权和评估方式。
标准单元库是一组预设计逻辑单元,从简单逻辑门到触发器和多路复用器,综合和布局布线工具使用这些单元构建数字模块。每个单元均针对一种工艺完成时序和功耗特性表征。Silvaco 提供 CORE 库,可选配电源管理和 ECO 套件,并以 Liberty、LEF 和 GDSII 视图交付。
Vt 是晶体管开启时的阈值电压。低 Vt 单元开关速度更快,但漏电更多;高 Vt 单元漏电更少,但开关速度较慢。混合使用两者,可仅在需要速度的路径上付出漏电代价。Silvaco 库根据工艺不同,最多提供四种 Vt 类型。
轨道高度是以布线轨道数计量的单元高度,即可容纳的金属布线间距数量。轨道较少可提高逻辑密度;轨道较多则为更大的晶体管和更强的驱动能力留出空间。Silvaco 的库提供 7T、8T、10T 和 12T,具体取决于库。
ECO 套件包含采用固定前道工艺图形布局的单元。版图完成后发现的缺陷,可通过重新连接这些单元修复。只需修改少量掩模,而非整套掩模。目录中的十个 Silvaco 库有四个包含该套件。
十个库覆盖 GlobalFoundries 28SLP、55LPx(0.9 V 和 3.3 V)、130LP 和 180 Bi-CMOS;TSMC 40LP、65LP、110LP 和 180LP;以及 UMC 55LPeFLASH。节点范围为 28 至 180 nm。若您的工艺不在其中,IP 专家可判断定制特性表征是否合适。
可以,有两种方式。Silvaco 可按需配置架构并增加定制 PVT 角,包括低电压工作条件。您的团队也可直接进行调节。CellForge 2D 可调整整个库的晶体管尺寸、行高度和 DFM 规则。随后,LibertyForge LC 重新进行特性表征,生成 Liberty 时序和功耗模型。
具有保持和关断模式的低功耗单元与 SRAM
SRAM、寄存器文件和 ROM 编译器
用于 SoC 边界的接口和 I/O IP
标准单元、存储器编译器和接口 IP
涵盖接口、基础和汽车 IP 的产品组合