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2024年7月25日 FTCO基于实际生产工艺中的物理和化学机制，利用人工智能（AI）和机器学习（ML）生成精确的TCAD数字模型（数字孪生）。对于这种数字孪生模型，可以采用DoE方法进行测试和分析，而无需真实流片，从而大大节省了制造相关的时间和费用。
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2024年3月28日 在打开和关闭SiC器件时，器件容易出现异常过载，因此在一些应用中对器件“鲁棒性”有要求，例如需进行短路测试和UIS测试。在本次研讨会中，来自意法半导体的研发人员将为大家介绍如何使用Silvaco TCAD软件对SiC器件短路现象进行研究。
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2024年2月29号 我们将举例说明Silvaco仿真工具如何帮助研究人员设计、预测和分析垂直和横向GaN功率器件的电特性。
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2024年2月8号 我们将为您介绍不同制造工艺的功率器件，包括Si、GaN和SiC器件，分析它们的特点和优势，并分享其SPICE建模的各种方法和挑战。
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May 18, 2023 In this webinar, we present geometric etch models in the context of FinFET and memory applications. We demonstrate techniques to realize fin shaping, non-ideal etch profiles (bowing,
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February 23, 2023 In this webinar, Sungwon Kong will discuss these technologies and how TCAD can be broadly applied to multiple detector topology and material sets, thereby enabling multiple end-user
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September 22, 2022 In this webinar we will introduce Victory Visual, a new graphical post-processing tool for use with all Silvaco TCAD simulators and an integral part of
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September 8, 2022 In this webinar, we present how ultra-scaled Field-Effect Transistor (FET) technology requires simulations at the atomic scale for designing the most advanced technological architectures at 5 nm