首页 > 解决方案 > AI 与高性能计算

AI 芯片设计与高性能计算:面向计算芯片的器件和晶圆厂解决方案

AI 芯片设计需要最新晶体管,以及能承受自身功耗与热量的裸片:使用 Silvaco 工具,您可开发 FinFET 或全环绕栅器件,查明裸片电压跌落或过热的位置,并优化其背后的晶圆厂工艺。

AI 和 HPC 芯片的难点

AI 加速器和数据中心芯片汇集了半导体开发中最困难的问题。先进 CMOS 晶体管、堆叠在逻辑旁的高带宽存储器、Chiplet,以及将它们连接起来的先进封装,都必须先独立工作,再作为一款产品协同工作。

功耗和热决定该产品能否实现。大型计算裸片从供电网络汲取大电流,使硅材料发热,而热量又改变晶体管和连线的行为。设计可能在仿真中表现正常,实际却出现电压跌落或过热。若流片后才发现,就需要付出再次流片的代价。

Silvaco 的应用位置

您从单个器件的物理机制入手,最终得到经过验证的图像传感器版图。光子
组件则在旁侧进行独立的电磁仿真。

您的节点和裸片

工艺、晶体管和版图

01

构建 FinFET 和全环绕栅结构

02

仿真先进 CMOS 器件

联合求解 IR 压降和温度

配套

HBM、DRAM、3D NAND 和闪存器件开发

衔接

当晶圆厂良率成为约束时

技术与器件

晶体管、旁侧存储器、裸片上的功耗与热,以及制造它们的晶圆厂。

先进逻辑

在 Victory TCAD 中开发平面 CMOS、FinFET 和全环绕栅晶体管;其 2024 年版本扩展至先进 CMOS。

同时提供数字孪生建模,以及面向全环绕栅器件的原子级量子输运方法。

高带宽存储器

在 Silvaco 的存储器支持范围中,HBM 与 3D NAND、DRAM、闪存和 RRAM 并列。

您可使用与逻辑器件相同的 Victory TCAD 工具对存储器器件建模

功耗与热

InVar 的热引擎将温度反馈到 IR 压降结果中,覆盖单个单元到全芯片。

层次化模块模型可快速分析大型设计,同时保持平坦化运行的精度。无需预先进行特性表征。

晶圆厂级良率

FTCO 基于 TCAD 物理和晶圆厂数据训练 AI/ML 模型,直到模型表现如同您的工艺,成为可开展实验的数字孪生。

您可将其用于虚拟实验、设计目标设定和良率分析。Micron 已将其用于存储器开发。

应用

从晶体管到签核,再到晶圆厂。

先进逻辑器件开发

在工艺尚可调整时,通过仿真比较 FinFET 和全环绕栅晶体管。

HBM 和存储器接口开发

针对 HBM 在处理器旁堆叠的 DRAM 进行器件开发。

全芯片 IR 压降和热签核

从每个模块到组装完成的芯片,分析供电压降和温度。

面向计算芯片的晶圆厂技术协同优化

当良率至关重要时,根据晶圆厂数据进行工艺校准和优化。

计算芯片成果与参考资料

FinFET 流程中的版图后运行时间、全环绕栅器件仿真、电源完整性,以及
存储器制造商的数字孪生。

客户

2022 年 2 月

eTopus

开发用于数据中心和高性能计算芯片的超高速混合信号 IP,其 FinFET 流程中的完整版图后仿真曾需数周。

“…我们一个模块的完整仿真需要运行 20 多天。使用 Jivaro Pro 后,运行时间缩短至 6 天…”

Harry Chan,eTopus 创始人兼 CEO

新闻稿

2022 年 2 月

Silvaco 将 Victory TCAD 和数字孪生建模平台扩展至平面 CMOS、FinFET 和先进 CMOS 技术

2024 TCAD 基线版本增加了全环绕栅支持、数字孪生建模和原子级仿真,目标市场包括 AI 和高性能计算。

网络研讨会 · FTCO

2022 年 2 月

了解 Micron 如何利用 Silvaco 的晶圆厂技术协同优化进行存储器技术开发和制造

Micron 的 Sumeet Pandey 介绍如何为 DRAM 和 3D NAND 构建晶圆厂数字孪生。应力建模、灵敏度分析和虚拟工艺模型均为其提供支持。

报告 · SURGE 2026

2022 年 2 月

使用 Silvaco Victory 工具进行先进逻辑 FinFET/纳米片仿真

Zhejiang University 的 Zhenhua Wu 教授展示使用 Victory 工具对 3 nm 以下节点进行 FinFET 和全环绕栅纳米片仿真。

网络研讨会 · 先进 CMOS

2022 年 2 月

利用 Silvaco TCAD 进行 3D 硅仿真

在 Victory Process 中执行 3D CMOS 和存储器工艺步骤,在 Victory Device 中进行 FinFET 特性表征,再使用 Victory DoE 和 Victory Analytics 改进结果。

产品简介 · PDF

2022 年 2 月

InVar 功耗 - EM/IR - 热

对数字、模拟和混合信号 IC 进行早期及最终电源完整性签核。每个器件和每条连线均有各自的温度。n space.

更多计算芯片资料

网络研讨会 · 2017

在设计周期早期率先开展可靠性分析

网络研讨会 · 2016

面向版图工程师的供电网络分析

IP 简介 · TSMC N3P

超高速缓存编译器,2 端口寄存器文件

网络研讨会 · 2020

为您的下一款 SOC 选择合适的 DDR 存储器子系统!

您的裸片哪里过热?

也许更棘手的问题是尚无法完成特性表征的全环绕栅晶体管。无论
哪种情况,应用工程师都会与您一起,基于您的结构
或设计进行分析。

AI 芯片设计与 HPC 芯片问题解答

AI 和 HPC 芯片有哪些特有的半导体挑战?

同一封装中汇集三部分:FinFET 或全环绕栅晶体管、高带宽存储器,以及连接它们的先进封装。裸片汲取的电流很大,其自身发热开始改变器件和连线的行为。在 AI 芯片设计中,供电和温度往往决定设计能否制造并仍满足目标。

它采用四类方法:神经网络(监督式、前馈、非线性激活)、高斯过程回归、决策树与决策森林,以及经典多变量统计。灵敏度分析采用 Sobol 指数或决策森林。优化器包括 Levenberg-Marquardt 和 Hooke-Jeeves 等局部方法,以及遗传算法和差分进化等全局方法。

运行它及执行工厂级工作均不需要。Victory Analytics 可独立分析生产和实测数据,无需仿真步骤。加入 TCAD 仿真输出后,模型便可同时从物理和晶圆厂数据中学习。

可以。其工厂级应用——故障检测与分类及统计过程控制——直接处理生产数据。在 FTCO 中,Victory Analytics 结合仿真和晶圆厂数据训练,使生成的数字孪生同时反映物理机制和产线实际产出。

这是一种同时优化多个输出的方法。每个输出根据其接近理想值的程度获得评分,再将这些评分合成为一个综合满意度指数。这样,优化器只需提升单一数值,无需由您手动对各种权衡进行排序。

可以,通过其 Python 接口实现,该接口覆盖从加载数据、训练、评分到优化的完整流程。脚本化在 FTCO 工作中十分有用。您可以训练模型、运行下一组实验,再次训练,直到模型能够作为数字孪生使用。

FTCO

晶圆厂技术协同优化,将 AI/ML 与 TCAD 物理校准至您的晶圆厂。

TCAD

Victory Process 和 Victory Device,并提供用于全环绕栅工作的原子级仿真。

InVar

在布局规划早期及最终阶段进行电源完整性和热签核。

先进封装

逻辑、存储器和封装的交汇处。

逻辑与存储

先进 CMOS 与存储器,包括高带宽存储器。