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Victory Mesh versions 1.7.2.C and later include two new commands that can be used for complex shape genera-tion. The path and follow commands can be used together to generate surface
6 years ago
We detect a local maximum in the design space of a pseudomorphic-channel high electron mobility transistor (PHEMT). The design has an OIP3 linearity figure-of-merit that is 10-15 dBm above the
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2021-01-21
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2021년 1월 29일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) Rafael Microelectronics에서 실바코의 AMBA 서브시스템을 어떻게 최신 IOT 설계에 적용했는지 살펴봅니다. Rafael Microelectronics는 고주파 광대역 RF IC 설계와 협대역 IOT IP 및 소자를
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2020년 2월 12일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) Wide Band Gap (WBG) 및 ultra-WBG 전력 소자의 설계에 대해 살펴봅니다.
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2021년 2월 19일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) Victory Mesh에 대해 기본적인 사항을 익히고, Victory Process에서 만든 구조의 메쉬를 다시 설정하는 방법을 배운 뒤, Victory Device에서 사용할 수 있도록 준비합니다.
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2021년 2월 24일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 스탠더드 셀 및 IO를 포함하는 Foundation IP 제품군의 일부로서 실바코의 Embedded Memory 를 소개합니다.
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2021년 3월 5일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 실바코의 SPICE 시뮬레이션 툴, SmartSpice에 대한 일반적인 개요, SmartSpice 4.44.3.R버전의 새로운 기능, 차기 버전에 포함될 수 있는 기능을 소개합니다.
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2021년 3월 17일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 실바코의 다양한 SPICE 모델링 솔루션을 살펴봅니다. 실바코의 Utmost IV, TechModeler 그리고 고객에게 제공하는 모델링 서비스에 대한 간략한 개요를 소개합니다. 디스플레이 관련, RF 스파이스
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2021년 3월 19일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) Victory TCAD 공정 시뮬레이터의 기능과 사용법을 설명하고, 경계 조건, 지원하는 솔버, 시뮬레이션 설정 방법 등, 물질과 시뮬레이션 파라미터의 설정 방법을 살펴봅니다.
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Gallium Nitride (GaN) based devices such as the High Electron Mobility Transistors (HEMTs) find wide applications in RF and Power domain due to its excellent intrinsic properties. Accordingly, such devices