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2017
Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.
10 years ago
TCAD를 이용한 총 선량, 즉각적인 선량, 플루언스 및 SEU 시뮬레이션
2015년 2월 18일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 이번 시간에 우주 또는 다른 높은 에너지 입자나 광원 근처의 방사선 환경에 노출되었을 때, 산화물 충전 및 물리적 손상 등, 전자 소자의 동작
10 years ago
유기 광전자 소자의 TCAD 시뮬레이션
2017년 1월 27일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 이번 시간에 LED와 OLED 소자의 통합 시뮬레이션 환경으로 개발된 Radiant를 소개하고, 뛰어난 효율과 색 품질, 색 조정으로 디스플레이와 조명 분야에서 많은 관심을 받고
10 years ago
Simulation of a Bipolar Junction Transistor Under High and Low Current Injection Conditions
Semiconductor devices such as bipolar power transistors and solar cells may operate over a range of optical or electrical injection levels. In some cases of high injection, this may result
10 years ago
Thermo-mechanical Stress in Through-Silicon-Vias
During the last several years, the enhancement of integrated circuits (ICs) performance and power consumption have contributed to the continual scaling down the size of transistors. However, scaling down semiconductor
10 years ago
Hints, Tips and Solutions – Extract geometric information from 3D process simulation
Q: How do I extract geometric information, such as material thickness or junction depth, from the current 3D process simulation using Victory Process?