7 years ago
The full text for most of these papers may be found at the IEEE website at www.ieee.org. Yu-Shien Shiah1, Kihyung Sim1, Yuhao Shi1, Katsumi Abe2, Shigenori Ueda3, Masato Sasase1, Junghwan
7 years ago
The full text for most of these papers may be found at the IEEE website at www.ieee.org. N. Seoane1, M. Aldegunde1, K. Kalna1 and A. J. Garcia-Loureiro2 “MC/DD study of
7 years ago
The full text for most of these papers may be found at the IEEE website at www.ieee.org. T Uchino1, 2, E Gili1, 3, L Tan4, O Buiu4, S Hall4 and
7 years ago
The full text for most of these papers may be found at the IEEE website at www.ieee.org. Guriqbal Singh Josan, Archana Devasia, Sean Rommel and Santosh K. Kurinec, “Simulation and
7 years ago
I3Cは、従来のI2Cインタフェースと一定の互換性を保ちながら、ピン数削減、パフォーマンス強化、消費電力を低減する利点を持っています。2020年1月に発表された新標準規格であるI3C V1.1は、さらに高速な最大100 Mhzのインタフェース速度を実現し、他にもI2CからI3Cへの移行を支援する多くの新機能を持っています。
7 years ago
2020年2月19日 - 全世界の半導体業界に向け次世代メモリ・テクノロジの開発を行うWeebit Nano Ltd (ASX: WBT) と、電子システム設計用ソフトウェア、IP、サービスの世界的リーディング・プロバイダであるSilvaco Inc. (以下シルバコ) は、本日、Weebitのシリコン酸化物 (SiOx) 抵抗変化型メモリ (ReRAM) デバイスについて電気的振る舞いのモデリングに成功したことを発表しました。
7 years ago
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイート群の一つであるVictory Atomistic (VA) のシミュレーション機能を紹介します。
Feb. 5, 2020 On the 4 th and 5th of February 2020, in Montpellier (France), at the premises of LIRMM, CNRS the Kick-off meeting of NeurONN took place. All the
7 years ago
The MIPI Alliance (MIPI) develops interface specifications for mobile and mobile-influenced industries. There is at least one MIPI specification in every smartphone manufactured today.
7 years ago
Jivaroを簡単に紹介した後、シミュレーション・フローを向上する手法を示し、高度なネットリスト・リダクションを行うために必要な機能および制御を確認します。
7 years ago
As process nodes continue to shrink, the requirement for additional physics-based simulation is gradually creeping into each stage of the design process. By way of illustration, Technology Computer Aided Design
7 years ago
IEDM is THE device conference with more than a thousand participants from major companies and R&D institutes. Many talks were dedicated to new memory devices and circuits, including Ferroelectrics, MRAM,