Daily Archives: 2024年2月27日
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February 27, 2024
Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.
3 years ago
Learn How STMicroelectronics Silicon Carbide (SiC) Research Team uses Silvaco TCAD to Analyze the Impact of Surface Defect Dot on Short Circuit Phenomena in SiC Devices
2024/3/28 シルバコ・ソフトウェアを用いたTCADシミュレーションにより、活性領域に局在する欠陥の短絡現象への影響を調査しました。欠陥ドットが平坦なボディ/ドレイン界面、チャネル領域のSiC/酸化膜界面、湾曲したボディ/ドレイン界面に局在するさまざまなケースを検討し、位置に対する感度も調査しました。
3 years ago
Advanced TCAD Modeling of HfO2-based ReRAM: Coupling Redox Reactions and Thermal Effects
This paper presents a TCAD modeling approach for HfO2-based ReRAM (Resistive Random Access Memory). For describing the switching and retention behaviors of a ReRAM cell, the proposed model includes the