首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动制造 > TCAD > Utmost IV Utmost IV：器件建模与 SPICE 模型提取 Utmost IV 根据实验台实测或 TCAD 仿真的器件数据，构建电路团队用于仿真的紧凑模型。 咨询我们的专家 Victory Process 简介（PDF） Utmost IV 的作用 Utmost IV 测量或仿真器件特性，提取电路设计师和

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动的制造 > TCAD > Victory Device Victory Device：2D 和 3D 半导体器件仿真 器件仿真可在设计仍是可修改的文件时，展示晶体管、二极管或传感器的开关、击穿、发热和光响应行为。 咨询我们的技术专家 下载与文档 Victory Device 的功能 Victory Device 是一款通用 2D 和 3D 器件仿真器，可根据半导体器件的物理结构预测其电学、热学和光学行为。输入结构后，它求解输运物理，输出通常需要从硅器件测得的数据：IV 和

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动的制造 > TCAD > Victory RCx Victory RCx：3D 场求解器寄生参数提取 Victory RCx 从工艺实际构建的 3D 结构（包括刻蚀侧壁）中提取电阻和电容，使交给电路仿真的寄生参数成为求解结果，而非估计值。 咨询我们的技术专家 下载与文档 Victory RCx 的功能 Victory RCx 是基于物理的场求解器，可在三维中提取寄生参数。它适用于任意形状的结构，包括工艺仿真得到的刻蚀和沉积轮廓，专为单元级精细分析设计。您选择精度，网格自适应调整以达到要求。输出为 SPICE 网表。全芯片任务由 Hipex

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动制造 > TCAD > Victory Atomistic Victory Atomistic：原子级仿真与量子输运 当体材料参数无法再描述您的器件时，Victory Atomistic 逐原子求解，并将校准更精确的参数传回 TCAD 流程。 咨询我们的技术专家 获取下载与文档 Victory Atomistic 的作用 Victory Atomistic 逐原子对器件建模，采用非平衡格林函数（NEGF）求解量子输运。结构规模从几个原子到约一百万个原子，覆盖连续介质器件模型失效的范围。每种材料从紧束缚描述出发，因此限域、应变弛豫和声子模式通过计算获得，而非拟合。当新材料或先进节点尚无校准历史时，这正是采用原子级仿真的理由。 功能 量子输运 自洽 Schrödinger–Poisson

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动的制造 > TCAD > Victory Process Victory Process：2D 和 3D 半导体工艺仿真 基于 GDSII 版图仿真每个注入、扩散、氧化、沉积和刻蚀步骤，并将完成的 1D、2D 或 3D 结构交给器件仿真。 咨询我们的技术专家 下载与文档 Victory Process 的功能 Victory Process

Fab Technology Co-Optimization™：工艺的数字孪生 FTCO 利用工艺和器件仿真的输出，并结合晶圆厂的实测数据进行训练，为晶圆厂工程师提供可实时查询的模型。 咨询 FTCO 专家 What is FTCO? 用一个模型连接工艺、器件和电路 工艺、器件和电路通常依次进行调优。每个团队向下一个团队交付固定的结果，因此跨环节的权衡往往较晚才显现。晶圆厂技术协同优化将三者纳入同一模型。某个注入剂量有利于晶体管却损害电路性能，这类影响会在仍可调整时显现出来。 什么是数字孪生 它是经过训练的制造工艺非线性模型。其知识来自仿真运行和晶圆厂测量数据，这些数据通过 Victory DoE 和 Victory Analytics 反复迭代输入。将器件和电路仿真也纳入训练后，它就能映射工艺参数如何影响器件和电路结果，无需人工编写这些关联。 它能实现单次仿真无法实现的功能 提出问题后，在您仍在使用工具时即可得到答案。TCAD 仿真输入文件每次运行回答一个问题，而且需要能够编写输入文件的人员。数字孪生通过面向非仿真专业工程师的界面实时作答。需要等待实际晶圆试验周期才能作出的工艺决策因此减少。 它并不替代 TCAD。每个答案都源于 TCAD 工程师已经验证的物理机制。 FTCO 工作流程：从仿真到数字孪生

面向半导体刻蚀和沉积的等离子体仿真 等离子体仿真展示工艺腔室内的放电将如何作用于晶圆。您可以在构建腔室或切换化学体系之前预测刻蚀或沉积轮廓。 咨询我们的技术专家 等离子体仿真的作用 Plasma Kinetics 将工艺气体激发为放电状态后，所得气体并非处于单一温度。电子和离子的能量呈分布状态。在晶圆附近的鞘层中，两者均不呈热平衡行为。 Wafer Interaction 鞘层决定加工轮廓。离子执行刻蚀，鞘层电场决定各离子到达时的能量和角度。侧壁、深度和均匀性均由这两个量决定。无论化学模型如何，鞘层模型存在偏差，就会导致轮廓预测偏差。 Reactor Optimization 若不采用仿真，就必须构建并运行腔室，或为正在运行的设备更换气体，才能了解结果。两种方式都会消耗设备时间和晶圆。等离子体建模将这种扫描分析转移到软件中。这正是 Silvaco 等离子体仿真器 VSim 的设计用途。 VSim Plasma 基于网格粒子法的等离子体动力学程序。它跟踪任意压力背景气体中的电子、离子和中性粒子，以及它们之间的弹性、激发和电离碰撞。最终得到晶圆处的离子能量和角度分布。 VSim Plasma 在半导体加工中的应用 等离子体晶圆刻蚀 对晶圆上方的鞘层电场及其周围介质建模，两者共同决定离子到达的均匀性。 磁控溅射 薄膜沉积，根据带电粒子物理计算靶材侵蚀和沉积轮廓。 等离子体仿真应用 等离子体刻蚀轮廓预测 计算晶圆处的离子能量和角度分布，并传递给

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动制造 > 光子学 面向波导和集成光子学的光子仿真 对光在波导、谐振器或耦合器中的实际传播进行全波电磁仿真，使光子集成电路能够按实际制造形态进行评估，而非仅按绘制形态评估。 咨询我们的技术专家 光子仿真的作用 折射率差将光约束在硅波导中。部分导模位于芯层之外的包层中。这部分尾场决定耦合器的功率传输效率，以及小半径弯曲的泄漏程度。在这些尺寸下，光线模型无法描述光的行为，必须求解电磁场。 每次设计更改若在芯片上测试，就意味着再进行一轮制造。只要模型与实际制造结果匹配，仿真就能把这种扫描分析移出晶圆。侧壁角度、线边缘粗糙度、CD 偏移和拐角圆化都会使实际器件偏离绘制设计的参数。 这对求解器提出了要求：一次运行应返回宽带结果，正确处理色散，并对曲面几何划分网格而不产生阶梯误差。最终应输出电路级工具可用的 S 参数，并足够快地完成灵敏度扫描。XSim Photonics 正是按这一标准构建。 XSim Photonics 面向光子和电磁设计的全波 FDTD，由 Tech-X 开发，现为 Silvaco 产品。同一模型可在笔记本电脑、GPU 集群或 AWS

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动制造 > 光刻 计算光刻与邻近效应校正软件 基于实测晶圆拟合的光刻仿真、邻近效应校正与模型校准。交付的掩模能够印制出您绘制的图形，并由首批晶圆验证。 咨询我们的技术专家 查看 Process Proximity Compensation 什么是计算光刻？ 计算光刻软件预测掩模图形如何印制到晶圆上，并调整掩模，使印制结果与设计一致。工艺邻近效应校正是其核心步骤。它模拟曝光、光刻胶和刻蚀如何使各个图形特征畸变，移动掩模边缘以抵消畸变，然后通过仿真检查校正后的掩模。 问题所在 晶圆上印制的图形并非您绘制的图形。当特征尺寸小于曝光波长时，衍射、光刻胶和刻蚀都会使边缘偏离目标。线条变细，拐角变圆，线端回缩。即使版图完美，也可能形成不符合预期的芯片。 软件的作用 它使用基于您的芯片校准的模型预测偏移、校正版图，并在数据送至掩模厂之前对结果进行回仿。 使用时机 验证新节点时，用于判断某一层能否印制。在流片时，用于每一个关键层。在良率爬坡阶段，当某一层持续偏离关键尺寸且原因尚不明确时，也可使用。 从绘制版图到实测芯片，再反馈回来 芯片上一层的测量结果，可改善下一层的校正。 输入 设计意图 按原样绘制的版图 01 光刻模型

首页 > 产品与工作流程 > AI 驱动制造 > TCAD 面向半导体工艺和器件开发的 TCAD 仿真 在同一 Silvaco TCAD 流程中构建工艺、预测器件、逐原子模拟新材料、划分网格、提取寄生参数，并将测量结果转换为 SPICE 模型。 咨询我们的技术专家 TCAD 使用指南与示例 什么是 TCAD 仿真？ TCAD 仿真（Technology Computer-Aided Design，工艺计算机辅助设计）是基于物理的软件建模，用于描述半导体的制造过程及成品器件的行为。它运行离子注入、氧化和刻蚀等工艺步骤，生成虚拟器件结构，再求解该结构中的载流子输运，以预测电流、电容、击穿电压和自热。 展示测量无法揭示的内容 工艺分批试验耗时数周，消耗投片资源，却只能回答一个问题。对于新器件，大部分所需信息都要等芯片制造出来后才能获得，而关键决策早在数月前就已作出。 替代的工作