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와이드 밴드갭 전력 소자의 TCAD 시뮬레이션

와이드 밴드갭 전력 소자의 시뮬레이션은 항상 수렴 문제를 제기하였습니다. 또한, 제조 데이터와 관련하여 모델의 정확성과 보정의 중요성이 커지고 있습니다. 이번 시간에 SiC, GaN, Ga2O3 전력 소자의 시뮬레이션을 소개합니다. 각각의 경우에 대해 시뮬레이션 접근법과 그 결과를 논의합니다. 또한, 응력 시뮬레이션과 와이드 밴드갭 물질에 대한 공정 시뮬레이션 성능에 대해서도 알아봅니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • 4H-SiC IEMOSFET 시뮬레이션
    • 계면 결함을 특정
    • 계면 전하에 의한 원격 산란 효과를 포함한 이동도 모델
  • GaN Super HFET 시뮬레이션
    • 더블 헤테로 인터페이스 GaN/AlGaN/GaN에서의 극성 전하, 2DHG, 2DEG
    • GaN 버퍼 층에서의 결함 사양
    • 고전압 고장 시뮬레이션
  • Ga2O3 시뮬레이션
    • 물질 친화도, 밴드갭( 4.8eV), 유효 상태 밀도 (전자 및 홀)
    • 수렴 문제의 처리 방법
  • 와이드 밴드갭 소자의 응력 시뮬레이션
  • 와이드 밴드갭 물질에 대한 공정 시뮬레이션 성능

발표

Masato Fujinaga는 2010년부터 실바코 일본 사무소에서 TCAD 애플리케이션 엔지니어링 매니저로 근무하고 있습니다. 2006년부터 2010년까지 TCAD International에서, 2003년부터 2005년까지 Renesas Technology Corporation에서 근무했습니다. 1997년부터 2003년까지 DRAM/Flash 메모리 소자 및 ULSI 개발을 위한 로직 트랜지스터와 같은 TCAD 응용 분야에 종사했습니다. 이 기간 동안 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.에서 3D TCAD 개발에 참여하기도 했습니다. 1985년 Mitsubishi Electric Corporation의 LSI/ULSI 개발 연구소에서 TCAD 공정 및 소자 시뮬레이터 개발에 참여하며 경력을 시작하였습니다.

1983년과 1985년에 각각 일본 오사카 대학에서 물리학 학사 학위와 석사 학위를 받았으며, 1996년 오사카 대학에서 전자공학 전공으로 박사 학위를 받았습니다.

일시: 2016년 5월 25일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 일본어

참석 대상

와이드 밴드갭 전력 소자 개발에 관심있는 공정 엔지니어, 소자 엔지니어 및 연구원