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이온 수송 및 전기 화학에 대한 TCAD 시뮬레이션

이번 시간에 반도체 소자의 이온 수송과 전기 화학 시뮬레이션에 대해 논의합니다. 이러한 현상은 비휘발성 메모리와 솔리드 스테이트 배터리의 설계처럼 의도한 경우와 다수의 열화 메커니즘처럼 의도하지 않은 경우에서 모두 관심의 대상입니다. Victory Device에 추가된 전기 화학 시뮬레이션에 대해 새롭고 일반적인 특징을 소개합니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • 반도체 소자에서 전기 화학을 고려하는 이유 및 시기
    • 현상
    • 적용
  • 전기 화학 시뮬레이션의 방정식
    • 이온 수송
    • 화학 반응
  • Victory Device에서 전기 화학 시뮬레이션을 설정
    • 화학 종 특성의 정의
    • 종 농도의 초기화
    • 화학 반응의 명세
    • 화학 종 데이터의 출력
  • 예: IGZO TFT의 성능 저하

발표

Carl Hylin 박사는 실바코 TCAD 부서의 선임 개발 엔지니어로서, 2007년 입사한 이후 Victory Device를 주로 담당하고 있습니다. 화학 모듈 외에, Victory Device의 트랩 및 방사선 손상 모델과 고정밀 계산의 많은 부분을 책임지고 있다.

Hylin 박사는 기계 공학을 전공하였으며, MIT에서 학사를, 일리노이 대학에서 석사를, 켄터키 대학에서 박사학위를 취득하였습니다. 산업 응용 수학회 (SIAM)의 회원으로서, 특히 컴퓨터공학의 전문가로서, TCAD는 물론 로켓엔진과 검색엔진에도 지식을 활용하고 있습니다.

일시: 2017년 10월 26일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 영어

참석 대상

TFT, 비휘발성 메모리, 솔리드 스테이트 배터리 등 이온 수송, 성능 저하 및 전하 포획에 관하여 반도체 소자 시뮬레이션에 관심있는 학계, 엔지니어 및 경영진.