• Webinars

메모리 기술에서의 물리적 식각 시뮬레이션

이번 시간에 메모리 기술을 중심으로, 물리적 식각을 시뮬레이션하기 위한 방법, 메커니즘 및 모델을 소개합니다. 수직 비휘발성 메모리 애플리케이션의 핵심 과제 중 하나로서 종횡비가 매우 클 경우의 좁은 트렌치 식각 시뮬레이션에 대해 살펴봅니다. 물리적 식각 기능을 내장한 실바코의 다차원 공정 시뮬레이션 툴, Victory Process의 아키텍처와 모델링 환경을 자세히 설명합니다. 또한 시뮬레이션의 물리적 정확도와 시뮬레이션 시간 사이에서 최적의 균형을 맞추도록 새로운 모델링 기능을 추가하기 위한 Victory Process의 개방형 모델링 시스템을 소개합니다. 종횡비가 큰 식각 시뮬레이션을 위해, 이온 강화 화학 식각 모델에 대한 기본적 특성의 설명, 분석 및 응용을 알아봅니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • 종횡비가 높은 에칭 시뮬레이션에서의 주요 과제
  • Victory Process 아키텍처
  • 식각과 증착을 위한 개방형 모델 라이브러리의 개념
  • Victory Process 개방형 모델 라이브러리의 모델 구현 및 확장
  • 종횡비가 클 경우의 좁은 트렌치 식각에 사용되는 이온 강화 화학 식각 모델의 특징 및 동작
  • 적용
    • 3D NAND에서 높은 종횡비 식각
    • STT-MRAM에서 자기 터널 접합 기둥의 최적화

발표

Andreas Hössinger박사는 실바코의 TCAD 제품 관리자입니다. 모델 개발, 수치 R&D, 신규 애플리케이션 구현 등의 공정 시뮬레이션 툴 개발을 담당하고 있습니다. 실바코에 입사하기 전에, 빈 공과대학의 선임 연구원으로서 3D 공정 시뮬레이션을 위한 모델, 알고리즘, 기법을 개발했습니다.

오스트리아 빈 공과대학에서 물리학 석사, 전기공학 박사 학위를 받았습니다.

일시: 2016년 4월 29일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 영어

참석 대상

식각 및 증착 공정 단계를 분석하고 최적화하는 솔루션에 관심있는 학계, 엔지니어 및 경영진