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TCAD를 이용한 총 선량, 즉각적인 선량, 플루언스 및 SEU 시뮬레이션

이번 시간에 우주 또는 다른 높은 에너지 입자나 광원 근처의 방사선 환경에 노출되었을 때, 산화물 충전 및 물리적 손상 등, 전자 소자의 동작 변화를 시뮬레이션하기 위한 방법을 제공합니다. 고 에너지 입자는 X선, 감마선, 에너지 전자, 양성자 또는 중성자를 포함하며, 이는 핵 이벤트 및 기타 원인으로 발생합니다. 물리 기반 TCAD 시뮬레이션을 사용하여, 저선량 및 고선량에서 소자에 대한 방사선의 영향을 시뮬레이션하는 방법을 소개합니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • 기밀 해제되어 새로 도입한 총 선량 모델
  • 포획한 산화물 홀의 방사선 유도 탈출 등, 총 선량 모델의 물리적 메커니즘
  • 방사선 방출 중의 특정 바이어스 조건이 방사선 경화 산화물의 포획된 홀 농도를 감소시켜, 방사선으로 임계 전압 회복을 유도하는 경우 (인터페이스 트랩의 저속 형성으로 인한 정상적인 “반등” 효과가 아님).
  • 반도체 손상을 유발하는 입자의 영향을 시뮬레이션
  • 일시적인 고 선량 “즉각적인” 이벤트를 시뮬레이션
  • 기존의 고 에너지 단일 입자 이벤트를 시뮬레이션
  • 총 선량 산화물 충전에 의한 임계 전압 이동 및 소자 간 누출, 양성자에 의한 이미지 센서 손상, 회로에 대한 즉각적인 선량의 영향, 전력 PiN 다이오드의 단일 사건 소진 (SEB), 22nm SRAM의 단일 사건 이상 (SEU) 등의 예시

발표

Derek Kimpton 박사는 실바코의 수석 애플리케이션 엔지니어로서, 영국 링컨의 Plessey Semiconductors에서 4년간 소자에 미치는 방사선 효과를 특성화하였습니다. 새로운 예측 총 선량 산화물 충전 모델에 관한 논문을 Solid-State Electronics에 발표하였으며, 이는 실바코의 최신 TCAD Victory Device 시뮬레이터에서 구현된 코드의 기초를 이루었습니다.

Kimpton 박사는 런던의 킹스 칼리지에서 전자공학 학사, 영국의 GEC 허스트 연구 센터의 광섬유 사업부와 연계하여 GaInAs MOSFET 제조에 관한 연구로 박사 학위를 받았습니다. 영국 미들섹스 대학에서 연구 펠로우로서 게르마늄을 주입하여 실리콘 게르마늄 (SiGe) 합성에 주력하였습니다.

일시: 2015년 2월 18일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 영어

참석 대상

물리 기반 (TCAD)툴에 의한 전자 소자의 방사선 효과 시뮬레이션에 관심있는 분.