• Webinars

a-Si TFT의 누설 전류에 대한 TCAD 보정

이번 시간에 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 (a-Si TFT)에 관한 TCAD 시뮬레이션을 측정과 비교하는 보정 절차를 상세히 설명합니다. a-Si TFT 기술을 설계하고 최적화하기 위해, 누설 전류를 중심으로 TCAD 보정 절차를 시연합니다. 상태 밀도 (DOS) 및 band-to-band 터널링을 포함하여 TFT TCAD 시뮬레이션에서 사용하는 일반적이고 구체적인 물리적 모델을 소개합니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • a-Si TFT TCAD 시뮬레이션의 기본 개념
    • 기본 방정식
    • 물리적 파라미터
    • 상태 밀도 모델
  • TCAD 보정 절차 예제
    • IV 커브를 생성하기 위한 공정 및 소자 시뮬레이션
    • 상태 밀도 모델의 이해 및 활용
    • 점유 함수 확률의 이해 및 활용
    • 상태 밀도와 전류 밀도 사이의 상관 관계

발표

탁남균 씨는 실바코의 TCAD 애플리케이션 엔지니어입니다. 2010년 실바코에 입사한 이후, TFT 기술 개발에 주력하였습니다. 실바코 입사 전, 삼성전자에서 6년간 근무하며 DRAM 개발에 참여했습니다.

대한민국 대구의 경북대학교에서 전기공학 및 컴퓨터공학 학사와 석사 학위를 받았습니다.

일시: 2014년 3월 7일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 영어

참석 대상

TCAD 시뮬레이션 데이터를 a-Si TFT 소자의 측정 데이터에 맞추는 보정 절차에 관심있는 학계, 엔지니어 및 관리자