SRAM 컴파일러
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싱글 포트 및 듀얼 포트 SRAM 컴파일러
Silvaco SRAM 컴파일러는 명시된 TSMC, GlobalFoundries 및 UMC 공정에서 인스턴스별로 구성된 싱글 포트 및 듀얼 포트 임베디드 SRAM IP를 SoC 팀에 제공합니다. 칩을 메모리에 맞추는 대신 메모리를 칩에 맞출 수 있습니다.
SRAM 컴파일러 기능
전력 예산에 적합한 옵션을 선택한 다음 나머지
메모리 구성을 설계하세요.
최적화
저전력, 범용 또는 고성능 옵션을 선택하세요. 여러 전력 모드로 누설과 웨이크업 시간의 균형을 조절하고, 다양한 문턱전압(Vt) 옵션과 동작 모드로 어레이 속도를 설정할 수 있습니다.
아키텍처
저전력 동작을 우선 설계하며, 면적 제약이 더 큰 경우를 위한 고집적 옵션도 제공합니다. 55 nm, 40 nm 이하에서 Nap, Retention 및 Nap + Retention 모드를 지원합니다. 내장 전원 스위치로 더욱 세밀하게 제어하며, 단일 전원 또는 주변 회로와 코어용 별도 전원으로 구동할 수 있습니다.
수율 및 무결성
컴파일러는 전역 및 국부 변동에 대해 검증됩니다. ECC 비트를 추가하고 유연한 워드 크기와 주소 지정 방식을 이용해 리던던시를 구현하세요. 필요한 경우 구성 가능한 쓰기 마스크와 내장 자체 테스트 및 복구(BIST/R)를 추가할 수 있습니다.
지원 공정 범위
현재 카탈로그에는 TSMC, GlobalFoundries 및 UMC의 22~130 nm 공정에 걸쳐 부품 번호가 부여된 컴파일러 12개가 있습니다. 기반 기술은 G, LP 및 SOI CMOS와 고전압, BCD 및 eFlash 공정의 180, 152, 130, 110, 90, 85, 65, 55, 40, 28 및 22 nm를 지원합니다. 사용 중인 공정이 목록에 없다면 컴파일러를 포팅할 수 있습니다.
전력 및 면적
동작 모드로 전력 소비를 최대 50% 줄일 수 있습니다. 분할 어레이는 배터리 수명을 늘리고, 데이터 리텐션 모드는 누설 전류를 낮추며, 고집적 구성은 면적을 절약합니다.
저전력 모드
유휴 상태의 메모리에서도 누설이 발생합니다. 이러한 모드로 다음 액세스까지 허용되는 대기 시간과
누설량 사이의 균형을 정할 수 있습니다.
| 모드 | 코어 | 주변 회로 | 동작 상태 | 웨이크업 | Standby 대비 누설 |
|---|---|---|---|---|---|
| Active | Vdd로 켜짐 | Vdd로 켜짐 | 읽기 및 쓰기. 동적 전력과 소량의 누설. | — | — |
| Standby | Vdd로 켜짐 | Vdd로 켜짐 | 전원이 켜져 있으나 액세스 없음. 누설만 발생하며 동적 전력 없음. | 빠름 | 1.00× |
| Nap | Vdd로 켜짐 | 꺼짐 | 소스 바이어스 활성화. 중간 단계의 저전력 상태. | 한 클록 사이클, Standby보다 약간 느림 | 0.69× |
| Retention | Vdd 미만 | 꺼짐 | 데이터 유지에 필요한 최저 전압으로 코어 유지. | 느림: 주변 회로 스위치 및 회로의 전원을 먼저 복구 | 0.54× |
| Retention + Nap | Vdd로 켜짐 | 꺼짐 | 소스 바이어스 활성화, 코어는 공칭 전압 유지. | 느림: 주변 회로 스위치 및 회로의 전원을 먼저 복구 | 0.28× |
| Shutdown | 꺼짐 | 꺼짐 | 모든 전원 차단. 데이터 소실. | 가장 느림 | 0.1× |
누설 수치는 Silvaco가 전형 코너, 1.2 V 및 25 °C의 4Kx32 인스턴스에 대해 공개한 Standby 대비 값입니다. Nap, Retention 및 Retention +
Nap은 55 nm, 40 nm 이하에서 사용할 수 있습니다. 특정 컴파일러의 지원 모드는 IP 전문가에게 확인하세요.
SRAM 컴파일러 적용 분야
저전력 SoC 캐시 및 버퍼
Nap과 Retention은 액세스 사이에 데이터를 유지하면서 누설을 줄입니다.
배터리 구동 및 IoT 설계
어레이 분할과 리텐션 모드로 대기 상태의 전력 소모를 낮게 유지합니다.
고성능 연산 블록
여러 Vt 옵션과 동작 모드를 갖춘 고성능 제품군입니다.
ECC 및 리던던시가 필요한 설계
ECC 비트와 유연한 주소 지정으로 리던던시를 구현하며, 필요한 경우 BIST 및 복구 기능을 추가합니다.
노드를 찾은 다음 부품 번호를 확인하세요
수백만 장의 웨이퍼와 수천 개의 설계에서 이미 Silvaco의 컴파일된 메모리를 사용하고 있습니다.
파운드리와 노드부터 확인하세요. 해당 공정용 컴파일러가 이미 있다면 부품 번호가 부여되어 있습니다.
파운드리 및 노드별 SRAM 컴파일러
크기는 각 컴파일러가 생성하는 비트 수 범위입니다. 공정이 표에 없다면 IP 전문가에게 포팅에 대해 문의하세요.
22–130 nm
TSMC, GlobalFoundries 및 UMC의 부품 번호가 부여된 컴파일러
파운드리 및 IDM 12개
Silvaco 메모리 컴파일러 도입
0.28×
Retention + Nap의 Standby 대비 누설
25년 이상
컴파일된 메모리 설계 경험
Liberty · LEF · GDSII
특성화 및 DRC/LVS 검증을 완료한 모든 인스턴스와 함께 제공
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사용 중인 노드에 대해 문의하세요
IP 전문가에게 파운드리, 노드 및 필요한 SRAM의 용량, 포트 수와
전력 모드를 알려주세요. 해당 공정용 컴파일러의 유무, 포팅에 필요한 작업
및 라이선스 방식을 안내해 드립니다.
SRAM 컴파일러 관련 질문
SRAM 컴파일러란 무엇인가요?
SRAM 컴파일러는 설계에서 지정한 용량, mux 및 워드 폭에 맞춰 임베디드 SRAM 인스턴스를 생성하므로 각 메모리를 수작업으로 레이아웃할 필요가 없습니다. Silvaco 컴파일러는 명시된 파운드리 공정에 대해 완전히 특성화되고 DRC/LVS 검증을 완료한 싱글 포트 및 듀얼 포트 인스턴스를 제공하며, 해당 공정에서 지원하는 전력 모드를 포함합니다.
싱글 포트 SRAM과 듀얼 포트 SRAM은 어떻게 다른가요?
싱글 포트 SRAM은 사이클당 한 번의 읽기 또는 쓰기를 처리합니다. 듀얼 포트 SRAM은 두 개의 독립 포트를 갖추어 동일한 사이클에 두 번의 액세스가 가능하지만 더 많은 면적이 필요합니다. Silvaco 카탈로그에는 싱글 포트 컴파일러 7개와 듀얼 포트 컴파일러 5개가 있으며, 듀얼 포트 5개는 모두 TSMC 공정용입니다.
어떤 노드와 공정을 지원하나요?
부품 번호가 부여된 컴파일러는 22, 40, 55, 90, 110 및 130 nm를 지원합니다. GlobalFoundries 22FDX+ 및 55LPx, UMC 110 nm eFlash, 그리고 저전력, eFlash, 고전압 및 BCD 공정의 TSMC 40~130 nm가 포함됩니다. Silvaco의 전체 노드 목록에는 180, 152, 85, 65 및 28 nm도 포함됩니다. 사용 중인 공정이 없다면 포팅에 대해 문의하세요.
Nap 및 Retention 모드란 무엇인가요?
두 모드 모두 유휴 SRAM용 저전력 상태입니다. Nap은 주변 회로의 전원을 차단하고 소스 바이어스를 활성화하여 Standby 대비 0.69× 누설에서 한 클록 사이클 내에 깨어납니다. Retention은 코어 전압을 데이터 유지에 필요한 최저 수준으로 낮추어 0.54×를 제공합니다. 55 nm 이하 노드에서 두 모드를 결합하면 누설은 0.28×로 줄어듭니다.
BIST 및 복구 기능을 지원하나요?
예, 옵션으로 지원합니다. 내장 자체 테스트 및 복구(BIST/R)는 신뢰성과 수율을 높이며, ECC 비트 및 구성 가능한 워드 크기와 주소가 제공하는 리던던시와 함께 작동합니다. 컴파일러는 국부 및 전역 변동 허용 범위도 검증받습니다.
컴파일러는 무엇을 제공하나요?
각 컴파일된 인스턴스는 완전히 특성화되고 DRC/LVS 검증을 완료하며, 설계 플로에 필요한 Liberty 모델, LEF 추상 뷰 및 GDSII 레이아웃을 제공합니다. 단일 전원 또는 주변 회로와 코어용 분리 전원을 사용할 수 있으며, 설계에 필요한 경우 쓰기 마스크도 제공합니다.
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