SURGE オンラインイベント 中国 2023
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SURGE オンラインイベント 中国 2023
2023年SURGE中国オンライン大会
中国 · 2023年12月8日（金） · オンラインイベント
開催概要
2023年12月8日
日付
中国
地域
オンライン
開催形式
20
3つのトラックのセッション
このイベントについて
Silvacoは12月8日（金）にSURGE China 2023をオンラインで開催しました。同年に開催された6つの地域別イベントの最後を飾るもので、全体で1,000名を超えるユーザーおよび導入をご検討中の方々が参加しました。
SURGEは、SilvacoのユーザーがTCAD、EDA、IPに関する経験を定期的に共有する場です。今回のイベントでは、先進的な半導体設計やディスプレイパネルも取り上げました。9つの講演はSilvacoが担当し、残る11の講演はMicron、Tower Semiconductor、Kepler Computing、Stanford、Purdueなどの企業や大学が担当しました。STMicroelectronicsからは3名の講演者が登壇しました。
日付
- 全体セッション · メイン会場
- TCAD · TCAD分科会
- EDAとIP · EDA・IP分科会
アジェンダ
SURGE China 2023の録画は、SilvacoのサポートサイトからMP4ファイルとしてダウンロードできます。
事前にサインインするか、企業、大学、政府機関のメールアドレスで登録してください。
メイン会場
開会のご挨拶
赵友来、Silvaco 中国地区ゼネラルマネージャー
講演者略歴（2023年12月時点）
Fudan Universityで修士号を取得。EDAソフトウェアおよび半導体IPコアの分野で20年以上の経験を有しています。
会社の最新動向
Babak Taheri博士、Silvaco CEO兼取締役
講演者略歴（2023年12月時点）
2021年秋の短期間を除き、2019年8月からSilvacoのCEOおよび取締役を務めています。2018年10月にSilvacoに入社し、当初はCTO兼製品担当エグゼクティブ・バイスプレジデントを務めました。それ以前はコンサルティング会社Integrated Biosensing TechnologiesのCEO兼社長を務めていました。また、MEMS World Summit、Novasentis、UC Davis電気工学科のアドバイザーも務めています。San Francisco Stateで工学の学士号、San José Stateで電気工学の修士号、UC Davisで生体医工学の博士号を取得しました。
機械学習：EDAの新たな革命
Patrick Groeneveld博士、スタンフォード大学
概要
EDAフローは、一連の多数のアルゴリズムを通じて回路の機能記述をマスクパターンに変換します。数値ソルバーもあれば、実績のあるヒューリスティックもあります。そのほぼすべてに、面積と速度のトレードオフを調整するコストの重みなど、エンジニアが現在も手動で調整するパラメータがあります。機械学習はこの状況を変えます。フローを何度も実行し、PPAデータの勾配を読み取ることで、ツールは設計に適したパラメータを迅速に決定します。Groeneveld博士は近年、MLを活用したEDAツールと配置配線戦略に取り組んできました。本講演では、この分野の現状と今後10年間の展望を報告します。
講演者略歴（2023年12月時点）
Stanfordの電気工学講師であり、DAC実行委員会の財務委員長を務めています。Magma、Cadence、Synopsys、Cerebrasでの勤務経験があり、MagmaのCTOとしてRTL-to-GDS2合成製品を開発しました。また、Eindhoven Universityの電気工学正教授も務めました。Delft University of Technologyで修士号と博士号を取得しています。
半導体製造の「デジタルツイン」：TCADモデルによるプロセスシミュレーションと最適化
Raul Camposano博士、Silvaco CTO、IEEE Fellow
概要
TCADはすでに新しいプロセスの開発で重要な役割を果たし、各製造工程とデバイスの電気的挙動をシミュレーションしています。現在では、モデルの精度が製造フロー自体のデジタルツインとして機能できる水準に達しています。これにより、物理的な実験を減らし、量産までの期間を短縮しながら、仮想環境で技術を開発できます。稼働中のファブでは、同じデジタルツインを用いてプロセスを調整し、ドリフトを監視し、異常を検出できます。Camposano博士がこの考え方を説明し、デジタルツインとして活用できるTCADの事例を紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
2022年2月からSilvacoのCTOを務めています。2015年からインキュベーターSilicon Catalystのパートナーを、2018年からStanfordでEDAおよび機械学習ハードウェアの講師を務めています。以前はApplied Materialsのアドバイザーを務め、Sage Design AutomationのCEOとして、同社が2020年にApplied Materialsに買収されるまで経営に携わりました。2010年から2014年まではSynopsysでCTO、SVP、ゼネラルマネージャーを務めました。それ以前はPaderborn Universityのコンピュータサイエンス教授、およびIBMのT.J. Watson Research Centerの研究員でした。1999年からIEEE Fellow。University of Chileで電気工学の学士号と修士号、Karlsruheでコンピュータサイエンスの博士号を取得しています。
製品: TCAD
TCAD分科会
Silvaco TCADシミュレーションの最新動向
Eric Guichard博士、Silvaco バイスプレジデント兼TCAD事業部ゼネラルマネージャー
概要
Guichard博士は、まずVictory TCADの最新リリースを紹介します。続いて、次世代デバイスがTCADを必要とする理由を説明し、最後にツール自体の今後の計画を紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
Silvaco TCADの研究開発（R&D）から顧客現場への導入までを統括しています。1995年にSilvacoに入社し、Silvaco Franceと世界各地のTCADフィールド業務を率いてきました。それ以前はLETIおよびThomsonの軍事・航空宇宙事業でシニアSOIエンジニアを務め、トランジスタと回路の経年劣化を専門としていました。Grenoble INPで材料科学の修士号と半導体物理学の博士号を取得しています。
製品: TCAD
表面の点状欠陥が短絡現象に及ぼす影響
Salvatore Cascino、STMicroelectronics SiC研究開発エンジニア
概要
一部のアプリケーションでは、短絡試験やUIS試験など、スイッチング過負荷に対する堅牢性の仕様が定められています。ミックスモード回路シミュレーションでは、これらの事象を再現できます。測定結果に合わせてパラメータを調整すると、過渡状態におけるデバイスの電気熱挙動を予測できます。STの事例では、Silvaco TCADを用いて、活性領域の表面欠陥が短絡挙動をどのように変化させるか、また欠陥の位置がどの程度影響するかを検討します。
講演者略歴（2023年12月時点）
University of Palermoで物理学を専攻。ENEA FrascatiのFTUプロジェクト、およびPaduaのRFXで核融合研究に従事しました。現在はCataniaにあるSTMicroelectronicsの研究開発（R&D）部門でSiCデバイス技術を開発しています。それ以前はセンシング・アプリケーションおよびRFデバイスに取り組んでいました。
製品: TCAD
GaNパワーアプリケーション市場とデバイス技術
邱绍谚博士、华灿光电 GaNパワーエレクトロニクス部門研究開発ディレクター
概要
GaNは、これまでSiC MOSFETやシリコンIGBTが担ってきたパワーアプリケーション分野に進出しています。本講演では、その市場を概観し、新たな第4世代材料を評価した後、デバイス物理に焦点を当てます。Silvaco TCADの解析結果は、材料欠陥がリーク電流と降伏電圧を変化させる一方、欠陥を介した再結合がスイッチングを遅くし、安定性を低下させることを示しています。現在市販されているGaNパワーデバイスは横型エピタキシャル構造であり、ここではその電流コラプスの課題にTCADで取り組みます。最後に、縦型GaNの利点と今後の方向性を紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
学術研究、半導体製造、設計企業にわたり15年以上の経験を有しています。2009年にNational Taiwan Ocean Universityの電気工学研究所を修了。その後、第3世代半導体のエピタキシーとプロセス、および横型・縦型GaNパワーデバイス構造の研究に従事してきました。化合物半導体に関する論文を50本以上発表しています。台湾のTsing Hua Universityで博士研究員を務め、浙江省の千人計画に選出されました。
製品: TCAD
ノーマリーオフ型p-GaN HEMTsにおけるMg活性化のカットオフ電圧への影響
Giovanni Giorgino、STMicroelectronics ADG GaNパワー・ディスクリートデバイス研究開発エンジニア
概要
マグネシウムのドーピングと、そのうち電気的に活性化される割合が、p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのオフ状態をどのように決めるかを検討します。まずTCADで、Mgドーピングプロファイルをバンド図により比較します。続いて容量–電圧測定により、p-GaN内の正味のアクセプタ濃度を特定します。比較対象は、アンドープGaNゲートから基準アニールで活性化したp-GaNゲートまでです。さらに、活性化を改善したデバイスを取り上げ、複数のオン状態・オフ状態パラメータの向上を示します。ノーマリーオフ型GaN HEMTでは、活性化工程が総合的な性能を大きく左右します。
講演者略歴（2023年12月時点）
2020年にPolitecnico di Torinoで電子工学の修士号を取得。その後、STMicroelectronicsの研究開発（R&D）部門でGaNデバイスエンジニアとして、パワーアプリケーション向けp-GaNゲートデバイスの開発、特性評価、モデリングに従事しています。半導体物理、アナログ回路、パワーエレクトロニクスの専門知識を有しています。
先端ロジック・メモリデバイスにおけるSilvaco TCADシミュレーションの活用事例
李茂、Silvaco中国 先端CMOS TCADディレクター
概要
1947年の点接触型トランジスタ以来、微細化のたびに、重要となるデバイスパラメータとその影響の大きさが変化してきました。TCADのプロセス・デバイスシミュレーションは、設計、解析、プロセス開発を通じてこれらを把握するうえで役立ちます。本講演では、Silvaco TCADが近年、先端ロジック・メモリ向けに追加してきた機能を振り返り、ロジックCMOS、DRAM、3D NANDの具体的な事例を紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
KU Leuvenで修士号を取得。同大学在籍中はimecのリサーチアシスタントとして、初期の2D材料研究に携わり、MoS2トランジスタの製造と特性評価を行いました。2017年からSMICの研究開発（R&D）部門とHiSiliconでTCADのプロセス・デバイスシミュレーションに従事し、主に先端ロジックデバイスとDTCOを担当しました。Silvacoではファウンドリ事業のアプリケーション・エンジニアリングチームを率いています。
製品: TCAD
CMOSを超えるメモリ設計
Debo Olaosebikan、Kepler Computing 共同創業者兼CEO
概要
量子輸送モデリングは30年にわたり研究されてきました。1980年代と1990年代には、2次元電子ガスと室温共鳴トンネルダイオードが試験デバイスでした。現在では、これらの初期デバイスについて、その重要寸法がナノトランジスタでどのように作用するかまで、十分な理解が進んでいます。デバイスを究極のナノメートル領域まで微細化するには、定量的な予測が可能なモデルが必要です。Klimeck教授は、非平衡グリーン関数（NEGF）を用いる原子論的タイトバインディング法と、Silvacoが商用化しIntelが採用したNEMO5が、業界で選ばれた理由を説明します。nanoHUBとchipshubを通じて、学生や研究者はNEMOの各種バージョンを使いやすいアプリとして利用できます。
講演者略歴（2023年12月時点）
Purdueの電気・コンピュータ工学教授。同大学で副CIOおよび学術IT担当アソシエイト・バイスプレジデントも務め、Network for Computational NanotechnologyとCenter for Predictive Materials and Devicesの両組織を率いています。年間200万人以上が利用するnanoHUB.orgの創設に貢献しました。IOP、APS、IEEE、AAAS、Humboldt Foundationのフェローであり、525件を超える論文などの出版実績を有しています。単原子トランジスタの共同発明者で、Intelは同教授のグループが開発したNEMO5を2015年からナノトランジスタ設計に使用しています。nanoHUBチームは、シミュレーションとデータへのアクセスを広く開放した功績によりR&D 100賞を受賞しました。
製品: TCAD
量子輸送ツール開発の25年間の成果と世界への影響
Gerhard Klimeck教授、普渡大学 nanoHUBディレクター、IOP/APS/IEEE Fellow
概要
量子輸送モデリングは30年にわたり研究されてきました。1980年代と1990年代には、2次元電子ガスと室温共鳴トンネルダイオードが試験デバイスでした。現在では、これらの初期デバイスについて、その重要寸法がナノトランジスタでどのように作用するかまで、十分な理解が進んでいます。デバイスを究極のナノメートル領域まで微細化するには、定量的な予測が可能なモデルが必要です。Klimeck教授は、非平衡グリーン関数（NEGF）を用いる原子論的タイトバインディング法と、Silvacoが商用化しIntelが採用したNEMO5が、業界で選ばれた理由を説明します。nanoHUBとchipshubを通じて、学生や研究者はNEMOの各種バージョンを使いやすいアプリとして利用できます。
講演者略歴（2023年12月時点）
Purdueの電気・コンピュータ工学教授。同大学で副CIOおよび学術IT担当アソシエイト・バイスプレジデントも務め、Network for Computational NanotechnologyとCenter for Predictive Materials and Devicesの両組織を率いています。年間200万人以上が利用するnanoHUB.orgの創設に貢献しました。IOP、APS、IEEE、AAAS、Humboldt Foundationのフェローであり、525件を超える論文などの出版実績を有しています。単原子トランジスタの共同発明者で、Intelは同教授のグループが開発したNEMO5を2015年からナノトランジスタ設計に使用しています。nanoHUBチームは、シミュレーションとデータへのアクセスを広く開放した功績によりR&D 100賞を受賞しました。
EDA・IP分科会
Silvaco EDAとIPの最新動向
Dan Fitzpatrick、Silvaco バイスプレジデント兼EDA事業部ゼネラルマネージャー
概要
Dan Fitzpatrickが、アナログ・カスタム設計ツールとSilvaco IPの2つの製品ラインについて、それぞれの機能強化と今後の方向性を紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
アナログ・カスタム設計と検証、回路シミュレーションとSPICEモデリング、標準セルのレイアウト生成と特性評価、IP管理など、SilvacoのすべてのEDAツールの開発を統括しています。2021年に入社し、IP管理および標準セルの製品ラインを率いています。それ以前は、スタートアップからFortune 500企業まで、さまざまな企業で長年にわたりEDAソフトウェア開発と製品管理に従事しました。University of Floridaで電気工学の修士号、University of Central FloridaでMBAを取得しています。
製品: アナログ・カスタムIC、設計IP
パワーデバイスの開発とシミュレーションを支援するSilvaco半導体シミュレーションプラットフォーム
常志强、Silvaco中国 TCADテクニカルディレクター
概要
ワイドバンドギャップ・パワーデバイスの採用が広がるなか、開発チームは設計をより迅速に進める方法を求めています。本セッションでは、パワーデバイス開発向けのSilvacoのツールチェーンを紹介します。レイアウトと物理検証から、プロセス・デバイスシミュレーション、SPICEモデル抽出、回路シミュレーションまでを取り上げ、各工程が果たす役割を説明します。
講演者略歴（2023年12月時点）
中国におけるSilvaco TCADの技術普及と顧客サポートに長年従事しています。お客様がプロセス・デバイス開発に向けたTCADシミュレーション能力を自ら構築できるよう支援しています。Nanjing Universityで学士号、Fudan Universityで修士号を取得しています。
TowerとSilvacoの連携：設計キットと標準セルライブラリの開発・検証
Ofer Tamir、Tower Semiconductor CAD・設計実装・サポート担当ディレクター
概要
Towerの標準セルライブラリは、すべてのTowerプロセスノードで主にSilvacoから提供されています。最新のライブラリ群はTowerの65nmパワーマネジメントプロセスを対象とし、高度な特性評価とMTBF計算を追加しています。アナログファウンドリであるTowerは、Silvacoのアナログ設計フローを用いてiPDKとSPICEモデルのサポートおよび検証も行っています。Expert、Gateway、SmartLVS、SmartDRCがすべてこのフローに組み込まれています。
講演者略歴（2023年12月時点）
2001年に設計支援・CAD担当ディレクターとしてTowerに入社。すべての設計キット開発と、世界各地のCAD・設計サポートを統括しています。National Semiconductor（現TI）、DSPG、Towerにおいて、EDAとCADの分野で30年以上の経験を有しています。また、TowerのEDA業界との関係構築を担当し、DACや技術フォーラムで講演しています。
製品: Expert, Gateway, SmartDRC/LVS, Standard Cell
高効率コンピューティングに向けた高速・高信頼・低電圧SRAM
Sinan Doluca、Aril 技術担当バイスプレジデント
概要
バッテリー駆動デバイスからクラウドのAI/MLアクセラレータまで、効率が制約条件となっています。ロジックとSRAMを単一電源で動作させ、動的電圧・周波数スケーリングを適用することで、両者の能力を最大限に引き出せます。ただし、それはSRAMマクロが電圧、速度、信頼性の限界に達するまでです。本講演のSRAM技術は、最適化したCMOSを基盤として、0.45 Vから0.8 V、さらにそれ以上の範囲で高速かつ高信頼の動作を目指します。効率的なマイクロアーキテクチャと調整された物理設計を組み合わせ、コンピューティング、グラフィックス、AI/MLエンジンの電力当たりの性能を高めます。
Silvaco ACDプラットフォームを用いた極低温アプリケーション向け高性能I/O設計
Ahmad S. MazumderおよびShaikh A Shams、Silvaco
概要
Silvacoのアナログ・インターフェースIPチームは、4 K（−269°C）で動作する完全に機能する2 Gbps LVDS I/Oを設計し、提供しました。この温度では、標準的な−55°Cから125°Cの範囲とはデバイスの挙動が異なるため、モデリングチームがまず当該温度向けのモデルファイルを作成しました。続いてIPチームがSilvacoのEDAツールでPHYの設計、レイアウト、各種ビューの作成を行いました。このPHYは送信器と受信器を補助ブロックと組み合わせたものです。100 Ωの負荷に3.5 mAを流し、受信器のPAD+とPAD−の間に100 Ωの終端を設けており、いずれもPVTに依存しません。プログラマブル・トランジスタによって調整し、基板レベル、シグナルインテグリティ、パワーインテグリティの要件に適合させます。
講演者略歴（2023年12月時点）
Ahmad S. Mazumder。2019年の入社以来、Silvacoのアナログ・インターフェースIPの開発と顧客サポートの両面でエンジニアリングを率いています。Silvaco入社以前は、C-Cube Microsystems、Broadcom、IntelなどのSoC企業で28年間、DDR、高速SerDes、インターフェース、ESD、品質・信頼性に取り組みました。City University of New YorkでVLSI半導体設計の修士号、Bangladesh University of Engineering and Technologyで電気電子工学の学士号を取得しています。
Shaikh A Shams。2020年からSilvacoのシニアエンジニアとして、アナログ・インターフェースIPを設計しています。それ以前はDialog Semiconductor、GlobalFoundries、Intelで22年間、高速SerDes、インターフェース、電圧レギュレータ、AMS設計・検証に取り組みました。University of Arizonaで電気・コンピュータ工学の修士号を取得しています。
Shaikh A Shams。2020年からSilvacoのシニアエンジニアとして、アナログ・インターフェースIPを設計しています。それ以前はDialog Semiconductor、GlobalFoundries、Intelで22年間、高速SerDes、インターフェース、電圧レギュレータ、AMS設計・検証に取り組みました。University of Arizonaで電気・コンピュータ工学の修士号を取得しています。
製品: アナログ・カスタムIC、LVDS
Viso：高度な寄生素子解析ソリューション
Ayoub Hagrou、STMicroelectronics アナログ設計エンジニア
概要
抽出ネットリストを正確に比較し、ネットに悪影響を及ぼす寄生素子を特定し、タイミングを推定する。Visoは、これらの作業を1つのインターフェースで実現し、回路の挙動を左右することの多いRCネットワークを解析します。STMicroelectronicsのAyoub Hagrouが、実際の回路設計にVisoを適用します。
講演者略歴（2023年12月時点）
STMicroelectronicsのMDG部門で、STM32汎用マイクロコントローラを担当するアナログ設計エンジニアです。
製品: Viso
ディスプレイDTCO：TCADからシステムシミュレーションまで
郭小军教授、上海交通大学
概要
AMOLEDは薄型であるため、スマートフォンやウェアラブル機器で採用が進んでいます。しかし、OLEDの効率と画素解像度が向上すると、画素のピーク電流が低下し、TFTは低階調で動作する時間が長くなります。この領域では、精密な制御と均一性の確保が難しくなります。画質はデバイス自体に加え、周囲光、基板や界面に捕獲された電荷といった外部要因にも敏感になります。本講演では、TCADとシステムシミュレーションを連携させるディスプレイDTCO手法を紹介します。材料・デバイスの特性が画像に及ぼす影響を追跡し、外部要因を検証します。また、ディスプレイの非理想的な挙動に対して、駆動方式や画像処理を評価する方法も紹介します。
講演者略歴（2023年12月時点）
Shanghai Jiao Tong UniversityのSchool of Electronic Information and Electrical Engineeringの終身在職権を持つ教授兼副学部長。Plastic Logic（現FlexEnable）でフレキシブルディスプレイの研究開発（R&D）に従事した後、2009年に同大学に着任しました。研究分野はトランジスタ、ディスプレイ、センサー、デバイス・回路の複合設計、異種集積、新たな製造手法に及び、筆頭著者または責任著者として100本以上の論文を発表しています。IEEE EDSの理事会、IEEE TEDおよびJ-EDSの編集委員会の委員を務め、SID-Chinaの副事務局長でもあります。2018年と2020年のSID Presidential Citations受賞、IEEE EDS Distinguished Lecturerへの任命などの実績があります。Jilin Universityで学士号（2002年）、University of Surreyで電子工学の博士号（2007年）を取得しています。
ディスプレイ技術向け4端子TFTコンパクトモデルと動的シミュレーション手法
Won-Seok Lee、Silvaco韓国 シニア・アプリケーション・エンジニア
講演者略歴（2023年12月時点）
Silvaco Koreaのシニア・アプリケーション・エンジニア。モデリングとデバイスシミュレーションの分野で25年以上の経験を有しています。CMOS、ディスプレイ、パワー/RFデバイスにわたるEDAのお客様を支援し、AMOLED回路シミュレーション向けの高精度な動的ヒステリシスモデルを開発しました。
SURGE China 2023で取り上げた内容
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ウェビナー
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