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Victory Mesh:TCADメッシュ生成とソリッドモデリング

任意の2D・3D TCAD構造で、デバイスの物理現象に必要な場所へメッシュ解像度を集中させます。出発点となるプロセス解析結果がない場合は、ソリッドモデリングで構造を構築できます。

Victory Meshでできること

Victory Meshは、2D・3D TCAD構造のメッシュ生成、細分化、編集を行い、ソリッドモデリングで新しい構造も構築します。デバイスシミュレーションや抽出シミュレーションで解像すべき物理現象に適したメッシュが得られます。プロセスとデバイスの間に位置するTCADメッシュ生成工程です。Victory Processの元の形状・ドーピング情報、または本ツールで構築した構造を入力します。デバイスシミュレーションまたは3D寄生成分抽出向けに細分化されたメッシュが得られ、指定した条件に従って自動的に細分化が行われます。

TCADメッシュ生成、細分化、ソリッドモデリング

対象の構造に適した方式を選び、細分化する領域を指定します。

メッシュ生成方式

Delaunayメッシュ生成は自動方式です。固定格子を使わずにサンプリングし、局所的に細分化します。優先するよう指定した材料、界面、物理量に合わせてメッシュを形成します。

形状適合型メッシュ生成は、ユーザーが指定する方式です。各軸を個別に細分化する半構造直交格子が得られるため、格子線を指定した位置に正確に配置できます。

細分化

Delaunayメッシュ用に、汎用およびデバイス解析専用の8種類の局所細分化方式を用意しています。均一、不純物、接合、等値面、界面、形状、近似距離、品質です。

いずれの方式も、特定の材料やユーザー定義の属性を対象にできます。これにより、接合部は高解像度にしつつ、その下の基板は粗いままにできます。

ソリッドモデリング

形状の生成・変換、構造の結合・切り出し、解析的なドーピングプロファイルの追加が可能です。ガウス分布のドーピングを持つユーザー定義形状からデバイスを構築することも、既存の構造を分割することもできます。

代表的な用途には、対称デバイスの一部を鏡映して全体を構築する、圧縮したデバイスを実寸に伸ばす、領域を切り出したりスライスしたりして詳しく調べる、領域を模擬多結晶粒に置き換える、既存の構造を曲げるといった操作があります。構築・編集したものはすべて、シミュレーション前に再メッシュ生成できます。

入力と出力

n:2Dまたは3DのSilvaco標準構造ファイル(.str)、およびVictory Processの保存状態。

出力:デバイス物理解析用のVictory Device、フィールドソルバーによるRC抽出用のVictory RCx、または.stlや.vtk形式でサードパーティソフトウェアへ渡します。Deckbuildインターフェースから実行し、事前にVictory Visualで結果を確認できます。

TCADフローにおける位置付け

入力:Victory Processの構造、または本ツールでソリッドモデリングにより構築した構造。
出力先:Victory Device、Victory RCx、またはサードパーティツール。

入力

構造

Victory Processから、または本ツールでソリッドモデリングにより構築

本ツール

Victory Mesh

メッシュ生成、細分化、編集

出力

Victory Device

デバイスシミュレーション

併用

Victory RCx

フィールドソルバーによる抽出

併用

サードパーティツール

標準形式:.stlと.vtk

メッシュ生成に対応するデバイス群

先端CMOS

バルクCMOS、PDSOI、FDSOI、FinFET

パワー、RF、BCD

パワーダイオード、IGBT、サイリスタ、GaN HEMT、SiC DMOS、SiC LMOS

ディスプレイ

アモルファスSi・poly-Si TFT、IGZO TFT、LED、OLED、MicroLED

オプトエレクトロニクス

CCD・CMOSイメージセンサ、アバランシェ・PiNフォトダイオード、太陽電池

発表事例と操作ガイド

論文を含め、すべての項目をフォーム入力なしで開けます。

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2022年2月

1200 V縦型GaN FinFETのTCAD降伏シミュレーション

Dynex Semiconductorのエンジニアは、縦型GaN FinFETのプロセスフローをVictory Processで再構築し、Victory Meshでメッシュを生成してから、降伏をシミュレーションしました。

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Simulation Standard

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Victory Meshでカスタムボリュームメッシュを使って構造を再メッシュ生成するには?

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最適化されたTCADデバイスシミュレーションに向けたVictory Meshでの再メッシュ生成方法

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製品概要 · PDF

2022年2月

Victory Mesh:メッシュ生成とソリッドモデリング

量子ドットからMicroLEDまで、機能と5つの構造例を4ページで紹介します。

3つの窓口

評価をご検討の方

メッシュの信頼性をまだ確認できていない構造をご相談ください。評価にはお客様のデバイスデータを使用し、担当のアプリケーションエンジニアが支援します。セルフサービスの試用版はありません。

すでにご利用の方

「サポートとダウンロード」に、ダウンロード、リリースノート、マニュアル、実践例を用意しています。

お困りの方

有効な保守契約をお持ちのライセンスユーザーは、サポートポータルでケースを登録し、解決まで進捗を確認できます。ケースの作成時には、細分化の設定も含めてください。

Victory Meshに関する質問

Victory Meshは何をしますか?

Victory Meshは、TCAD構造をソルバーが利用できるメッシュに変換します。2D・3D構造のメッシュ生成と細分化を行い、切り出し、スライス、鏡映、伸縮によって編集します。ドーピングを含む新しい構造をソリッドモデリングで作成することもできます。結果はデバイスシミュレーションまたはフィールドソルバーによる抽出に渡され、編集のたびに再メッシュ生成できます。

メッシュは、ソルバーが解像できるものを決定します。接合や界面で粗いままにすると、デバイス挙動を決める急峻な勾配が平均化され、結果に現れなくなります。全体を一様に細かくすることが解決策ではありません。局所細分化により、重要な構造部分に要素を集中させ、それ以外は粗く保ちます。

Delaunayは自動の非構造格子です。構造の特徴に追従し、選択した材料、界面、物理量に応じて必要な場所を細分化します。形状適合型はユーザー指定の半構造直交格子で、軸ごとに細分化するため、格子線を設定した位置に維持できます。8種類の局所細分化方式はDelaunay用です。形状適合型は、予測可能な格子を必要とするフローに適しています。

はい。ソリッドモデリングでデバイスを直接構築できます。ユーザー定義形状の生成・結合、解析的またはガウス分布のドーピングの挿入、形状変換を行い、その後に再メッシュ生成とシミュレーションを実行します。プロセスフローがまだない形状に利用できます。また、深くエッチングされたトレンチや凹凸を持つ太陽電池表面など、プロセスシミュレーションでは生成に時間がかかる構造にも適しています。

2Dまたは3DのSilvaco構造ファイル(.str)と、Victory Processの保存状態を開けます。Victory DeviceとVictory RCxは、その出力をそれぞれデバイス物理解析とフィールドソルバーによるRC抽出に直接利用できます。Silvaco以外のソフトウェア向けには、.stlと.vtkをエクスポートします。

はい。Silvaco以外のソフトウェアでも読み込める標準形式である.stlと.vtkをエクスポートできます。本ツールでメッシュ生成・細分化した構造は、その時点でSilvacoフローから取り出せます。その後は、チームが次の工程で使用しているサードパーティツールに直接渡せます。

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Victory Device

Utmost IV

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