Home > Search Results For

March 26, 2019

Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.

TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー – Part2

本ウェビナーは、以前ご紹介したGaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。今回は、TCADデバイス・シミュレータを使用してI-VおよびC-Vデータを生成する方法についても説明します。