SURGE 2023 台湾 / 新加坡线上大会

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SURGE 2023 台湾 / 新加坡线上大会

台湾 / 新加坡 · 2023 年 11 月 23 日，星期四 · 线上大会

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概览

2023 年 11 月 23 日

日期

EMEA

地区

线上

形式

19

三个分会场的会议

关于本次活动

SURGE 台湾/新加坡 2023 的 11 场演讲中，仅两场由 Silvaco 员工主讲。整个活动于 11 月 23 日星期四在线举行，为期一天。

SURGE 是 Silvaco UseRs Global Event 的简称，为 TCAD、EDA 和 IP 从业者提供展示实际项目经验的平台，同时学习其他团队正在尝试的技术。

本届大部分外部演讲嘉宾为研究人员，来自阳明交通大学、台湾大学、A*STAR 微电子研究所、Ferdinand-Braun-Institut 和麦考瑞大学。Unisantis Electronics、Kepler Computing 和 STMicroelectronics 带来了产业视角。Silvaco 台湾和新加坡办公室负责人 Chiping Tu 和 Zhao Qingda 与 CEO Babak Taheri 共同为活动开幕。

议程

Silvaco 支持网站提供 SURGE 台湾/新加坡 2023 每场演讲的视频下载。
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会议

欢迎致辞与介绍

Babak Taheri 博士，Silvaco, Inc. CEO 及董事会成员

Chiping Tu，Silvaco Taiwan 总经理

Zhao Qingda，Silvaco Singapore 董事总经理

自 2019 年 8 月起，除两个月外，他一直担任 Silvaco CEO 和董事。他于 2018 年 10 月加入公司，担任 CTO 兼产品执行副总裁。此前，他担任顾问与咨询公司 Integrated Biosensing Technologies 的 CEO。他拥有加州大学戴维斯分校生物医学工程博士学位，并曾担任该校电气工程系顾问委员会主席。

他是 Silvaco Taiwan 总经理，于 2008 年加入公司，此后一直负责 Silvaco 所有产品在台湾的销售及当地团队管理。他分别在台湾大学和得克萨斯大学奥斯汀分校获得电气工程学士和硕士学位。

他是 Silvaco Singapore 董事总经理，负责新加坡、澳大利亚和东南亚地区的销售，自 2005 年起在 Silvaco 工作。他拥有南洋理工大学电气与电子工程学院学士和硕士学位。

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机器学习：EDA 的新革命

Patrick Groeneveld 博士

从功能描述到掩模图形，需要经过一长串 EDA 算法。其中一些是数值求解器，另一些则是因行之有效而保留下来的启发式算法。每种算法都有由工程师手动调优的参数，通过相对成本权衡面积与速度。

一些较新的工具改用机器学习寻找针对特定设计的参数集。它们反复运行流程，并从 PPA 结果中提取梯度。研究正进一步迈向从一开始就基于 ML 构建的布局和布线 EDA 工具。Groeneveld 博士梳理了 ML 在 EDA 中的现状，以及它在未来十年可能带来的变化。

他曾在 Magma Design Automation 担任首席技术专家，是 RTL-to-GDS2 综合产品开发团队成员。他还曾任职于 Cadence、Synopsys 和 Cerebras，并在埃因霍温大学担任电气工程正教授。目前，他在斯坦福大学电气工程系授课，并担任 Design Automation Conference 执行委员会财务负责人。他拥有代尔夫特理工大学硕士和博士学位。

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面向电动汽车和 AI 数据中心的宽禁带半导体

郭浩中（Hao-Chung Kuo），NYCU 讲座教授、HHR 主任

他的研究领域为光子学，包括半导体激光器、VCSEL、蓝光和紫外 LED，以及太阳能电池。他发表了 400 多篇期刊论文，获得 45 项授权专利。2002 年，他加入交通大学光电工程研究所，此前曾在 Bell Labs、Agilent Technologies 和 LuxNet 工作。他是 IEEE、OSA、SPIE 和 IET 的 Fellow，拥有伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校博士学位。

SURGE 北美 2025 全部 20 场演讲的录像均位于 Silvaco 支持网站。要打开
录像，请登录该网站，或使用工作、大学或政府机构邮箱填写简短表单。

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新型动态闪存和钥匙形浮体存储器

Li Yisuo 博士，Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd

他拥有 24 年 TCAD 经验，曾任职于 GlobalFoundries、Synopsys 和 Global TCAD，并联合创立 Cogenda。自 2008 年起在 Unisantis 工作，先后领导从 32nm 节点到 1.5nm 节点的 Surrounding Gate Transistor 研究，随后转向浮体存储器。他持有 46 项专利，并于 2021 年在 IMW 发表了首篇 1.5nm 节点 SRAM 论文。

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TCAD 仿真最新进展

Li Yisuo 博士，Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd

由负责 Silvaco TCAD 仿真产品线的高管介绍 Victory 最新进展。Guichard 博士还将解释 TCAD 对器件开发的重要性，并阐述其未来发展方向。

他于 1995 年加入现名为 Silvaco SA 的子公司 Silvaco Data Systems，曾担任应用工程等职位。2008 年起担任应用副总裁，2012 年 11 月起担任 TCAD 高级副总裁兼总经理。他拥有格勒诺布尔理工学院材料科学硕士学位和半导体物理博士学位。

产品：TCAD

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Silvaco 仿真工具助力 GaN 功率器件设计与开发

Eldad Bahat-Treidel 博士，Ferdinand-Braun-Institut 高级科学家

横向 GaN 功率器件在最高 650 V 等级的开关应用中已接近商业成熟，但其 RDS(on)·A 与击穿电压之间的性能关系仍未达到 GaN 的材料极限。两种器件路线旨在缩小这一差距：

  • 垂直 GaN 晶体管。其占用的晶圆面积更小，可将 RDS(on)·A 降低一个数量级，达到 1.0 mΩ·cm²。无应变同质外延可形成厚的轻掺杂漂移层，实现超过 1 kV 的阻断能力。
  • 采用 AlN 缓冲层的横向 HFET。其应能更紧密地约束沟道，增强阻断能力并降低色散。

在 FBH，Silvaco 仿真贯穿这两类器件的设计与分析。Bahat-Treidel 博士介绍三个案例：

  • GaN 鳍式 MISFET 电导，与测量结果比较，并预测几何结构和外延层变化的影响
  • 利用雪崩模型设计垂直器件边缘终端，并与实验和理论核对
  • 解释 AlN/GaN HFET 动态导通电阻的俘获和去俘获效应
自 2006 年起，他在柏林 Ferdinand-Braun-Institut 工作，最初开发用于功率电子的高压 GaN 开关晶体管，自 2014 年起研究垂直 GaN 器件。他从光刻领域转入 GaN：先在 Intel 从事工艺工程，随后在 Tower Semiconductor 从事 R&D。他拥有柏林工业大学电气工程博士学位。

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超越 CMOS 的存储器技术

Debo Olaosebikan 博士，Kepler Computing 联合创始人兼 CEO

Kepler Computing 从事超越 CMOS 的设计，尤其关注存储器。Debo Olaosebikan 介绍他和联合创始人创办公司的原因及正在开发的技术，并展示团队如何使用 Silvaco TCAD 仿真新型存储器。

创立 Kepler 前，他曾联合创立 Gigster 并担任 CTO。在康奈尔大学攻读物理学博士期间，他领导该校电驱动硅激光器研究，并在 IBM Almaden 研究自旋电子学。他获得了 2011 年 Future Africa Awards 的最佳科学应用奖。

产品：TCAD

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异构集成的版图设计自动化

张耀文（Yao-Wen Chang），台湾大学院长兼特聘教授

随着 EUV、掩模和设计成本不断增加，将片上集成推进至下一节点的经济优势持续减弱。因此，PPA 提升越来越多地来自 More-than-Moore 异构集成：将分别制造的裸片和组件组装为系统级封装，或在 PCB 上跨封装集成。

这些系统的布局与芯片版图是不同的问题。形状不规则，金属宽度和间距规则各异，热、机械、电气、光学和系统级效应相互作用。传统芯片流程难以妥善处理这些问题。Chang 教授综述集成方案、版图建模方式及由此产生的自动化问题，随后回顾已发表的技术和仍待解决的研究问题。

他是台湾大学电机资讯学院院长兼电气工程特聘教授。2020 年和 2021 年，他担任 IEEE 电子设计自动化委员会（CEDA）主席，是首位来自美国和欧洲以外地区的主席。他是 ACM 和 IEEE 的 Fellow。他的 NTUplace 布局器成为 SpringSoft 及其联合创立的 Maxeda 商业工具中的核心引擎，这两家公司后来均被 Synopsys 收购。

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通过 HFC-V 的 TCAD 仿真表征 SiO2/4H-SiC 界面的各类陷阱

Lakshmi Kanta Bera 博士，新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所（IME）

他是 IME 高级首席科学家，从事 SiC 功率 MOSFET 工艺集成研究。在 SiC 之前，他研究硅基和蓝宝石基 GaN HEMT 及 LED。更早，他曾在 IME 从事先进 CMOS 研究，并在 SilTerra 和 Chartered Semiconductor 从事 40nm 逻辑器件设计。他发表了 100 多篇技术文章，持有 19 项专利，并获得 IEEE EDS George E. Smith 奖。

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采用行业标准 ASM-HEMT 紧凑模型进行功率和 RF 应用的 GaN 器件建模

Sourabh Khandelwal 教授，澳大利亚麦考瑞大学

ASM-HEMT 是 GaN 器件在 RF 和功率领域的行业标准紧凑模型之一。Khandelwal 教授介绍其核心公式及所描述的器件效应，随后展示为两个领域的商业应用开发的 ASM-HEMT 模型，并介绍模型的最新进展。

GaN HEMT 模型 ASM-HEMT 和 ESD 二极管模型 ASM-ESD 均为行业标准，他是两者的主要作者。他担任麦考瑞大学副教授，发表了 100 多篇论文和三部有关器件建模与电路仿真的著作。

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使用 Viso 进行先进寄生参数分析的演示

Ayoub HAGROU，STMicroelectronics 模拟设计工程师

STMicroelectronics 的 Ayoub Hagrou 使用真实电路设计演示 Viso。由于 Viso 仅分析 RC 寄生参数，您可以快速找到影响电路行为的互连。演示还包括时序估算，以及对不同提取结果生成的网表进行并排比较。

他在 STMicroelectronics MDG 部门为 STM32 通用微控制器设计模拟电路。

产品：Viso

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SURGE 台湾/新加坡 2023 主题

功率器件

面向电动汽车和 AI 数据中心的宽禁带器件、FBH 的 GaN 功率仿真、IME 的 SiC 界面陷阱，以及 ASM-HEMT 建模

TCAD

Victory 最新进展、Kepler Computing 的 TCAD 应用，以及 SiC 的 HFC-V 陷阱仿真

逻辑与存储器

Unisantis 的动态闪存与浮体存储器，以及 Kepler Computing 的超越 CMOS 存储器研究

先进封装

台湾大学的异构集成版图自动化

模拟与定制 IC

由 STMicroelectronics 设计工程师演示的 Viso 寄生参数分析

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