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Process Proximity Compensation：通过构建保证正确性的 OPC 和掩模图形综合

根据实际工艺对每条边缘的影响计算掩模，并先通过仿真验证，使掩模能够按原样印制您的版图。

绘制的掩模并非印制出的图形

Silvaco 的 Process Proximity Compensation（PPC）是第三代计算光刻套件，整体采用通过构建保证正确性的 OPC 方法。光学、刻蚀和掩模都会使印制边缘偏离目标。PPC 对三者建模，然后计算能够抵消其综合偏移的掩模。每推进一个节点，挑战都会加大，因为需要在不延长掩模周期或扩大 OPC 团队的情况下控制更严格的尺寸。Silvaco 于 2025 年 3 月从 Cadence 收购了 PPC 及其工程团队。

从工艺数据到已验证掩模的五个阶段

阶段 1

模型校准

根据您自身工艺的实测数据拟合模型。

工具：PPC

阶段 2

预测建模与反演

可从目标图形反演掩模的、基于物理的预测性工艺模型（PPM）。

工具：PPC

阶段 3

通过构建保证正确性的 OPC

根据模型计算掩模，而非通过重复运行进行调优。

工具：PPC；DimensionPPC 中的曲线掩模综合

阶段 4

光源与 SRAF 优化

结合掩模调整照明和辅助图形，以扩大工艺窗口。

工具：PPC

阶段 5

验证

通过仿真检查综合后的掩模；通过掩模规则检查确认其可制造性。

工具：PPC；DimensionPPC 中的 PPV 和曲线 MRC

功能

计算资源与拥有成本

综合与验证均在通用硬件上运行，分布到您已有的集群中，从而缩短掩模周转时间并降低拥有成本。

模型

经过量产验证的光刻、刻蚀和掩模模型。将三者纳入校正后，目标是测量系统报告的刻蚀后关键尺寸，而非光刻胶像。

预测性工艺模型

PPM 从物理角度描述图形化过程，其精度足以支持反向计算。给定晶圆上所需的形状，它即可求出能够印制该形状的掩模。实际中，通过构建保证正确性指的就是这种反演，其背后的优化方法已获专利。

光源与 SRAF 优化

跨多个区域的光源优化及光源与掩模联合优化，可共同调整照明和掩模。混合 SRAF 布置加入辅助图形，目标是在景深允许范围内获得最宽工艺窗口。

配方创建

可通过 GUI 或脚本构建和优化配方。刚接触某一层的工程师可从界面开始。负责流程的工程师将配方保存为脚本，纳入版本控制，以便下次流片时重新运行。因此，校正流程属于整个团队，不会随着某位专家离开而流失。

可仿真的内容

先进节点的关键层

数纳米的边缘放置误差就可能导致某层失效，因此所有关键层在交付前都必须校正。

DRAM 阵列

高密度版图超出曼哈顿掩模形状的印制能力，曲线掩模因而接替其作用。

刻蚀主导的层

刻蚀偏差对最终边缘的影响超过光学效应。

工艺窗口不足的层

必须通过光源和辅助图形重新获得该层所需的景深。

成熟节点和大尺寸几何节点

相同的模型和流程使成熟工艺保持目标精度。

已发表的 PPC 工作

会议报告 · SURGE 2026

2026

曲线 OPC 应用

Micron 的 Nobue Kosa 介绍如何使用 DimensionPPC 将多个 DRAM 层从曼哈顿 OPC 转向曲线 OPC：掩模综合、基于仿真的验证和曲线掩模规则检查。

新闻稿 · PDF

2006 年 2 月

Silvaco 通过收购 Cadence 的 Process Proximity Compensation 产品线扩展产品组合

Cadence 已被半导体公司采用的 OPC 套件及其开发团队加入 Silvaco。Silvaco 承诺确保现有客户项目和支持服务的连续性。

带来尚未达到要求的层

选择持续偏离 CD 目标的层，或您正在新
节点上验证的层，与 PPC 开发团队深入讨论。

关于工艺邻近效应补偿的问题

什么是工艺邻近效应校正？

工艺邻近效应校正（PPC）使印制特征与绘图一致。曝光、光刻胶和刻蚀都会移动特征边缘，因此线条无法完全按绘制形状印制。PPC 预测这种移动，并以相反的幅度预先改变掩模形状。Silvaco 对应的产品是 Process Proximity Compensation。

PPC 与 OPC 有何区别？