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HiSIM_HV 2를 이용한 고전압 전력 소자 모델링

이번 시간에 업계 표준 HiSIM_HV 2 모델을 사용하여, 고전압 소자를 위한 모델 파라미터 추출에 대해 소개합니다. HiSIM_HV 2 모델 파라미터 효과에 대해 먼저 알아보고, Utmost IV를 이용한 모델 파라미터 추출에 대해 단계별로 설명합니다. 마지막으로 최신 버전의 HiSIM_HV 2.2.0에서 구현되는 depletion 모드를 논의합니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • 소자 구조 및 전기적 특성: MOS, LDMOS, HVMOS, 확장 드레인 MOS(XDMOS)
  • HiSIM_HV 모델의 출시 이력: HiSIM_HV 1.2.0, 2.1.0 및 2.2.0
  • HiSIM_HV 2 모델 리뷰: HiSIM 2 코어 및 준 2D 저항 모델
  • HiSIM_HV 2 모델 추출 플로우
  • HiSIM_HV 2.2.0의 신규 depletion 모드

발표

Yoshihisa Iino는 실바코 일본 사무소의 엔지니어로서 20년간 재직하면서, Utmost 소자 특성화 및 SPICE 모델링 제품을 담당하였습니다. 실바코에 앞서, 바이폴라 IC 회사에서 일하였으며 실바코 툴을 사용하는 CMOS 기술 개발 플랫폼을 구축하였습니다. 텍사스 인스트루먼트 일본 사무소에서 확장 드레인 MOS 소자 기술에 대한 수석 특성화 엔지니어로 활동한 바 있으며, 공정 조건과 레이아웃 설계 규칙을 정의하였습니다.

일본 도쿄의 소피아 대학에서 Katsufusa Shono 교수의 지도 아래 전기공학 학사 학위를 받았습니다.

일시: 2015년 3월 29일
장소: 온라인
시각: 3:00am-4:00am (한국 시각)
언어: 일본어

참석 대상

고전압 기술 소자를 위한 SPICE 모델링 엔지니어, HiSIM_HV 2에 관심있는 회로 설계자