SURGE 대만 / 싱가포르 2023 온라인 행사
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SURGE 대만 / 싱가포르 2023 온라인 행사
대만 / 싱가포르 · 2023년 11월 23일 목요일 · 온라인 행사
한눈에 보기
2023년 11월 23일
날짜
EMEA
지역
온라인
진행 방식
19
3개 트랙의 세션
행사 소개
SURGE 대만/싱가포르 2023에서는 11개 발표 중 두 개만 Silvaco 직원이 진행했습니다. 행사는 11월 23일 목요일 하루 동안 온라인으로 개최되었습니다.
Silvaco UseRs Global Event의 약자인 SURGE는 TCAD, EDA 및 IP 분야 전문가들이 실제 프로젝트에서 얻은 경험을 공유하는 자리입니다. 다른 팀이 시도하는 기법도 배울 수 있습니다.
이번 행사의 외부 연사는 대부분 연구자였습니다. National Yang Ming Chiao Tung University, National Taiwan University, A*STAR의 Institute of Microelectronics, Ferdinand-Braun-Institut, Macquarie University에서 참여했습니다. Unisantis Electronics, Kepler Computing, STMicroelectronics는 산업계의 관점을 제공했습니다. Silvaco 대만 및 싱가포르 사무소를 이끄는 Chiping Tu와 Zhao Qingda가 CEO Babak Taheri와 함께 행사를 시작했습니다.
프로그램
Silvaco 지원 사이트에서 SURGE 대만/싱가포르 2023의 모든 발표 영상을 다운로드할 수 있습니다.
먼저 로그인하거나 직장 또는 대학 이메일로 정보를 입력해야 합니다.
세션
환영사 및 소개
Babak Taheri 박사, CEO 겸 이사회 이사, Silvaco, Inc.
Chiping Tu, 총괄 책임자, Silvaco Taiwan
Zhao Qingda, 대표, Silvaco Singapore
발표자 약력, 2023년 11월
발표자 약력, 2023년 11월
발표자 약력, 2023년 11월
머신러닝: EDA의 새로운 혁명
Patrick Groeneveld 박사
초록
기능 설명과 마스크 패턴 사이에는 긴 EDA 알고리즘 체인이 있습니다. 일부는 수치 솔버이고 다른 일부는 효과가 입증되어 계속 사용되는 휴리스틱입니다. 각 알고리즘에는 엔지니어가 수동으로 조정하는 파라미터가 있으며 상대 비용을 통해 면적과 속도의 균형을 맞춥니다.
일부 최신 도구는 대신 머신러닝으로 설계별 파라미터 집합을 찾습니다. 플로를 반복 실행하고 PPA 결과에서 기울기를 추출합니다. 연구는 더 나아가 배치 및 배선을 위해 처음부터 ML을 기반으로 구축한 EDA 도구를 지향합니다. Groeneveld 박사는 EDA에서 ML의 현황과 향후 10년간 가져올 수 있는 변화를 살펴봅니다.
발표자 약력, 2023년 11월
전기차 및 AI 데이터센터용 WBG 반도체
郭浩中 (Hao-Chung Kuo), NYCU 석좌교수, HHR 디렉터
초록
발표자 약력, 2023년 11월
SURGE North America 2025의 20개 발표 전체 녹화 영상은 Silvaco 지원 사이트에서 제공됩니다. 영상을 열려면
해당 사이트에 로그인하거나 직장, 대학 또는 정부 기관 이메일로 간단한 양식을 작성하세요.
새로운 동적 플래시 메모리와 열쇠 형상 플로팅 바디 메모리
Li Yisuo 박사, Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
발표자 약력, 2023년 11월
TCAD 시뮬레이션 업데이트
Li Yisuo 박사, Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
초록
발표자 약력, 2023년 11월
제품: TCAD
GaN 기반 전력 소자의 설계 및 개발을 지원하는 Silvaco 시뮬레이션 도구
Eldad Bahat-Treidel 박사, 선임 연구원, Ferdinand-Braun-Institut
초록
수평형 GaN 전력 소자는 650 V급까지의 스위칭 응용에서 상용화 성숙 단계에 가까워졌습니다. 그러나 항복전압 대비 RDS(on)·A는 여전히 GaN 재료의 한계에 미치지 못합니다. 두 가지 소자 접근법이 이 격차를 줄이고자 합니다.
- 수직형 GaN 트랜지스터. 웨이퍼 면적을 줄이고 RDS(on)·A를 한 자릿수 규모 낮춰 1.0 mΩ·cm²로 만듭니다. 변형이 없는 동종 에피택시는 1 kV 이상을 차단하는 두껍고 약하게 도핑된 드리프트층을 구현할 수 있게 합니다.
- AlN 버퍼 위의 수평형 HFET. 채널을 더 강하게 구속하여 차단 능력을 높이고 분산을 줄일 것으로 기대됩니다.
FBH는 두 소자의 설계 및 분석 전반에 Silvaco 시뮬레이션을 활용합니다. Bahat-Treidel 박사는 세 가지 사례를 설명합니다.
- GaN 핀 MISFET의 컨덕턴스를 측정과 비교하고 형상 및 에피택시층에 따라 예측
- 애벌랜치 모델로 설계하고 실험 및 이론으로 검증한 수직 소자의 에지 종단
- AlN/GaN HFET의 동적 온저항을 설명하는 트래핑 및 디트래핑 효과
발표자 약력, 2023년 11월
CMOS를 넘어서는 메모리
Debo Olaosebikan 박사, 공동 창립자 겸 CEO, Kepler Computing
초록
발표자 약력, 2023년 11월
제품: TCAD
이종 집적을 위한 레이아웃 설계 자동화
張耀文 (Yao-Wen Chang), 학장 겸 특훈교수, National Taiwan University
초록
EUV, 마스크, 설계 비용이 모두 증가하면서 온칩 집적을 다음 노드로 이전하는 경제적 타당성은 계속 약해지고 있습니다. 따라서 PPA 개선은 개별 제조된 다이와 부품을 System-in-Package로 조립하거나 PCB에서 여러 패키지로 구성하는 More-than-Moore 이종 집적에서 점점 더 많이 이루어지고 있습니다.
이러한 레이아웃은 칩 레이아웃과 다른 문제입니다. 형상이 자유롭고 금속 폭과 간격 규칙이 다양하며 열, 기계, 전기, 광학 및 시스템 수준의 효과가 상호작용합니다. 기존 칩 설계 플로는 이를 잘 처리하지 못합니다. Chang 교수는 집적 옵션, 레이아웃 모델링 방법, 그에 따른 자동화 문제를 살펴봅니다. 이어서 발표된 기법과 아직 해결되지 않은 연구 과제를 검토합니다.
발표자 약력, 2023년 11월
SiO2/4H-SiC 계면의 다양한 트랩 특성화를 위한 HFC-V TCAD 시뮬레이션
Lakshmi Kanta Bera 박사, Institute of Microelectronics(IME), Agency for Science, Technology and Research(A*STAR), 싱가포르
발표자 약력, 2023년 11월
산업 표준 ASM-HEMT 콤팩트 모델을 활용한 전력 및 RF 응용용 GaN 소자 모델링
Sourabh Khandelwal 교수, Macquarie University, 호주
초록
발표자 약력, 2023년 11월
Viso를 활용한 고급 기생 성분 분석 시연
Ayoub HAGROU, 아날로그 설계 엔지니어, STMicroelectronics
초록
발표자 약력, 2023년 11월
제품: Viso
SURGE 대만/싱가포르 2023 주요 주제
전기차 및 AI 데이터센터용 와이드 밴드갭 소자, FBH의 GaN 전력 시뮬레이션, IME의 SiC 계면 트랩, ASM-HEMT 모델링
Victory 업데이트, Kepler Computing의 TCAD 활용, SiC의 HFC-V 트랩 시뮬레이션
Unisantis의 동적 플래시 및 플로팅 바디 메모리와 Kepler Computing의 beyond-CMOS 메모리 연구
National Taiwan University의 이종 집적용 레이아웃 자동화
STMicroelectronics 설계자가 수행하는 Viso 기생 성분 분석