Learn How to Simulate 2D-TMD-Channel FETs with Atomistic Precision
2D-TMDチャンネル・トランジスタは、シリコンに取って代わる候補として適しているでしょうか？FETチャネルの数原子層への極端な微細化を考慮すると、原子論的なソリューションのみがこの問いの答えに迫ることができると思われます。本ウェビナーでは、Victory Atomisticツールが量子力学を駆使してこの本質的な問いに答え、いかにしてプロフェッショナルなTCAD環境における2Dトランジスタのプロトタイピングに価値あるサポートを提供できるかをお伝えします。
内容
- 原子スケールでの2次元TMD NR アーキテクチャーに関する物理学と工学の理解
- アトミスティックTCADを使用する理由
- 原子レベルでのシミュレーションとプロトタイプの作成方法
- 2D-TMD TFETの例
プレゼンタ
Dr. Philippe Blaise, Senior Application Engineer, Silvaco, Inc.
Philippe Blaise博士は、シルバコのTCAD部門で3年間、原子シミュレーションのシニア・アプリケーション・エンジニアを務めています。シルバコ入社以前は、CEA/LETIで15年間、新しいメモリ・デバイスやトランジスタの原子論的シミュレーションを専門とするシニア・エンジニアを務めていました。IEEE IEDM Modelling and Simulation Committeeの元メンバーでもあります。この分野のピアレビュー誌に50以上の論文、会議やワークショップに30以上の寄稿、さらに5つの特許と1つの本の章の共著者でもあります。
ENSIMAG工学部で応用数学の修士号を、フランスのUniversité Grenoble Alpesで固体物理学の博士号を取得しています。
対象 :
高度なプロセス形状における次世代原子論的デバイスの超高速シミュレーションを効率的に実現するソリューションをお探しのTCADエンジニアとマネージャの方
[日本時間]
開催日時:
2024年9月26日
11:00am JST (10:00 Beijing)
6:00pm JST (11:00 Paris)
2024年9月27日
2:00am JST (10:00 Santa Clara)
(各回、同じ内容になります。)
配信: オンライン
言語: 英語