Learn How mqSemi AG Developed 3D Power Devices Proof of Concept with Silvaco TCAD Simulations

配信開始日: 2022年3月30日

現在、自動車、再生可能エネルギー、産業など多くのアプリケーションで利用されるパワー・エレクトロニクス・コンバータには、シリコンのIGBTやSiC MOSFETが、主要なパワー半導体スイッチとして使用されています。両デバイスのコンセプトは進化を続けており、より低コストで電気的特性と信頼性の向上を目指す開発トレンドが続いています。

既存のパワーデバイス・メーカに加え、近年では多くのスタートアップ企業が設立され、斬新なソリューションを提供しています。これらのソリューションの多くは、より高い性能レベルを達成するための3Dデザイン・コンセプトに基づいています。このような半導体デザインのコンセプトを実用レベルで実証することは、資金に限りのあるスタートアップ企業にとって大きなコスト負担となる可能性があります。

そのため、価値創造の初期段階に、より迅速で費用対効果の高い方法を選択するためには、新規構造を実証するための3D TCADシミュレーションが必要です。シルバコは、新しいS-MOSセルのコンセプトを開発したスタートアップ企業のmqSemi AGに、1200VのシリコンIGBTとSiC MOSFETのコンセプトを実証可能なTCADツールを提供し、そのサポートを行いました。本ウェビナーでは、mqSemiの紹介と3D TCADモデルおよびシミュレーション結果、そしてシルバコの強力なVictory ProcessとVictory Deviceを紹介します。

内容

• 高耐圧MOSFETスイッチの特性
• 高性能を実現するための3Dコンセプトの活用法
• TCADによる3Dモデルの作成
• シミュレーション結果の活用方法

プレゼンタ

Dr. Munaf Rahimo, Founder and General Manager – mqSemi AG, Switzerland

Munaf Rahimo博士は、25年に渡る企業での勤務を含め、30年近くパワー半導体デバイスの研究開発に携わってきました。IGBT、ダイオード、サイリスタ、SiC MOSFETなど、幅広いパワー半導体デバイスの技術および製品プラットフォームの開発に貢献しました。2000年以降は、 ABB Switzerland Ltdにて多くの技術職を歴任し、2012年にはABB Corporate Executive Engineer という栄誉ある称号を授与されています。2018年にABBを退職後、コンサルティングと起業のビジネスモデルを調査し、2019年にパワー半導体のスタートアップ企業であるmqSemi AGを設立しました。

対象:

半導体デバイス、IP、回路、CAD、SoCそしてシステム・デザインに携わる技術者、プロダクト・マネージャおよびエンジニアリング・マネージャ

[日本時間]
開催日: 2022年3月25日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語