シルバコTCAD: 入門と基礎 – チュートリアル
パートII – TCADデバイス・シミュレーション
配信開始日: 2019年5月22日
シルバコのTCADは、半導体技術の開発において幅広いアプリケーションに適用することができます。TCADは、デバイスの製造および動作について、さらに詳しい理解を得るために大変有用なツールであることが実証されています。エンジニアが半導体の研究開発にTCADを適用した場合、TCADは実験的に実現が難しいまたは不可能であるという洞察を提供してくれます。また、デバイス性能の向上、歩留まりの向上、開発期間の短縮にも役立ちます。
しかしながら、TCADを活用するには複雑なスキルを必要とするため、エンジニアは自身の持つ固体物理学者、電気技術者、または回路設計者としての技能および経験を適用する必要があります。このような知識をTCADの基盤技術と結びつけることにより、シミュレーションの目標を達成可能となります。TCADソフトウェアは、産学の持つ物理知識、高度な数値解析手法、ユーザ・インタフェース、そして自動化を統合することで、エンジニアが必要とする解を得られるようにしています。
この3部構成のウェビナーでは、シルバコTCADのソフトウェア・スイートを紹介し、入門用トレーニングおよびチュートリアルを提供します。このシリーズにより、複雑なTCADに対して適切なスタート地点から取り組み、確信を持ってTCADシミュレーションを成功させる方法を短期間で習得することが可能です。
パートII – TCADデバイス・シミュレーション
このウェビナーシリーズのパートIIでは、デバイス・シミュレーション・デッキの新規作成について説明します。ここでは、DeckBuildの使用方法および機能的にシミュレーション・デッキを記述する方法を習得します。本ウェビナーは、チュートリアルに重点を置き、デバイスの作成、実行の方法をデバイス・シミュレータを使用し、メッシュの仕様、材料パラメータとモデルの設定からデバイス特性のシミュレーション、TonyPlotでの結果解析までを含め段階的に説明します。本ウェビナーでは、ユーザがTCADフローをより深く理解し、主要コンセプトを固め、実用的なTCADシミュレーションを実行できる技術を習得できるよう支援します。
内容
- デバイス・シミュレーションの簡単な紹介
- シルバコのデバイス・シミュレータ、AtlasおよびVictory Device
- TCADユーザ・インタフェースの紹介
- Atlas/Victory Deviceシンタックスの基礎
- DeckBuildでの入力ファイルの作成
- デバイス・シミュレータ・ツールでの構造およびメッシュの定義
- デバイス領域に対する材料パラメータおよびモデルの適用
- デバイス特性を得るための解析条件の設定
- デバイス・シミュレーション結果の解析方法
- TonyPlotへの結果の表示と解析
- TonyPlotの効率的な使用方法
プレゼンタ
Thomas Jokinenは、シルバコTCAD部門のField Applications Engineerです。Thomasは、2017年からマサチューセッツ州ノース・チェルムズフォードにあるシルバコ東海岸のオフィスで勤務しています。パワー・デバイス、オプトエレクトロニクス、ディスプレイ、その他を含む幅広いアプリケーションのTCADサポートを統括しています。
Thomasは、ケンタッキー州ルイビルにあるルイビル大学で、電気工学の学士号および修士号を取得しています。
[日本時間]
開催日: 2019年5月22日
配信: オンライン
開催時間: 2:00am-3:00am JST
言語: 英語
対象
すべての半導体テクノロジの物理シミュレーションに興味をお持ちの研究者、エンジニア、材料科学者、マネージャ