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August 16, 2022

Know how your circuit behaves across process variation before silicon tells you, with Monte Carlo-accurate results up to 30X faster.

4 years ago

Learn How Victory Atomistic TCAD Solution Can Help You Succeed at Prototyping Atomistic Nanoscale Devices

2022年9月9日 | 2:00-2:30 JST 超微細電界効果トランジスタ(FET)技術は、5nmノード以下の最先端技術アーキテクチャを設計するために、原子スケールでのシミュレーションを必要としています。Victory Atomisticは、非平衡グリーン関数(NEGF)と最先端のバンド構造計算を組み合わせることで、汎用的で予測性の高い高速シミュレーションを可能にします。