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SURGE 2025 中国线上大会

中国 · 2025 年 1 月 17 日，星期五 · 北京时间 13:00–17:00 · 线上活动

概览

2025 年 1 月 17 日

日期

中国

地区

线上

形式

19

三个分会场的会议

关于本次活动

SURGE China 2025 于 1 月 17 日星期五下午在线举行。四小时，19 场演讲。

SURGE 是 Silvaco 为工具用户举办的大会，促进用户持续相互学习。本届大会包括 Ciena 的量子输运研究、TU Wien 的等离子体刻蚀机器学习研究，以及 SilTerra Malaysia 的单元库表征。Silicon Creations 和粤芯半导体也发表了演讲，同时 Silvaco 介绍了 TCAD、EDA 和 IP 的最新进展。

分会场

议程

SURGE North America 2025 全部 20 场演讲的录像均位于 Silvaco 支持网站。要打开
其中一场，请先登录，或使用工作、高校或政府机构电子邮箱填写简短表单。

主会场

公司最新进展

Babak Taheri 博士，Silvaco，CEO及董事会成员

人工智能如何将EDA推向新高度

Wally Rhines，Cornami 总裁及CEO、Silvaco董事会成员

半导体工艺和器件分会场

TCAD最新进展

Eric Guichard 博士，Silvaco，公司高级副总裁及TCAD事业部总经理

摘要

介绍 Victory TCAD 仿真产品的当前进展，以及 TCAD 为何在新器件开发中发挥如此重要的作用，随后探讨 TCAD 的未来发展方向。

产品：TCAD

通过量子传输仿真研究纳米线晶体管的低温特性

Sanam Moslemi-Tabrizi，Ciena，模拟工程师

演讲嘉宾简介，2025 年 1 月

在纳米尺度下，量子效应占据主导地位，经典仿真器无法捕捉这些效应。因此，Ciena 的模拟团队开始构建自己的器件模型，而不再仅依赖供应的模型。Victory Atomistic 通过自洽求解泊松－薛定谔方程，满足了 Ciena 的初步要求，随后两家公司合作扩展其功能。对于 Ciena 在室温下的 5nm 器件，仿真趋势与实验室数据一致。下一步是量子比特研究，旨在通过仿真替代昂贵的低温测量。目前仍在改进最低温度和偏置条件下的收敛性。

产品：Victory Atomistic

用于多尺度等离子体工艺集成和优化的机器学习

Lado Filipovic 博士，TU Wien，副教授

摘要

在等离子体刻蚀中，难点在于使反应器尺度的腔室条件与特征尺度的轮廓保持一致。Filipovic 博士介绍基于设备信息的特征尺度模型和机器学习代理模型。代理模型通过实验数据和设备仿真数据进行学习，其中包括混合等离子体设备模型（HPEM）。其通量预测速度足以支持对 CMOS 和新兴器件所依赖的高深宽比结构进行实时优化，从而减少晶圆厂中的试错运行次数。

使用TCAD软件应对研发过程中的工艺和器件挑战

高沛雄博士，粤芯半导体，TCAD仿真经理

在Fab Technology Co-Optimization中应用人工智能技术

Christian Caillat 博士，Silvaco，TCAD应用工程师

摘要

晶圆厂优化通常需要在实际晶圆上进行实验设计，每轮实验可能持续数周或数月。机器学习提供了另一条途径，并已投入生产使用：在软件中对单个制造步骤进行建模，且精度足以支持可信决策。FTCO 利用您的晶圆厂和 TCAD 数据构建数字孪生模型。Caillat 博士通过具体实例介绍 FTCO 流程。

产品：FTCO

功率器件SPICE建模——SiC DMOS参数提取方法研究

Bogdan Tudor 博士，Silvaco，建模负责人

摘要

使用紧凑模型、Verilog-A 或宏模型构建 Si、GaN 和 SiC 功率器件的 SPICE 模型。演讲的大部分内容围绕单个 SiC DMOS 的参数提取展开，包括拟合 I-V 和 C-V 数据，以及处理随偏置变化的电容。随后根据动态行为调优模型，并捕捉动态温度效应。

功率器件物理设计的EDA解决方案

Stefano Pettazzi，Silvaco，应用工程师

摘要

物理设计与验证决定分立功率器件能否可靠运行和制造。功率器件版图包含大量曲线形状，而 DRC 引擎往往难以处理。本会议展示如何使用 Expert 构建这些版图，并使用 SmartDRC 在保持精度的同时快速验证曲线几何图形。最后简要介绍采用同一家供应商的 TCAD 和 EDA 工具进行功率器件开发。

IC设计分会场

EDA和IP最新进展

Ben Louie，Silvaco，公司副总裁及IP事业部总经理

摘要

介绍 Silvaco 模拟与定制设计工具的新特性、新功能，以及 EDA 产品线的后续发展方向。

Jivaro Pro高级寄生参数缩减

Chung-Chun Chen，Silicon Creations，模拟设计总监

产品：Jivaro Pro

使用Viso探索、分析和解决高级寄生问题

Carlos Berlitz，Silvaco，应用工程师

摘要

寄生参数可能严重影响先进节点设计，而通过仿真追查这些问题十分耗时。Viso 直接分析 RC 寄生网络，估算时序、串扰和网络间匹配，并突出显示设计中的问题位置。Carlos Berlitz 将在高速电路上演示这一功能，无需反复进行耗时的仿真。

产品：Viso

标准单元库特征化的挑战与改进

Siti Mariyam，SilTerra Malaysia，高级IP工程师

摘要

运营中的晶圆代工厂经常调整工艺，每次变更都意味着需要重新优化和验证 IP 库。SilTerra 展示 Silvaco 工具在其库开发流程中的作用，以及这些工具如何缩短表征时间。

产品：Standard Cell

先进FinFET工艺中的低电压标准单元库IP设计

Fernando Carrion，Silvaco，研发工程师

摘要

低电源电压会改变先进 FinFET 节点中标准单元的行为：面积、时序、功耗和变异性都会发生变化。Fernando Carrion 首先介绍这些影响，随后介绍 Silvaco 面向 FinFET 节点的低电压库。其中包括多位触发器、状态保持触发器、采用较短晶体管堆叠结构的高扇入单元，以及 Power Management Kit（PMK）。多阈值选项可让您根据设计需求设置性能与功耗的平衡。

产品：Standard Cell

使用Cello FinFET进行先进工艺节点单元库开发

Felipe Bortolon，Silvaco，工程经理

摘要

Cello FinFET 减少了为先进节点构建单元库的工作量。Felipe Bortolon 展示两种用途：将现有库迁移至新节点，以及从 CDL 文件自动生成 GDSII。

产品：Cello FinFET

低电压设计的Bandgap基准

Ahmad S. Mazumder，Silvaco，工程总监

摘要

带隙基准在电源、负载、时间、温度和工艺变化时，仍可保持输出电压近乎恒定。Silvaco 使用 TSMC N3P 3nm FinFET 设计了两款带隙基准：0.45 V 低电压基准和 0.92 V 较高电压基准。两者在 −45°C 至 150°C 范围内的偏差均保持在 1% 以内。

低电压设计的LDO

Shaikh A Shams，Silvaco，应用工程师

摘要

这款采用 TSMC N3P 3nm FinFET 的无电容 LDO 可提供高达 30 mA 电流。在 1.2 V ±10% 输入下，其输出可在 0.45 V 至 0.9 V 之间以 50 mV 步进设置。在 −40°C 至 125°C 的各 PVT 工艺角条件下，PSRR 在 1 kHz 时保持高于 40 dB，在 10 MHz 时保持高于 29 dB。面对 1 A/ns 负载阶跃，下冲和过冲均低于 18 mV。整个设计的面积小于 3,400 µm²。

CAN-XL汽车总线IP介绍

Mauricio Brochi，Silvaco，汽车IP总监

摘要

介绍 CAN 总线如何发展为 CAN XL。1986 年推出的最初 CAN 协议采用非破坏性帧仲裁，使高优先级流量获得总线使用权，并使故障节点退出。CAN FD 于 2011 年推出，速率可达 8 Mbps，有效载荷为 64 字节。CAN XL 将其提升至 20 Mbps 和 2,048 字节。它还可连接 10BASE-T1 等以太网标准，服务于如今已涵盖软件定义汽车的车载网络。

SPICE Simulation

Variation and Yield

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SURGE 2025 中国线上大会

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2025 年 1 月 17 日

日期

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地区

线上

形式

19

三个分会场的会议

关于本次活动

分会场

议程

主会场

公司最新进展

Babak Taheri 博士，Silvaco，CEO及董事会成员

人工智能如何将EDA推向新高度

Wally Rhines，Cornami 总裁及CEO、Silvaco董事会成员

半导体工艺和器件分会场

TCAD最新进展

Eric Guichard 博士，Silvaco，公司高级副总裁及TCAD事业部总经理

产品：TCAD

通过量子传输仿真研究纳米线晶体管的低温特性

Sanam Moslemi-Tabrizi，Ciena，模拟工程师

产品：Victory Atomistic

用于多尺度等离子体工艺集成和优化的机器学习

Lado Filipovic 博士，TU Wien，副教授

使用TCAD软件应对研发过程中的工艺和器件挑战

高沛雄 博士，粤芯半导体，TCAD仿真经理

在Fab Technology Co-Optimization中应用人工智能技术

Christian Caillat 博士，Silvaco，TCAD应用工程师

产品：FTCO

功率器件SPICE建模——SiC DMOS参数提取方法研究

Bogdan Tudor 博士，Silvaco，建模负责人

功率器件物理设计的EDA解决方案

Stefano Pettazzi，Silvaco，应用工程师

IC设计分会场

EDA和IP最新进展

Ben Louie，Silvaco，公司副总裁及IP事业部总经理

Jivaro Pro高级寄生参数缩减

Chung-Chun Chen，Silicon Creations，模拟设计总监

产品：Jivaro Pro

使用Viso探索、分析和解决高级寄生问题

Carlos Berlitz，Silvaco，应用工程师

产品：Viso

标准单元库特征化的挑战与改进

Siti Mariyam，SilTerra Malaysia，高级IP工程师

产品：Standard Cell

先进FinFET工艺中的低电压标准单元库IP设计

Fernando Carrion，Silvaco，研发工程师

产品：Standard Cell

使用Cello FinFET进行先进工艺节点单元库开发

Felipe Bortolon，Silvaco，工程经理

产品：Cello FinFET

低电压设计的Bandgap基准

Ahmad S. Mazumder，Silvaco，工程总监

低电压设计的LDO

Shaikh A Shams，Silvaco，应用工程师

CAN-XL汽车总线IP介绍

Mauricio Brochi，Silvaco，汽车IP总监

产品：汽车 IP

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