光刻
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计算光刻与邻近效应校正软件
基于实测晶圆拟合的光刻仿真、邻近效应校正与模型校准。交付的掩模能够印制出您绘制的图形，并由首批晶圆验证。
什么是计算光刻？
计算光刻软件预测掩模图形如何印制到晶圆上，并调整
掩模，使印制结果与设计一致。工艺邻近效应校正是其核心步骤。它模拟
曝光、光刻胶和刻蚀如何使各个图形特征畸变，移动掩模边缘以抵消畸变，然后通过仿真检查
校正后的掩模。
问题所在
晶圆上印制的图形并非您绘制的图形。当特征尺寸小于曝光波长时，衍射、光刻胶和刻蚀都会使边缘偏离目标。线条变细，拐角变圆，线端回缩。即使版图完美，也可能形成不符合预期的芯片。
软件的作用
它使用基于您的芯片校准的模型预测偏移、校正版图，并在数据送至掩模厂之前对结果进行回仿。
使用时机
验证新节点时，用于判断某一层能否印制。在流片时，用于每一个关键层。在良率爬坡阶段，当某一层持续偏离关键尺寸且原因尚不明确时，也可使用。
从绘制版图到实测芯片，再反馈回来
芯片上一层的测量结果，可改善下一层的校正。
输入
设计意图
按原样绘制的版图
01
光刻模型
空间像和光刻胶像
02
PPC 校正
移动边缘以补偿
03
掩模数据
已校正，可供写入
04
验证
回仿并进行规则检查
05
芯片结果
在晶圆上测量
输出
模型校准
根据您的数据重新拟合模型
返回箭头是关键。根据您自己的测量结果重新拟合模型，校正才能达到目标。
一个校正流程中的四项任务
光刻仿真
在投入掩模制作成本前，查看掩模将印制出什么。基于物理的光刻模型预测每个特征的空间像和光刻胶像。
工艺邻近效应校正
依据校准模型校正版图，通过构建保证正确性，而非反复试错。光源与掩模联合优化同时调整照明和掩模，混合 SRAF 布置则扩大工艺窗口。
模型校准
将模型拟合到晶圆或 CD-SEM 测量结果。Silvaco 的预测性工艺模型除光学外，还涵盖光刻胶、刻蚀和掩模行为，使校正目标尺寸与最终形成于芯片的尺寸一致。
验证和规则检查
重新仿真校正后的掩模，将印制轮廓与目标比较。随后通过掩模规则检查确认每个形状均可写入，再进行
交付。
光刻工具
Silvaco 于 2025 年 3 月从 Cadence 引入 Process Proximity Compensation。
DimensionPPC 用于曲线掩模。
图形保真面临挑战的场景
各处遵循相同的物理规律。不同之处在于哪种畸变会消耗误差预算。
晶圆代工厂、节点、格式和平台
运行平台与处理对象。未公布的信息会明确标出。
晶圆代工厂和节点
PPC 已用于从大尺寸几何结构到最先进工艺的量产。PDK 表涵盖 Silvaco 的模拟与定制 IC 工具；有关光刻支持范围，请直接咨询我们。
操作系统与计算资源
综合与验证在通用硬件上以流水线方式执行，因此整层任务可分布到您的集群中。
使用者及其应用
使用者及其应用
DRAM
曲线 OPC
Micron
在 DimensionPPC 上评估并实施曲线 OPC 流程，成功应用于多个 DRAM 层——在这些场景中，曼哈顿掩模几何已过于受限，无法在保证良率的同时满足掩模规则。
Nobue Kosa，技术团队成员，先进掩模开发、配方与工具开发
光刻论文与专题报告
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会议报告
2026
曲线 OPC 应用
Micron 使用 DimensionPPC 在 DRAM 层开展的曲线 OPC 工作。
期刊文章
2006 年 2 月
使用 Athena/Optolith 仿真接近式光刻
历史资料。无投影系统的接近式印制，以及光刻胶中的空间像为何成为掩模的畸变副本：这正是邻近效应校正要消除的效应。
期刊文章
2003 年 2 月
ATHENA 中的光学光刻模型
历史资料。接触式、接近式和投影式光刻背后的模型集——复折射率的 Helmholtz 方程解、光束传播及非线性光刻胶行为。
期刊文章
2000 年 8 月
复杂非平面光刻胶—衬底结构中的曝光
历史资料。表面形貌引起的反射和切口效应，以及随剂量变化的折射率——这些效应使现有结构上的图形化比平坦晶圆更困难。
光刻工具的授权与支持
下采购订单前需要了解的问题。如果已公布的答复
涵盖其他产品系列而非本系列，将明确说明，不会含糊带过。
光刻常见问题
什么是工艺邻近效应校正？
工艺邻近效应补偿通过调整光掩模，使晶圆上形成的图形与版图一致。它计算各特征在掩模到晶圆之间的偏移，再预先改变掩模形状以抵消偏移。Silvaco 的 PPC 套件由此得名。
PPC 与 OPC 有何区别？
光学邻近效应校正（OPC）校正曝光过程中光学效应造成的影响。PPC 还考虑光刻胶、刻蚀和掩模效应，这些也会改变最终尺寸。Silvaco 的 Process Proximity Compensation 是一套 OPC 工具，其工艺模型涵盖更广泛的效应，因此以您最终测得的尺寸为校正目标。
计算光刻用于什么？
计算光刻使亚波长特征能够正确印制，在先进节点上意味着每一个关键层。团队在节点验证、流片前掩模数据准备，以及良率爬坡因某层尺寸不稳定而停滞时依赖它。
如何校准光刻模型？
依据您自己的测量结果。先印制测试图形，通过 CD-SEM 或其他测量技术测量，再调整模型，直到仿真复现晶圆结果。Silvaco 的预测性工艺模型以此方式拟合光刻胶、刻蚀和掩模行为，描述的是您的具体工艺，而非通用工艺。
光刻如何与 Silvaco TCAD 衔接？
它们位于同一晶圆流程的两侧。光刻确定印制图形；包括 Victory Process 在内的 Silvaco TCAD 模拟晶圆厂接下来的加工过程。两者均属于 Silvaco 的 AI 驱动制造部门，与 FTCO 并列；FTCO 将 TCAD 物理模型实时提供给晶圆厂工程师。
支持哪些晶圆代工厂和节点？
Silvaco 的 PDK 表列出其模拟与定制 IC 工具的支持情况。光刻不在其中，因此对于掩模流程，更有意义的问题是您的层类型是否已有校正经验。请就此咨询我们。
能否在 GPU 上运行？
目前公布的信息是：PPC 在通用硬件上分布式执行综合和验证。请提供您的集群规模和层数，我们将为您确定运行配置。
是否可用于大学研究？
Silvaco 的 University Program 为超过 200 所大学授权工具，用于研究和教学，独立于商业销售。请向该计划提供您团队的项目以确认。