Victory Process
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Victory Process: 2D 및 3D 반도체 공정 시뮬레이션
GDSII 레이아웃에서 모든 이온 주입, 확산, 산화, 증착 및 식각 단계를 시뮬레이션하고 완성된 1D, 2D 또는 3D 구조를 소자 시뮬레이션에 전달합니다.
Victory Process의 기능
Victory Process는 레이아웃을 기반으로 하는 2D 및 3D 공정 시뮬레이터입니다. 이온 주입, 확산, 산화, 증착 및 식각이 반도체 구조에 미치는 영향을 단계별로 계산합니다. 테스트 웨이퍼 대신 공정 시뮬레이션에서 학습합니다. 주입량이나 식각 시간을 조정하면 로트가 팹에서 돌아올 때가 아니라 웨이퍼를 투입하기 전에 결과 구조를 확인할 수 있습니다. 공정 통합을 담당한다면 수율로 드러나기 전에 한 단계의 변동이 얼마나 중요한지 파악할 수 있습니다.
모델링 가능한 대상
시뮬레이션 모드
1D, 2D 및 3D 간 전환은 자동으로 이루어집니다. 마스크 기반 시뮬레이션은 GDSII 레이아웃을 직접 읽습니다. 수동으로 그린 단면이 아니라 실제 마스크를 기반으로 시뮬레이션합니다. 멀티스레드를 지원합니다.
이온 주입
해석적 모드는 실험적으로 검증된 Pearson 및 double-Pearson 모델을 실행하며 사용자 정의 모멘트를 입력할 수 있습니다. Monte Carlo 모드는 이체 충돌 근사(Binary Collision Approximation)를 기반으로 결정질 또는 비정질 재료에서 임의의 틸트 및 회전을 지원합니다. 경험적 모델은 이온 주입 손상을 처리합니다.
확산 및 활성화
불순물은 1D, 2D 및 3D의 다중 재료 구조에서 확산합니다. 문제에 따라 Fick, Fermi, Fully Coupled, Five-stream, Single-pair 또는 폴리실리콘용 결정립 기반 모델을 선택합니다. 과도 활성화, 점결함 포획 및 클러스터링은 산화 촉진 확산과 결합하여 실행됩니다.
산화, 증착 및 식각
산화는 해석적 방식, Massoud 모델을 이용한 경험적 방식 또는 완전한 물리적 방식으로 실행됩니다. 물리적 방식은 산소 수송과 재료 유동을 수치적으로 해석하며 응력, 분위기 조성, 결정 방향 및 도핑이 모두 속도에 영향을 줍니다. 실리콘과 탄화규소는 보정되어 있으며 산화 가능한 재료에는 제한이 없습니다.
증착과 식각은 각각 구조의 시제품 모델링을 위한 빠른 기하학적 모델과 공정에서 형상을 도출해야 할 때 사용하는 완전한 물리 모델을 제공합니다. 차폐 및 가시성을 반영한 등각, 비등각 및 방향성 증착, 이온 빔 증착, 선택비를 고려한 습식 및 건식 식각, 이온 강화 화학 식각 및 이온 밀링을 지원합니다.
포토리소그래피 및 응력
동일한 GDSII 레이아웃에서 리소그래피를 모델링합니다. 큰 개구수에서의 2D 공중상 형성, 광범위한 광원 및 동공면 필터링, 완전한 위상 시프트 및 투과율 변화 마스크를 지원합니다.
응력은 웨이퍼에서와 같이 누적됩니다. 레이어 간 열적 불일치, 계면의 국부 격자 불일치, 초기 증착 응력, 캡층의 정수압 응력 및 이전 단계에서 남은 응력을 반영합니다. 실리콘, SiGe 및 GaAs를 포함한 결정질 재료는 웨이퍼 방향을 고려하여 이방성으로 처리합니다.
확장성
공정에 Victory Process가 제공하지 않는 물리가 필요하면 Open Model Interface를 통해 추가하세요. 새로운 재료와 파라미터는 Open Material Database에 입력합니다. 다음 릴리스를 기다리지 않고 도구를 확장할 수 있습니다.
TCAD 흐름에서 Victory Process의 위치
GDSII 레이아웃을 입력하면 Victory Process가 만든 구조가 네 가지 도구로 전달됩니다.
TCAD 전문가의 도움을 바로 받을 수 없는 팹 및 공정 엔지니어는 FTCO를 통해 같은 물리를 활용할 수 있습니다.
입력
레이아웃
GDSII 직접 가져오기
전기적 동작 시뮬레이션
3D RC 기생성분 추출
실험계획법 스윕 실행
소자 유형별 응용
Victory Process 신규 사용자 및 기존 사용자 안내
평가, 사용 및 문제 해결은 각각 다른 경로로 안내됩니다.
자주 묻는 질문
Victory Process는 무엇을 시뮬레이션하나요?
이온 주입, 도펀트 확산 및 활성화부터 산화, 증착 및 식각까지 소자를 형성하는 각 제조 단계를 시뮬레이션합니다. GDSII 레이아웃에서 1D, 2D 또는 3D로 작업합니다. 출력은 Victory Device가 전기적으로 시뮬레이션할 구조 파일이며, 그전에 Victory Mesh로 메시를 세분화하는 경우가 많습니다.
공정 에뮬레이션과 공정 시뮬레이션의 차이는 무엇인가요?
에뮬레이션은 기하학적 규칙으로 구조의 형상을 재현하며 형상만 필요할 때 충분합니다. 시뮬레이션은 도펀트의 주입과 확산, 산화막 성장, 재료의 증착과 식각 등 물리에서 형상을 도출합니다. Victory Process는 시뮬레이션을 수행하며 공정 에뮬레이션은 TCAD 제품군 페이지를 참조하세요.
Victory Process는 GDSII 레이아웃을 직접 가져올 수 있나요?
예. GDSII를 직접 읽는 마스크 기반 시뮬레이션을 통해 실제 사용하는 마스크 세트에서 시뮬레이션 구조를 얻습니다. 레이아웃이 변경되면 구조도 함께 변경되므로 단면을 수동으로 다시 그릴 필요가 없습니다. 이러한 직접 가져오기가 Victory Process를 레이아웃 기반 도구로 만듭니다.
어떤 이온 주입 및 확산 모델이 포함되나요?
해석적 이온 주입은 실험적으로 검증된 Pearson 및 double-Pearson 모델을 기반으로 하며 자체 모멘트를 입력할 수 있습니다. Monte Carlo 이온 주입은 이체 충돌 근사(Binary Collision Approximation)로 실행되며 결정질 및 비정질 재료에서 임의의 틸트와 회전을 처리합니다. 확산은 Fick, Fermi, Fully Coupled, Five-stream, Single-pair 또는 폴리실리콘용 결정립 기반 모델 중에서 선택합니다.
Victory Process는 소자 시뮬레이션에 어떻게 결과를 전달하나요?
구조 파일을 생성하면 Victory Device가 이를 읽습니다. 그 사이에 Victory Mesh로 메시를 세분화할 수 있습니다. 동일한 구조는 3D RC 추출을 위해 Victory RCx로 전달되며 실험계획법 스윕을 수행할 때는 Victory DoE가 전체 순서를 실행합니다.
