SiCおよび各種ワイドバンドギャップ材料:プロセス・シミュレーションからデバイス・シミュレーションまで
配信開始日: 2019年11月5日
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールの概要を説明します。ここでは、シルバコのワイドバンドギャップ材料向けプロセス/デバイス・シミュレーションの機能を紹介します。さらに、SiC JBSダイオードおよびGaN FETなど、さまざまな実例について実演し考察します。
内容:
- TCADとは何か、なぜそれを使用するのか
- ワイドバンドギャップ材料のプロセス・モデリングにおけるTCADの使用方法
- ワイドバンドギャップ・デバイスの電気的性能モデリングにおけるTCADの使用方法
プレゼンタ
Dr. David Greenは、イギリスのケンブリッジを拠点とするシルバコのSenior Field Applications Engineeringです。シルバコに13年間勤務しており、ヨーロッパ・中東・アフリカのTCAD顧客のプリ・セールス/ポスト・サポート、開発、そしてR&D TCADプロジェクトの管理を担っています。パワー、ディスプレイ、信頼性、光学を含め多岐にわたるアプリケーションのサポートを行っています。
博士課程と博士号取得後の研究には、集積回路向け縦型および横型パワーデバイスの設計、シミュレーション、開発、およびテストが含まれます。
[日本時間]
開催日: 2019年11月1日
配信: オンライン
開催時間: 2:00am-3:00am JST
言語: 英語
対象
SiCおよびシリコン・ベースのパワーデバイスの設計、最適化を行うソリューションを求めている研究者、エンジニア、マネージャ