Shortcode news and reviews
4 years ago
2022年12月21日 | 13:00-13:40 JST 本ウェビナーでは、実測や数値シミュレーションで得られたデータを起点に、適切な入出力応答を示すデバイスモデルを構築する手法をご紹介します。
4 years ago
November 8, 2022
4 years ago
2022年11月29日 | 13:00-13:30 JST 本ウェビナーでは、デバイスシミュレータ Victory Deviceを用いた、OLEDの電気特性・励起子挙動のシミュレーション機能をご紹介いたします。始めに、基本的な電気特性シミュレーションの背景を説明し、電気特性シミュレーションに必要なモデルやパラメータについて確認します。次に、結晶半導体と有機半導体の違いを簡単に確認したのちに有機デバイスの表現のために実装されているモデルの説明をします。最後に、OLED向けの要素技術を扱ったシミュレーション事例を紹介します。
4 years ago
Accuracy of Impurity Activation is essential in correctly modeling and simulating Silicon Carbide devices. For high concentrations of dopants, it is well known that less than 100% of dopants will
4 years ago
One of the new features in Victory Device is the ability to add user managed parameters to a log file. This can be used when sweeping parameters (manually or in
4 years ago
2022年9月30日 | 13:00-13:30 JST 本ウェビナーでは、RPI TFTモデルを理解する上で、比較的難所となるポイントについて解説を試みます。第１回目は、非準静的効果（NQS）モデルを扱います。
4 years ago
2022年9月23日 | 2:00-2:30 JST 本ウェビナーでは、シルバコのTCAD可視化ツールの最新世代であるVictory Visualの機能を順を追って説明します。本ウェビナーは、Victory Visualの主要な機能を理解するためのハウツーガイドであると同時に、Victory AtomisticおよびVictory Mesh – Solid Modeling向けの機能についても簡単に紹介することを目的としています。これまでのシルバコTCADツールのユーザおよび新しいユーザの視点から、多くの質問を取り上げます。
4 years ago
The FET physical dimensions continue to shrink to five nm node and below, characterized by new types of architectures with nanosheet (NS) and nanowire (NW) shapes [3]. The present choice
4 years ago
2022年9月9日 | 2:00-2:30 JST 超微細電界効果トランジスタ（FET）技術は、5nmノード以下の最先端技術アーキテクチャを設計するために、原子スケールでのシミュレーションを必要としています。Victory Atomisticは、非平衡グリーン関数（NEGF）と最先端のバンド構造計算を組み合わせることで、汎用的で予測性の高い高速シミュレーションを可能にします。
4 years ago
低消費電力、低電圧化が進み、アナログシミュレーションの重要性は増している昨今、ユーザフレンドリが進み回路図の入力を行なうだけで容易に回路シミュレーションが行なるようになっております。 一方でシミュレーションの実行が容易であるため、SPICEシミュレーションの動作原理やモデルについての知識が希薄になっています。 しかし、デバイスの特徴を反映した正しい計算結果を得るためには、計算アルゴリズムに直結する適切な設定が必要です。本セミナーでは、正しい結果を得るためのSPICEの使い方、およびその意味を理解する上で必要なSPICEの動作原理、モデルについて、改めてご理解を深めていただけます。
4 years ago
New Features in the 2022 Baseline Release:
- Section 1: Process Simulation – New Features in 2022 Baseline Release
- Section 2: Device Simulation – New Features in 2022 Baseline Release
4 years ago
2022年8月12日 | 2:00-2:30 JST 本ウェビナーでは、FinFETとメモリデバイスへの適用を例に、これらの幾何学エッチング・モデルを紹介します。フィンの形状制御や、非理想的なエッチング形状（ボーイング、ツイスト）、セルフ・アライン・プロセス（マルチパターニング）を実現する技術を紹介します。