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Over the past 50 years in our industry, there have been three invariant principles: Moore’s Law drives the pace of Si technology scaling system memory utilizes MOS devices (for SRAM
7 years ago
In the creation of an ASIC or SoC a wide variety of digital components are needed. Standard logic cells are used to implement the high-level description of the chip which
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米国カリフォルニア州サンタクララ発 – 2019年8月1日 –Silvaco, Inc. (以下シルバコ) は本日、取締役会でBabak TaheriがChief Executive Officerに任命されたことを発表しました。
7 years ago
In the world of SoC development, an IP management system is software for the licensing, distribution and compliance administration of design IP for both vendors and consumers of IP. In
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中国四川省成都市および米国カリフォルニア州サンタクララ発 – 2019年7月23日 – 中外合弁企業でテクノロジ・インキュベータであるSilicon Power Technologyと、EDAソフトウェアおよび設計IPのリーディング・サプライヤであるSilvaco Inc., (以下、シルバコ) は、本日、中国の次世代パワー半導体企業への成長支援において提携を発表しました。
7 years ago
In the following video, Dr. Firas Mohamed, VP & GM, Machine Learning & Flow Optimization Division and GM, Silvaco France talks with Graham Bell about Machine Learning technologies deployed in
7 years ago
株式会社シルバコ・ジャパン（以下、シルバコ）は、パイオニア・マイクロ・テクノロジー 株式会社（以下パイオニア・マイクロ・テクノロジー）が、自社のSi Foundryプロセス向けに0.35umCMOSプロセス用シルバコPDKの提供を開始したことを発表しました。
7 years ago
本ウェビナーでは、車載に関連する規格やシルバコSIPwareカタログから車載コントローラIPの具体的な機能を確認するとともに、車載セグメントと傾向について考察します。
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I interviewed Silvaco partner Stephen Fairbanks, CTO of Certus Semiconductor from the show floor at DAC 2019, in Las Vegas, about I/O Design and Characterization. He talks about using the
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Introduction Gallium nitride (GaN)-based devices are excellent candidates for high-voltage and high-power applications, due to the superior physical properties of GaN compared to Si, SiC, and GaAs. Recently, GaN vertical
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Introduction Amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (a-IGZO TFTs) show a high mobility, a small sub-threshold swing, and a low OFF-current, and they are considered to be one of the most promising
7 years ago
Abstract — Dual junction solar cells were simulated using Silvaco TCAD tool with various tunnel junction material compositions. InGaP/GaAs dual junction solar cells were simulated with 10 different tunnel junction