Power Devices SPICE Modeling for Si, GaN and SiC Technologies

配信開始日: 2024年2月13日

本ウェビナーでは、最初にSi、GaN、SiC など、パワー・デバイスの製造に使用されるさまざまな技術について、それぞれの特質と利点を考察します。
次に、コンパクト・モデルやマクロ・モデルなど、パワー・デバイスの SPICE モデリングに対する様々なアプローチを分析します。
プレゼンテーションの大部分は、パワー FET のモデリングに費やされます。特に、バイアス依存のキャパシタンスに適切に対処する方法と、動的特性に基づくモデルチューニングに対処する方法を説明します。
最後に、寄生素子やモデル精度など、パワー・デバイス特有の課題に対処するためのノウハウをご紹介します。

内容

• GaN および SiC FET の SPICE モデル
• パワーFET固有のキャパシタンスのモデリング
• 一般的なパワー FET モデル抽出方法
• TCAD ベースの SPICE モデリングの利点
• Si、GaN、SiC デバイスの SPICE モデリング例

プレゼンタ

Bogdan Tudor, Director, Device Characterization

Bogdan Tudor は、シルバコのDevice Characterizationグループの責任者で、Utmost および Modeling Service チームを率いています。モデル開発とキャラクタライゼーション・ソフトウェアの分野で20年以上の経験を有しています。

対象:

半導体デバイスおよびプロセスエンジニア、プロダクトマネージャ、エンジニアリングマネージャ

[日本時間]

開催日時:
2024年2月8日
12:00pm-12:30pm JST
7:00pm-7:30pm JST

2024年2月9日
3:00am-3:30am JST
(各回、同じ内容になります。)

配信: オンライン
言語: 英語