How Silvaco TCAD is at the Heart of Innovation in RF Devices
配信開始日: 2022年3月22日
高周波領域のIC設計では、寄生素子を正確にモデリングすることが非常に重要です。基板の挙動はこのような寄生素子に大きな影響を与えますが、半導体中の抵抗率分布はかなり不均一なため、小信号条件下でもモデリングは難しく、大振幅が印加される条件においては特に難しいものとなっています。
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール Victory Deviceを使用して、さまざまなシリコンベース基板の小信号および大信号の挙動をモデル化した事例を紹介します。開発したモデルは、半導体物理に基づいて、チャージバランスの相互作用が厳密に考慮されており、さまざまなシリコンベース基板に対して、準静的条件および強い非平衡過渡条件の両方における内部動作を明らかにします。
特に、開発した大信号モデリング手法は安定である、つまり空間的にも時間的にも収束することを実証し、20種類以上ものシリコンベース基板の測定データと良好な相関があることを示します。
内容
- 最先端のさまざまなシリコンベース基板の挙動をモデル化する方法
- 物理的なチャージバランスの相互作用を解析する方法
- 準静的条件および強い非平衡過渡条件下でのシリコンベース基板の内部動作
- 大信号モデリング手法の開発
Presenter
Jean Pierre Raskin, Professor at Université catholique de Louvain
Jean-Pierre Raskin氏は、1994年にUniversité catholique de Louvain (UCLouvain), Louvain-la-Neuve, Belgiumでそれぞれ応用科学の修士号と博士号を取得しました。2000年よりUCLouvainの電気工学科の教授を務めています。研究テーマは、先進的なSOI MOSFETのモデリング、広帯域特性評価および製造、ならびにMEMS / NEMSセンサおよびアクチュエータのnmスケールの材料固有の特性抽出を含む微細加工です。2014年よりIEEEフェローで、RF SOIのビジョンと先駆的な業績が認められ、Médaille BLONDEL 2015、SOI Consortium Award 2016、European SEMI Award 2017、Médaille AMPERE 2019、そしてGeorges Vanderlinden Award 2020を受賞しています。350以上の科学雑誌記事の著者または共著者です。2017年、講義プロジェクト「IngénieuxSud」において、NGO Louvain Cooperation the European Global Education Innovation Awardを受賞しています。
対象:
半導体デバイス、IP、回路、CAD、SoCそしてシステム・デザインに携わるエンジニア、プロダクト・マネージャおよびエンジニアリング・マネージャ
[日本時間]
開催日: 2022年3月18日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語