Victory Process
Victory Process 2D & 3D 版图驱动仿真器
TCAD工艺仿真对于开发新技术以及维护现有半导体工艺至关重要。制造过程的虚拟化使企业能够维护其半导体工艺的“数字孪生”。工艺中的变化可以很好地被理解；最大化器件性能，提高生产效率，同时最小化工程周期和周期时间。
好处
- 允许优化现有工艺，并提供可预测的缩放行为
- 提高对新技术挑战的理解
- 通过仿真来代替实验，降低掩模和原型制造的成本
- 对设计公司而言，通过基于PDK的虚拟工艺的创建，缩短产品的上市时间
典型应用
- 硅基: FinFET, FDSOI, Bulk CMOS
- 显示技术: TFT, LED, OLED
- 功率和RF: Silicon BiCMOS & BCD, SiC, GaN
- 光电子和硅光: CIS, Solar Cell, Laser, Waveguides, Modulators
核心功能
- 1D/2D/3D 模式自动切换
- 基于版图工艺仿真，直接导入GDSII版图
- 整合于 Silvaco TCAD 流程中
- 通过交互式工具进行仿真和结果分析
- 通过 Virtual Wafer Fab 进行实验设计和优化
- 输出结果给TCAD器件仿真或者3D RC提取工具
- 通过高效的多线程技术实现高新能仿真
- 通过开放式模型接口来增加新的半导体工艺物理模型
- 通过开放式数据库来增加新的材料和参数
注入
解析注入模式
- 实验验证的 Pearon 和双 Pearson 解析模型，包括用户自定义参数
- 导入掺杂分布
- 解析型分布（高斯、ERFC）
蒙特卡罗注入模式
- 单晶或者多晶材料的BCA蒙特卡洛计算
- 用于蒙特卡罗计算的通用 tilt 和 rotation能力
- 注入引起的晶体损伤的经验模型；Plus-one 点缺陷模型，<311>簇模型
杂质扩散和激活
- 1D、2D和3D多材料结构中的杂质扩散
- 全面的默认模型集：
- Direct/Fick模型、Fermi模型、全耦合模型、Five-Stream模型、Single-pair模型、间隙过饱和的Single-pair模型、Two-Dimensional 模型、基于晶粒的多晶硅模型
- 经验和瞬态激活模型
- 点缺陷捕获和成簇模型
- 氧化与氧化增强扩散耦合
- 开放式建模接口，用户可自定义的扩散和激活模型
- 用于建模参数的开放且灵活的材料数据库
氧化
- 校准过的硅和碳化硅氧化模型
- 对可被氧化的材料没有限制。通过开放式模型接口和开放式材料数据库进行扩展
- 三种操作模式:
- 解析、经验（Massoud 模型）和全物理模式
- 全物理模式下：
- 对氧气传输和材料流动进行了数值求解
- 应力计算，包括对氧化特性的影响
- 环境成分的影响
- 晶向的影响
- 掺杂对氧化速率的影响
沉积和外延
- 结构原型的快速几何沉积模型
- 具有选择性的物理的共形和非共形沉积模型
- 物理的定向沉积模型。考虑阴影和可视化性效果
- 考虑了二次效应，包括沉积材料的反射
- 支持多粒子物理沉积模型
- 离子束沉积模型，具有全面的束流控制、特定材料的黏附系数表格功能
- 基于选择性沉积模型的外延仿真。各向同性和各向异性生长特性
刻蚀
- 几何刻蚀模型用于结构原型化
- 具有各向同性和各向异性刻蚀特性的理想的物理湿法刻蚀
- 具有选择性的理想化物理干法刻蚀
- 具有选择性的复杂多层材料结构的物理刻蚀
- 考虑阴影和可视化效果
- 考虑了二次效应，包括反应粒子的反射和材料的再沉积
- 支持多粒子物理刻蚀模型，例如离子增强化学刻蚀模型
- 离子铣削模型，具有全面的离子束流控制，依赖于材料的列表法Yield函数
光刻
- 基于 GDSII 版图
- 二维、大数值孔径和投影成像
- 增强投影成像的广泛的源面和瞳平面滤波
- 完整的移相和透射率变化掩模功能
应力和应变
- 在任意2D或3D结构上进行工艺仿真过程中或之后的应力分析
- 各种应变和应力源的模型：
- 材料层之间的热失配
- 异种材料界面引起的局部晶格失配
- 特定区域的初始沉积应力
- 来自 Cap 层的外部（流体静力学）应力
- 前序工艺步骤（如氧化）产生的应力/应变
- 各种晶体材料（如Si、SiGe、GaAs）的应力仿真，支持依赖于晶向的各向异性应力，以及各向同性（如氮化硅和氧化物）材料。
TCAD 资源
Presentations
- DTCO Tool Flow – Single Run-Time Environment for Design Technology Co-Optimization
- Optical Simulations – Light Emitting and Absorbing Devices
- Power Device Solutions – Full TCAD to SPICE Flow
- Parasitic Extraction – Full Chip and Cell Level RC Extraction
- Process Simulation Options – Four Ways to Create a Physical Structure
- Radiation Effects Module – Total Dose and Single Event Phenomenon, Damage Inducing and Elastic Interactions
- Victory Atomistic – Practical Atomic-Scale Simulation
Product Briefs
Published Papers
Simulation Standard
Webinars
视频
Webinar Preview: TCAD Introduction and the Basics Part 1
TCAD Introduction and the Basics-Part 3
Webinar Preview: Optimization of the Select Gate Transistor in a 3D NAND Memory Cell
TCAD Simulation of Wide Bandgap Power Devices&Webinar Preview
Leakage Current TCAD Calibration in a Si TFTs Preview
TCAD Simulation of Organic Optoelectronic Devices
TCAD Simulation of Ion Transport and Electrochemistry
Solar cell modeling using TCAD and SPICE
How to Search the TCAD Examples
Dr. Eric Guichard, Vice President of the TCAD Division, Display Week 2019 Interview
Vincent Lee, CEO of Lumiode, Display Week 2019 Interview
Simulation of Reliability and NBTI Aging in MOS Microelectronics
Modeling and Analysis of Single Event Effects&Webinar Preview
Simulation of Physical Etching in Memory
How to Search, View and Use Default Parameters from Silvaco Material DataBase SMDB with DeckBuild
3D TCAD Simulation of Gallium Nitride Tri-gate Junction HEMT
Writing an Impurity Activation Model with the Open Model Library
User Probes and Arbitrary Parameter Sweeps in Victory Device