Victory Device 仿真器
TCAD器件仿真是开发下一代半导体器件的关键,可以深入了解器件的复杂物理现象。Victory Device是基于物理的器件仿真器,用于分析和预测器件性能。
优势
- 表征先进半导体器件的电学、化学、热和光学特性,优化器件性能。
- 应对当前技术挑战,缩短产品研发周期。
- 探索下一代器件的新型器件技术。
应用
- 先进CMOS & Bulk CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 功率&射频&BCD,功率二极管,IGBT,晶闸管, GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
- 显示技术– 非晶硅, 多晶硅, 及 IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 光电子学&CCD,CMOS图像传感器,雪崩光电二极管,PiN光电二极管,太阳能电池
Understanding of Geometrical Boundary Conditions in Victory Process
Automatic Grid Refinement for Thin Material Layer Etching in Process TCAD Simulations
How to Search, View and Use Default Parameters from the Silvaco Material DataBase SMDB with DeckBuild
3D TCAD Simulation of Gallium Nitride Tri-gate Junction HEMT