• Victory Device

Victory Device 仿真器

TCAD器件仿真是开发下一代半导体器件的关键,可以深入了解器件的复杂物理现象。Victory Device是基于物理的器件仿真器,用于分析和预测器件性能。

优势

  • 表征先进半导体器件的电学、化学、热和光学特性,优化器件性能。
  • 应对当前技术挑战,缩短产品研发周期。
  • 探索下一代器件的新型器件技术。

应用

  • 先进CMOS & Bulk CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
  • 功率&射频&BCD,功率二极管,IGBT,晶闸管, GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
  • 显示技术– 非晶硅, 多晶硅, 及 IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
  • 光电子学&CCD,CMOS图像传感器,雪崩光电二极管,PiN光电二极管,太阳能电池

TCAD资源


Numerical Algorithm to Perform Viscoelastic Analysis


Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模

Learn How TCAD is a Key Enabler for Photodiode Development