Victory Mesh生成、优化以及实体建模
Victory Mesh用于对现有的2D和3D TCAD结构进行网格划分和优化，以及通过实体建模功能生成新的2D和3D结构，功能十分强大。
一个典型的使用流程是先在工艺仿真器Victory Process中生成器件结构和掺杂数据，然后输入Victory Mesh进行网格优化，再在Victory Device进行器件仿真中或在VIctory RCX中进行3D寄生提取。
另外，也可以使用Victory Mesh的实体建模功能修改现有器件的结构，或者创建全新的，带掺杂的结构。
优势
- 优化2D或3D结构网格划分，提升器件仿真或 RC 提取能力
- 可执行如裁剪、切片、镜像等操作
- 根据用户定义来自动优化网格
- 利用实体建模技术来创建2D或者3D器件
应用
- 先进节点CMOS & 体硅 CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 功率 & RF & BCD, 功率二极管, IGBT, 晶闸管，GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
- 显示 & 非晶和多晶硅TFT, IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 光电子 & CCD, CMOS图像传感器, 雪崩光电二极管, PiN光电二极管, 太阳能电池
Understanding of Geometrical Boundary Conditions in Victory Process
Automatic Grid Refinement for Thin Material Layer Etching in Process TCAD Simulations
How to Search, View and Use Default Parameters from the Silvaco Material DataBase SMDB with DeckBuild
3D TCAD Simulation of Gallium Nitride Tri-gate Junction HEMT