• Victory Mesh

Victory Mesh生成、优化以及实体建模

Victory Mesh用于对现有的2D和3D TCAD结构进行网格划分和优化,以及通过实体建模功能生成新的2D和3D结构,功能十分强大。
一个典型的使用流程是先在工艺仿真器Victory Process中生成器件结构和掺杂数据,然后输入Victory Mesh进行网格优化,再在Victory Device进行器件仿真中或在VIctory RCX中进行3D寄生提取。
另外,也可以使用Victory Mesh的实体建模功能修改现有器件的结构,或者创建全新的,带掺杂的结构。

优势

  • 优化2D或3D结构网格划分,提升器件仿真或 RC 提取能力
  • 可执行如裁剪、切片、镜像等操作
  • 根据用户定义来自动优化网格
  • 利用实体建模技术来创建2D或者3D器件

应用

  • 先进节点CMOS & 体硅 CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
  • 功率 & RF & BCD, 功率二极管, IGBT, 晶闸管,GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
  • 显示 & 非晶和多晶硅TFT, IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
  • 光电子 & CCD, CMOS图像传感器, 雪崩光电二极管, PiN光电二极管, 太阳能电池

TCAD资源



Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模

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