Victory Process 2D/3D レイアウト・ドリブン・シミュレータ
TCAD プロセス・シミュレーションは、新技術の開発や既存の半導体プロセスの維持に不可欠です。 製造プロセスを仮想化することで、企業は半導体プロセスの「デジタル・ツイン」を維持することができます。 プロセス変更の影響を十分に理解することで、デバイスの性能を最大限に引き出し、製造歩留まりを向上させるとともに、開発サイクルの回数や時間を最小限に抑えることができます。
利点
- 既存のプロセスの最適化を可能にし、スケーリング挙動の予測を可能にする
- 新規技術の課題に対する理解を深める
- 実験をシミュレーションに置き換えることで、マスクや試作の製造コストを削減
- ファブレス企業がシリコン・ウェハ製造前に仮想プロセス・ベースのPDKを作成することで市場投入までの時間を短縮
用途
- アドバンスドCMOS：FinFET、FDSOI、バルクCMOS
- ディスプレイ・テクノロジ： TFT, LED, OLED
- パワー＆RFテクノロジ： シリコンBiCMOSおよびBCD、SiC、GaN
- 光学・フォトニクス： CIS、太陽電池、レーザ、導波路、変調器
A New CMOS Simulation Template: Addressing Advanced Diffusion and Annealing Effects
Introduction to Virtual Metrology with Victory Extract
IGBT Switching Simulation Based on the Double-Pulse Method
2024 TCAD Baseline Release