利用 AI 驱动的 FTCO 加速下一代功率技术发展

引言

功率半导体行业正处于一个转折点。三十多年来，硅基材料一直是功率器件领域的主力，但对更高功率密度、更快开关频率和更高效率的不懈追求，正推动着向宽禁带材料的决定性转变。碳化硅和氮化镓如今已成为下一代功率应用的首选技术，其应用范围涵盖电动汽车、人工智能数据中心基础设施以及并网可再生能源系统。

2025年，全球GaN和SiC功率半导体市场规模约为40亿美元，预计到2034年将达到238亿美元，复合年增长率为31.8%。为了跟上这一增长步伐，功率器件工程师面临着越来越大的技术开发压力，需要缩短设计周期、减少物理实验次数，并比以往更快地交付可制造的产品。本文探讨了Silvaco的AI驱动型制造技术协同优化 (FTCO™) 平台通过结合规模化仿真、智能实验设计和机器学习代理模型，如何变革功率器件开发工作流程，并以pGaN HEMTs、垂直型GaN和SiC DMOS技术为实例进行演示讲解。